CEP9060R/CEB9060R
CEF9060R
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP9060R
CEB9060R
CEF9060R
V
DSS
55V
55V
55V
R
DS （ ON）
10.5m
10.5m
10.5m
I
D
100A
100A
100A
e
@V
GS
10V
10V
10V
D
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 220 & TO- 263封装& TO- 220F通孔全白了。
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEP系列
TO-220
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
单脉冲雪崩电流
d
TC = 25℃ ，除非另有说明
极限
符号
TO-220/263
TO-220F
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
f
P
D
E
AS
I
AS
T
J
,T
英镑
100
300
200
1.3
480
50
-55至175
55
单位
V
V
±
20
100
75
0.5
480
50
e
A
A
W
W / C
mJ
A
C
300
e
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
0.75
62.5
极限
2
65
单位
C / W
C / W
2004.September
4 - 182
http://www.cetsemi.com
CEP9060R/CEB9060R
CEF9060R
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
Forwand跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 62A
V
DS
= 44V ，我
D
= 62A,
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V ，我
D
= 62A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 4.5
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 62A
V
DS
= 25V ，我
D
= 62A
2
8.8
30
2690
798
113
37
18
67
16
60
16
21
62
1.3
75
45
120
40
80
民
55
25
100
-100
4
10.5
典型值
最大
单位
V
A
4
nA
nA
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
D.L = 260μH ，我
AS
= 50A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25 C
e.Limited只有最高温度允许的。
F .Pulse宽度有限的安全工作区。
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