CEP655N/CEB655N
CEI655N/CEF655N
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP655N
CEB655N
CEI655N
CEF655N
V
DSS
150V
150V
150V
150V
R
DS （ ON）
0.153
0.153
0.153
0.153
I
D
15A
15A
15A
15A
d
@V
GS
10V
10V
10V
10V
D
初步
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEI系列
TO-262(I2-PAK)
G
D
S
CEP系列
TO-220
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
TC = 25℃ ，除非另有说明
极限
符号
TO-220/263/262
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
e
P
D
T
J
,T
英镑
15
60
83
0.56
150
TO-220F
单位
V
V
±
25
15
39
0.26
-55至175
d
A
A
W
W / C
C
60
d
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
1.8
62.5
极限
3.8
65
单位
C / W
C / W
这是在开发新产品的初步信息了。
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
修订版1 2005.June
http://www.cetsemi.com
CEP655N/CEB655N
CEI655N/CEF655N
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
f
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
g
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
GS
= 25V, V
DS
= 0V
V
GS
= -25V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.2A
V
DS
= 40V ，我
D
= 8.2A
民
150
典型值
最大
单位
V
4
1
100
-100
2
118
5
750
175
70
17
35
100
80
90
34
4
153
A
nA
nA
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 75V ，我
D
= 15A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 25
48
40
46
26
6
12.5
V
DS
= 120V ，我
D
= 15A,
V
GS
= 10V
漏源二极管特性及最大额定值
15
1.5
A
V
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Limited只有最高温度允许的。
.Pulse宽度有限的安全工作区。
F 。全包我
S（ MAX）的
= 10A .
g.Full套餐五
SD
测试条件我
S
= 10A .
2
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