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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第737页 > CED703AL
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
30V ， 40A ，R
DS （ ON）
= 19MΩ @V
GS
= 10V.
R
DS （ ON）
= 32mΩ @V
GS
= 4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 251 & TO- 252封装。
CED703AL/CEU703AL
D
D
G
S
CEU系列
TO-252(D-PAK)
G
D
G
S
CED系列
TO-251(I-PAK)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
30
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
20
40
120
50
0.3
-65 175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
3
50
单位
C / W
C / W
规格及数据如有更改，恕不另行通知。
1
冯2. 2007.Jan
http://www.cetsemi.com
CED703AL/CEU703AL
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
Forwand跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
开启下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 25A
V
DS
= 24V ，我
D
= 25A,
V
GS
= 5V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
DS
= 10V ，我
D
= 25A
1
15
23
30
1345
275
85
19
4.5
85
17
10.2
3.2
4.2
40
1.3
38
9
170
34
民
30
1
100
-100
3
19
32
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
6
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 15V ，我
D
= 25A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 24
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
2
CED703AL/CEU703AL
40
V
GS
=10,8,7,6,5V
80
25 C
I
D
，漏电流（ A）
30
V
GS
=4V
I
D
，漏电流（ A）
60
20
40
10
20
T
J
=125 C
-55 C
2
3
4
5
6
V
GS
=3V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
1800
1500
1200
900
600
300
0
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
I
D
=25A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
西塞
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
V
GS
=0V
10
2
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=250A
10
1
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
CED703AL/CEU703AL
V
GS
，门源电压（ V）
5
4
3
2
1
0
V
DS
=10V
I
D
=25A
I
D
，漏电流（ A）
10
2
R
DS （ ON）
极限
100ms
1ms
10ms
10
1
DC
10
0
T
C
=25 C
T
J
=175 C
单脉冲
10
-1
6
10
0
0
3
6
9
12
10
1
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DD
t
on
V
IN
V
GS
R
根
G
R
L
D
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
10%
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
倒
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
10
-2
1. R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
2. R
θJA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P * R
θJA
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
方波脉冲持续时间（毫秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4
CED703AL/CEU703AL
2002年6月
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
30V ， 40A ，R
DS （ ON）
=19m
@V
GS
=10V.
R
DS （ ON）
=32m
@V
GS
=4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
6
G
D
G
S
G
D
S
CEU系列
TO-252AA(D-PAK)
CED系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
a
@T
J
=125 C
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
a
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
20
40
120
40
50
0.3
-65 175
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
最大功率耗散
a
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
6-47
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
CED703AL/CEU703AL
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
b
符号
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 25A
最小典型最大单位
30
1
V
A
100 nA的
1
15
23
60
30
1000
420
100
3
19
32
V
m
m
A
S
P
F
P
F
P
F
6
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征
a
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 15V,
I
D
=25A,
V
GS
= 10V,
R
根
=24
18
80
60
15
23
120
165
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
120 180
V
DS
= 10V ，我
D
= 25A,
V
GS
=5V
6-48
4
6
CED703AL/CEU703AL
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 25A
最小典型最大单位
0.93 1.3
V
漏源二极管的特性
b
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
40
V
GS
=10,8,7,6,5V
35
25 C
V
GS
=4V
30
T
J
=125 C
20
40
6
I
D
，漏电流（ A）
30
25
20
15
10
I
D
，漏电流（ A）
10
-55 C
0
V
GS
=3V
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
3000
3.0
图2.传输特性
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
=10V
2.5
2.0
TJ = 125℃
1.5
25 C
1.0
0.5
-55 C
0
0
10
20
30
40
2500
C，电容（pF ）
2000
1500
西塞
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
30
科斯
CRSS
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
6-49
CED703AL/CEU703AL
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
-50 -25
0
25 50
75
100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.15
1.06
1.04
1.02
1.00
0.98
0.96
0.94
-50 -25
I
D
=250 A
6
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
50
V
DS
=10V
图6.击穿电压变化
随温度
40
g
FS
，跨导（ S）
是，源极 - 漏极电流（ A）
40
30
20
10
5
0
0
10
20
30
40
10
1.0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16 20
24
28
32
QG ，总栅极电荷（ NC）
I
D
，漏电流（ A）
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
300
200
100
(
DS
)
ON
LIM
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
=10V
I
D
=25A
it
1m
s
10
10
0
s
s
R
10
10
m
DC
s
1
0.5
0.1
V
GS
=10V
单脉冲
TC = 25℃
1
10
30
60
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
6-50
图10.最大安全
工作区
CED703AL/CEU703AL
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
6
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
2
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
-4
-3
-2
-1
t
2
1. R
JA
（吨） = R （t）的R *
JA
2. R
JA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P
DM
* R
JA
(t)
4.占空比D = T
1
/t
2
10
10
10
1
10
10
方波脉冲持续时间（秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
6-51
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