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CEG9926
2002年11月
双N沟道增强型场效应晶体管
特点
20V ， 4.5A ，R
DS （ ON）
=30m
@V
GS
=4.5V.
R
DS （ ON）
=40m
@V
GS
=2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
TSSOP - 8表面贴装封装。
G
2
S
2
S
2
D
2
D
1
1
S
1
2
S
1
3
G
1
4
8
D
2
7
S
2
6
S
2
5
G
2
G
1
S
1
S
1
D
1
9
TSSOP-8
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
a
b
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储
温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
-55到150
极限
20
8
4.5
25
1.7
单位
V
V
A
A
A
W
C
热特性
热阻，结到环境
a
R
JA
125
C / W
9-17
CEG9926
电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
符号
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= 8V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4.5A
V
GS
= 4.0V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=3.5A
最小值典型值
C
最大单位
20
1
V
A
nA
0.5
24
23
32
基本特征
b
栅极阈值电压
1.0
30
40
V
m
m
m
9
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
=5V, V
GS
=4.5V
V
DS
= 10V ，我
D
=4.5A
10
10
500
300
140
A
S
P
F
P
F
P
F
动态特性
C
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 8V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 10V,
I
D
=1A,
V
根
= 4.5V,
R
GEN =
6
20
18
60
28
10
40
40
108
56
15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V ，我
D
=4.5A,
V
GS
=4.5V
9-18
2.3
2.9
CEG9926
电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小典型最大单位
0.8
1.2
V
C
漏源二极管的特性
b
笔记
a.Surface安装在FR4板，T 10秒。
b.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
10
25
V
GS
=4.5,3.5,2.5V
V
GS
=2.0V
8
20
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
6
15
9
4
10
2
5
TJ = 125℃
0
0.0
0.5
1
1.5
25 C
-55 C
2
2.5
3
V
GS
=1.5V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
,
导通电阻（欧姆）
600
500
西塞
图2.传输特性
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
=4.5A
V
GS
=4.5V
C，电容（pF ）
400
科斯
300
200
100
0
CRSS
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
温度
9-19
CEG9926
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.60
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
I
D
=250 A
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
30
图6.击穿电压变化
随温度
20
10
g
FS
，跨导（ S）
20
15
10
V
DS
=10V
5
0
0
3
6
9
12
15
是，源极 - 漏极电流（ A）
9
25
1
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
5
I
D
，漏电流（ A）
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
2
V
GS
，门源电压（ V）
4
3
2
1
0
0
V
DS
=10V
I
D
=4.5A
10
1
10
RD
S
N
(O
)L
im
it
1m
10
m
s
s
0m
s
1s
D
C
10
0
10
-1
10
-2
T
A
=25 C
TJ = 150℃
单脉冲
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10 12 14 16
10
-2
10
2
QG ，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
9-20
图10.最大安全
工作区
CEG9926
4
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
V
DD
t
on
R
L
V
OUT
V
OUT
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
10
0
9
D=0.5
0.2
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
10
-1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1. R
JA
（吨） = R （t）的R *
JA
2. R
JA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P * R
JA
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-3
10
-2
0.01
单脉冲
10
-3
10
-4
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
9-21
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