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CED6060R/CEU6060R
2003年2月
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
6
60V ， 30A ，R
DS （ ON）
=25m
@V
GS
=10V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
G
S
G
D
S
D
G
CEU系列
TO-252AA(D-PAK)
CED系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@T
J
=125 C
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
20
30
120
30
50
0.3
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
JC
R
JA
6-42
3
50
C / W
C / W
CED6060R/CEU6060R
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
单脉冲漏源
雪崩能量
最大漏源
雪崩电流
符号
a
条件
V
DD
= 25V ，L = 25μH
R
G
=
25
最小典型最大单位
漏源雪崩额定值
E
AS
I
AS
200
30
mJ
A
6
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
b
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 24A
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 24A
V
DD
= 30V,
I
D
= 30A,
V
GS
= 10V,
R
根
= 7.5
60
25
V
A
100 nA的
基本特征
a
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
2
4
25
60
20
15
45
36
V
DS
= 48V ，我
D
= 30A,
V
GS
=10V
6-43
V
m
A
S
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
20
60
43
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
250 300
130 150
9
19
CED6060R/CEU6060R
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
动态特性
输入电容
b
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
条件
最小典型最大单位
1178
428
95
P
F
P
F
P
F
6
输出电容
反向传输电容
V
DS
=25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
漏源二极管的特性
b
二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V ，是= 24A
0.9
1.3
V
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
40
V
GS
=10,8,7V
35
6V
40
T
J
=125 C
25 C
30
I
D
，漏电流（ A）
25
V
GS
=5V
20
15
10
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4V
I
D
，漏电流（ A）
30
20
10
-55 C
0
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
图2.传输特性
6-44
CED6060R/CEU6060R
1800
3.0
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
=10V
2.5
2.0
TJ = 125℃
1.5
25 C
1.0
0.5
0
-55 C
1500
C，电容（pF ）
1200
900
600
西塞
科斯
300
CRSS
0
0
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
I
D
=250 A
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
50
图6.击穿电压变化
随温度
100
g
FS
，跨导（ S）
30
20
10
V
DS
=10V
0
0
10
20
30
40
是，源极 - 漏极电流（ A）
40
10
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
6-45
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
CED6060R/CEU6060R
15
V
GS
，门源电压（ V）
300
I
D
，漏电流（ A）
12
9
6
3
0
0
V
DS
=48V
I
D
=30A
100
R
D
O
S
(
L
N)
im
it
10
1m
10
0
10
s
s
s
10
V
GS
=10V
单脉冲
TC = 25℃
10
DC
ms
0m
s
6
1
6
12 18
24 30
36
42
48
1
10
60 100
QG ，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
图10.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
2
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.01
P
DM
t
1
t
2
1. R
JA
（吨） = R （t）的R *
JA
2. R
JA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P
DM
* R
JA
(t)
4.占空比D = T1 / T2
1
10
100
1000
10000
0.1
方波脉冲持续时间（毫秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
6-46
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