CEP01N6/CEB01N6
CEI01N6/CEF01N6
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP01N6
CEB01N6
CEI01N6
CEF01N6
V
DSS
650V
650V
650V
650V
R
DS （ ON）
15
15
15
15
I
D
1A
1A
1A
1A
e
@V
GS
10V
10V
10V
10V
D
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEI系列
TO-262(I2-PAK)
G
D
S
CEP系列
TO-220
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
重复性雪崩电流
操作和存储温度范围
TC = 25℃ ，除非另有说明
极限
符号
TO-220/263/262
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
f
P
D
E
AS
I
AS
T
J
,T
英镑
1
4
36
0.29
60
0.8
650
TO-220F
单位
V
V
±
30
1
e
A
A
W
W / C
mJ
A
C
4
e
28
0.22
-55到150
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
3.5
62.5
极限
4.5
65
单位
C / W
C / W
版本1 。
2005.December
1
http://www.cetsemi.com
CEP01N6/CEB01N6
CEI01N6/CEF01N6
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
c
Forwand跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
开启下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.4A
2
12
民
650
1
10
-10
4
15
典型值
最大
单位
V
A
A
A
6
V
g
FS
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.4A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
0.5
136
46
19
19
38
26
48
70
8
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.8
A
V
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.4A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 4.7
13
24
35
6
1.0
4.4
V
DS
= 480V ，我
D
= 0.8A,
V
GS
= 10V
漏源二极管特性及最大额定值
V
GS
= 0V时，我
S
= 0.8A
1.6
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
D.L = 190mH ，我
AS
= 0.8A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25 C .
e.Limited只有最高温度允许的。
F .Pulse宽度有限的安全工作区。
2
QQ：2880707522 复制
