【N沟道增强型网络场效晶体管特点500V ， 4.5A ，RDS （ ON）= 1.5 @VGS= 1】,IC型号CED830G,CED830G PDF资料,CED830G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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N沟道增强型网络场效晶体管

特点

500V ， 4.5A ，R

DS （ ON）

= 1.5 @V

GS

= 10V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 251 & TO- 252封装。

CED830G/CEU830G

初步

D

D

G

S

CEU系列

TO-252(D-PAK)

G

D

G

S

CED系列

TO-251(I-PAK)

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

,T

英镑

极限

500

单位

V

V

A

A

W

W / C

C

±

30

4.5

18

68

0.54

-55到150

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

极限

2.2

50

单位

C / W

C / W

这是在开发新产品的初步信息了。

详细信息如有变更，恕不另行通知。

1

修订版1 2009.Nov

http://www.cetsemi.com

CED830G/CEU830G

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

b

c

c

b

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

f

V

SD

V

GS

= 0V时，我

S

= 3.1A

V

DS

= 400V ，我

D

= 4A,

V

GS

= 10V

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 500V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 2.5A

V

DS

= 50V ，我

D

= 4A

2.5

1.2

7

595

90

20

15

14

30

10

13

2.5

5

4.5

1.6

30

28

60

20

17

民

500

1

100

-100

4

1.5

典型值

最大

单位

V

A

nA

nA

V

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

A

V

栅极阈值电压

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

V

DD

= 250V ，我

D

= 4A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 14

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

d.Limited只有最高温度允许的。

e.Pulse宽度有限的安全工作区。

2

CED830G/CEU830G

12

12

V

GS

=10,9,8,7V

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

10

8

6

4

2

0

10

8

6

4

25 C

2

0

T

J

=125C

-55 C

4

5

6

V

GS

=6V

V

GS

=4V

0

2

4

6

8

10

12

1

2

3

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

900

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

I

D

=2.5A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

750

600

450

300

150

0

CRSS

0

5

10

15

20

25

科斯

西塞

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

V

DS

=V

GS

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

V

GS

=0V

10

0

V

TH

归一化

门源阈值电压

I

D

=250A

10

-1

-25

0

25

50

75

100

125

150

10

-2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

3

CED830G/CEU830G

V

GS

，门源电压（ V）

10

8

6

4

2

0

V

DS

=400V

I

D

=4A

R

DS （ ON）

极限

I

D

，漏电流（ A）

100ms

10

1

4

1ms

10ms

DC

10

0

0

3

6

9

12

15

10

-1

T

C

=25 C

T

J

=150 C

单脉冲

10

0

10

1

10

2

10

3

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DD

t

on

V

IN

V

GS

R

根

G

R

L

D

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

10%

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

t

关闭

t

r

90%

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

倒

90%

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

10

-2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4

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