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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1005页 > CEG8208
双N沟道增强型场效应晶体管
特点
20V ， 6.5A ，R
DS （ ON）
= 22MΩ @V
GS
= 4.5V.
R
DS （ ON）
= 32mΩ @V
GS
= 2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TSSOP - 8表面贴装封装。
ESD保护： HBM 2000 V
G
2
S
2
S
2
D
G
1
S
1
S
1
D
CEG8208
D
D
G
1
*1K
G
2
*1K
S
1
*设计典型值
S
2
D
1
8
7
6
5
D
S
2
S
2
G
2
S
1
2
S
1
3
G
1
4
TSSOP-8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
20
单位
V
V
A
A
W
C
±
12
6.5
25
1.5
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到环境
b
符号
R
θJA
极限
83
单位
C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
冯三2006.Aug
http://www.cetsemi.com
CEG8208
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 1.5A
V
DS
= 10V ，我
D
=5A,
V
GS
= 4.5V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V, V
DS
= 0V
V
GS
= -12V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 4A
V
DS
= 10V ，我
D
= 5A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
0.5
18
24
17
40
115
15
0.35
0.87
3.60
2.01
4.3
1.1
2.5
1.5
1.2
0.7
1.8
7.5
4.3
7.5
民
20
1
10
-10
1.2
22
32
典型值
最大
单位
V
A
uA
uA
V
m
m
S
pF
pF
pF
us
us
us
us
nC
nC
nC
A
V
正向跨导
V
DD
= 10V ，我
D
= 1A,
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
2
CEG8208
20
16
12
8
V
GS
=4.5,3.5,2.5V
20
25 C
16
12
8
4
0
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=1.5V
4
0
I
D
，漏电流（ A）
T
J
=125 C
0.0
0.5
1.0
-55 C
1.5
2.0
2.5
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
I
D
=5A
V
GS
=4.5V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
V
GS
=0V
10
1
10
0
-50
0
50
100
150
200
10
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化
随温度
V
TH
归一化
门源阈值电压
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
10
I
D
=250A
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
2
R
DS （ ON）
极限
I
D
，漏电流（ A）
10
1
10
0
1ms
10ms
100ms
1s
DC
10
-1
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-2
T
A
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
DS
，漏源电压（V ）
图6.最大安全
工作区
3
CEG8208
V
GS
，门源电压（ V）
5 V =10V
DS
I
D
=5A
4
3
2
t
on
t
D（上）
V
OUT
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
倒
90%
V
IN
1
0
50%
10%
50%
脉冲宽度
0
1
2
3
4
5
6
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DD
R
L
D
V
OUT
图8.开关波形
V
IN
V
GS
R
根
G
S
图9.开关测试电路
10
0
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
10
-1
10
-2
单脉冲
10
-3
1. R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
2. R
θJA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P * R
θJA
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
图10.归瞬态热阻抗曲线
4
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