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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1113页 > CEFF634
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEPF634
CEBF634
CEIF634
CEFF634
V
DSS
250V
250V
250V
250V
R
DS （ ON）
0.45
0.45
0.45
0.45
I
D
8.1A
8.1A
8.1A
8.1A
d
@V
GS
10V
10V
10V
10V
CEPF634/CEBF634
CEIF634/CEFF634
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。
D
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEI系列
TO-262(I2-PAK)
G
D
S
G
CEP系列
TO-220
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@ T
C
= 25 C
@ T
C
= 100 C
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ，除非另有说明
极限
符号
TO-220/263/262
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
e
TO-220F
单位
V
V
250
±
20
8.1
5.1
32
74
0.59
-55到150
8.1
d
5.1
d
32
d
38
0.3
A
A
A
W
W / C
C
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
1.7
62.5
极限
3.3
65
单位
C / W
C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
冯2. 2010.June
http://www.cetsemi.com
CEPF634/CEBF634
CEIF634/CEFF634
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
f
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 8.1A
0.9
V
DS
= 200V ，我
D
= 5.6A,
V
GS
= 10V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
DS
= 50V ，我
D
= 5.1A
4.4
925
95
20
16
3.5
38
4
18
3
5
8.1
1.5
32
7
76
8
23
2
民
250
25
100
-100
4
0.45
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 125V ，我
D
= 5.6A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 12
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Limited只有最高温度允许的。
.Pulse宽度有限的安全工作区。
F 。全包我
S（ MAX）的
= 6A .
克.UIS条件VDD = 25V L = 2MH RG = 25ohm IAS = 8.1A 。
2
CEPF634/CEBF634
CEIF634/CEFF634
12
10
8
6
4
2
0
V
GS
=10,9,8,7V
10
1
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=6V
I
D
，漏电流（ A）
10
0
T
J
=150 C
-55 C
V
GS
=5V
V
GS
=4V
0
1
2
3
4
5
6
10
-1
25 C
2
4
6
1.V
DS
=40V
2.Pulse测试
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
1200
1000
800
600
400
200
0
科斯
CRSS
0
10
20
30
40
50
西塞
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
I
D
=5.1A
V
GS
=10V
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
I
D
=250A
10
10
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
CEPF634/CEBF634
CEIF634/CEFF634
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
2
0
V
DS
=200V
I
D
=5.6A
R
DS （ ON）
极限
100ms
1ms
10ms
DC
10
0
I
D
，漏电流（ A）
10
1
0
3
6
9
12
15
18
21
10
-1
T
C
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DD
t
on
V
IN
V
GS
R
根
G
R
L
D
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
10%
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
倒
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
10
0
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-1
10
-2
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
10
-3
1. R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4
CEFF634
2002年11月
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
6
250V ，6A ，R
DS （ ON）
=450m
@V
GS
=10V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO- 220F全白的通孔
D
G
G
D
S
S
TO-220F
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储Temperautre范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
250
30
6
24
6
38
0.3
-50-150
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
JC
R
JA
6-102
3.3
65
C / W
C / W
CEFF634
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
b
符号
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.1A
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
V
DS
= 50V ，我
D
= 5.1A
最小典型最大单位
250
25
V
A
6
100 nA的
2
4
450
10
4.4
630
100
40
V
m
A
S
P
F
P
F
P
F
基本特征
a
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 125V,
I
D
= 5.6A,
V
GS
= 10V,
R
根
= 12
19
11
46
10
26
40
30
90
30
33
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 200V ，我
D
= 5.6A,
V
GS
=10V
6-103
5
11
CEFF634
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 8.1A
最小典型最大单位
0.9
1.5
V
漏源二极管的特性
a
6
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
12
V
GS
=10,9,8,7V
10
I
D
，漏电流（ A）
8
V
GS
=6V
6
4
2
I
D
，漏电流（ A）
1
150 C
-55 C
V
GS
=5V
25 C
1.V
DS
=40V
2.Pulse测试
V
GS
=4V
0
0
1
2
3
4
5
6
0.1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
,
导通电阻（欧姆）
900
750
图2.传输特性
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
I
D
=5.1A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
西塞
600
450
300
150
0
0
10
20
30
40
50
科斯
CRSS
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
温度
6-104
CEFF634
1.20
1.10
1.0
0.90
0.80
0.70
0.60
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.30
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
I
D
=250 A
6
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
6
V
DS
=50V
图6.击穿电压变化
随温度
20
10
V
GS
=0V
g
FS
，跨导（ S）
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
是，源极 - 漏极电流（ A）
5
1
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
10
I
D
，漏电流（ A）
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
V
GS
，门源电压（ V）
(O
N)
8
6
4
2
0
0
LIM
V
DS
=200V
I
D
=5.6A
10
1
R
D
S
10
it
0
s
1m
s
10
m
s
s
10
0m
D
C
10
0
T
C
=25 C
TJ = 150℃
单脉冲
10
1
10
2
10
3
7
14
21
28
10
-1
10
0
QG ，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
6-105
图10.最大安全
工作区
CEFF634
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
L
V
OUT
V
OUT
R
根
G
90%
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
倒
6
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
10
0
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
P
DM
0.01
t
1
t
2
单脉冲
1. R
JC
（吨） = R （t）的R *
JC
2. R
JC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
JC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-4
10
-2
10
-3
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
6-106
CEPF634/CEBF634
CEIF634/CEFF634
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEPF634
CEBF634
CEIF634
CEFF634
V
DSS
250V
250V
250V
250V
R
DS （ ON）
0.45
0.45
0.45
0.45
I
D
8.1A
8.1A
8.1A
8.1A
d
@V
GS
10V
10V
10V
10V
D
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEI系列
TO-262(I2-PAK)
G
D
S
CEP系列
TO-220
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
TC = 25℃ ，除非另有说明
极限
符号
TO-220/263/262
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
e
P
D
T
J
,T
英镑
8.1
32
74
0.59
250
TO-220F
单位
V
V
±
30
8.1
38
0.3
-55到150
d
A
A
W
W / C
C
32
d
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
1.7
62.5
极限
3.3
65
单位
C / W
C / W
2006.July
1
http://www.cetsemi.com
CEPF634/CEBF634
CEIF634/CEFF634
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
f
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 8.1A
0.9
V
DS
= 200V ，我
D
= 5.6A,
V
GS
= 10V
V
DD
= 125V ，我
D
= 5.6A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 12
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.1A
V
DS
= 50V ，我
D
= 5.1A
4.4
630
100
40
19
11
46
10
26
5
11
8.1
1.5
40
30
90
30
33
2
民
250
25
100
-100
4
0.45
典型值
最大
单位
V
A
4
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Limited只有最高温度允许的。
.Pulse宽度有限的安全工作区。
F 。全包我
S（ MAX）的
= 6A .
2
CEPF634/CEBF634
CEIF634/CEFF634
12
V
GS
=10,9,8,7V
10
8
10
1
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=6V
6
4
2
I
D
，漏电流（ A）
10
0
T
J
=150 C
-55 C
V
GS
=5V
V
GS
=4V
0
0
1
2
3
4
5
6
10
-1
25 C
2
4
6
1.V
DS
=40V
2.Pulse测试
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
1200
1000
800
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
科斯
CRSS
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
西塞
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
I
D
=5.1A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
10
10
0
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
CEPF634/CEBF634
CEIF634/CEFF634
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
=200V
I
D
=5.6A
R
DS （ ON）
极限
100s
1ms
10ms
DC
10
0
I
D
，漏电流（ A）
8
4
10
1
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
10
-1
T
C
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
10
0
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
-2
10
-1
10
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1. R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4
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