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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1355页 > CEK01N65A
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
650V ， 0.3A ，R
DS （ ON）
= 15
@V
GS
= 10V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
坚固可靠。
被收购无铅产品。
TO-92 （散装） & TO-92 （ Ammopack ）封装。
CEK01N65A
D
G
G
D
S
G
D
TO-92(Ammopack)
S
TO-92(Bulk)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
650
单位
V
V
A
A
W
C
±
30
0.3
1.2
3.1
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到铅
b
符号
R
θJL
极限
40
单位
C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
修订版1 2010.Feb 。
http://www.cetsemi.com
CEK01N65A
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
c
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 0.2A
V
DS
= 480V ，我
D
= 0.3A,
V
GS
= 10V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 650V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.2A
2
12
民
650
1
100
-100
4
15
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
6
V
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.3A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
0.5
170
60
30
10
11
24
62
10
0.6
7.5
0.3
1.6
20
22
48
124
12.8
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.3A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 4.7
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
2
CEK01N65A
1.5
V
GS
=10,9,8V
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
0.5
25 C
0.4
0.3
0.2
0.1
T
J
=125 C
25
0.0
1
2
3
4
5
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=6V
V
GS
=5V
0
5
10
15
20
I
D
，漏电流（ A）
-55 C
6
7
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
240
200
160
120
80
40
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
I
D
=0.2A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
西塞
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
V
GS
=0V
10
0
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=250A
10
-1
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
CEK01N65A
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
2
0
V
DS
=480V
I
D
=0.3A
10
1
R
DS （ ON）
极限
I
D
，漏电流（ A）
10
0
1ms
10ms
-1
10
100ms
1s
DC
10
-2
0
2
4
6
8
10
12
10
-3
T
A
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
10
0
6
10
2
10
1
10
3
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DD
t
on
V
IN
V
GS
R
根
G
R
L
D
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
10%
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
倒
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
10
0
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
10
-1
10
-2
单脉冲
10
-3
1. R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
2. R
θJA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P * R
θJA
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4
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