【CED6031L/CEU6031L1998年3月N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管特点630V ，】,IC型号CED6031L,CED6031L PDF资料,CED6031L经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第355页 > CED6031L

CED6031L/CEU6031L

1998年3月

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

特点

6

30V ， 55A ，R

DS （ ON）

=11m

@V

GS

=10V.

R

DS （ ON）

=15m

@V

GS

=4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力。

TO- 251 & TO- 252封装。

D

G

S

G

D

S

D

G

CEU系列

TO-252AA(D-PAK)

CED系列

TO-251(l-PAK)

S

绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续@T

J

=125 C

-Pulsed

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

@ T = 25℃

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

30

20

55

140

55

50

0.3

-55至175

单位

V

V

A

A

A

W

W / C

C

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

6-32

R

JC

R

JA

3

50

C / W

C / W

CED6031L/CEU6031L

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

b

符号

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

GS

= 16V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 5A

V

DS

= 10V, V

GS

= 10V

V

DS

= 10V ，我

D

= 26A

最小典型最大单位

30

1

V

A

6

100 nA的

1

1.6

8.5

12

55

32

1800

700

200

3

11

15

V

m

m

A

S

P

F

P

F

P

F

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态特性

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

=15V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

= 15V,

I

D

= 55A,

V

GS

= 10V,

V

根

= 24

10

190

55

130

27

16

250

90

200

33

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

= 24V ，我

D

= 48A,

V

GS

=5V

6-33

6

14

CED6031L/CEU6031L

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

V

SD

条件

V

GS

= 0V ， IS = 26A

最小典型最大单位

0.93 1.3

V

漏源二极管的特性

a

6

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

25

V

GS

=10,8,6,5,4V

20

40

50

25 C

I

D

，漏电流（ A）

15

I

D

，漏电流（ A）

30

10

V

GS

=3v

20

TJ = 125℃

10

-55 C

1

2

3

4

5

6

5

0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

00

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

3000

2500

2.2

图2.传输特性

R

DS （ ON）

归一化

漏源，导通电阻

V

GS

=10V

1.8

TJ = 125℃

1.4

25 C

1.0

0.6

0.2

0

-55 C

C，电容（pF ）

2000

1500

1000

西塞

科斯

500

00

5

10

15

CRSS

20

25

30

0

5

10

15

20

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.电容

图4.导通电阻变化与

漏电流和温度

6-34

CED6031L/CEU6031L

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250 A

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.6

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

ID = 250一

6

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

50

图6.击穿电压变化

随温度

50

g

FS

，跨导（ S）

是，源极 - 漏极电流（ A）

40

30

20

10

V

DS

=10V

0

0

5

10

15

20

10

1

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

10

I

D

，漏电流（ A）

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

300

200

100

R

DS

V

GS

，门源电压（ V）

8

6

4

2

0

0

V

DS

=24V

I

D

=48A

(O

L

N)

im

it

10

1m

10

ms

10

0m

DC

s

0

s

s

10

1

0.5

V

GS

=10V

单脉冲

TC = 25℃

6

12

18

24

30 36 42 48

0.1

1

10

30 60

QG ，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

6-35

图10.最大安全

工作区

CED6031L/CEU6031L

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

L

V

OUT

V

OUT

R

根

G

90%

10%

t

关闭

t

r

90%

t

D（上）

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

倒

6

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

2

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

1

D=0.5

0.2

0.1

0.1

P

DM

0.05

t

1

0.02

0.01

单脉冲

0.01

10

-5

-4

-3

-2

-1

t

2

1. R

JA

（吨） = R （t）的R *

JA

2. R

JA

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

A

= P

DM

* R

JA

(t)

4.占空比D = T

1

/t

2

10

10

10

1

10

10

方波脉冲持续时间（秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

6-36

CED6031L/CEU6031L

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

30V ， 55A ，R

DS （ ON）

= 11MΩ @V

GS

= 10V.

R

DS （ ON）

= 15MΩ @V

GS

= 4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 251 & TO- 252封装。

D

D

G

S

CEU系列

TO-252(D-PAK)

G

D

G

S

CED系列

TO-251(I-PAK)

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

,T

英镑

极限

30

单位

V

V

A

A

W

W / C

C

±

20

55

140

50

0.3

-55至175

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

极限

3

50

单位

C / W

C / W

1998.March

6 - 82

http://www.cetsemi.com

CED6031L/CEU6031L

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

b

c

c

b

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

V

GS

= 0V时，我

S

= 26A

0.93

V

DS

= 24V ，我

D

= 48A,

V

GS

= 5V

V

DD

= 15V ，我

D

= 55A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 24

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

GS

= -20V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 5A

V

DS

= 10V ，我

D

= 26A

1

1.6

8.5

12

32

1800

700

200

10

190

55

130

27

6

14

55

1.3

16

250

90

200

33

民

30

1

100

-100

3

11

15

典型值

最大

单位

V

A

nA

nA

V

m

m

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

A

V

6

栅极阈值电压

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

6 - 83

CED6031L/CEU6031L

25

V

GS

=10,8,6,5,4V

50

25 C

I

D

，漏电流（ A）

15

I

D

，漏电流（ A）

20

40

30

V

GS

=3V

10

20

5

10

T

J

=125 C

-55 C

0

0.0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0

2

4

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

3000

2500

2000

1500

1000

500

CRSS

0

0

5

10

15

20

25

西塞

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

科斯

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

I

D

=5A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

V

GS

=0V

2

V

TH

归一化

门源阈值电压

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

25

50

75

100

125

150

10

10

1

10

-25

0

0

0.2

0.6

1.0

1.4

1.8

2.2

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

6 - 84

CED6031L/CEU6031L

V

GS

，门源电压（ V）

10

V

DS

=24V

I

D

=48A

6

I

D

，漏电流（ A）

8

10

2

R

DS （ ON）

极限

100s

1ms

10ms

100ms

DC

10

1

4

2

10

0

0

12

24

36

48

0

T

C

=25 C

T

J

=175 C

单脉冲

10

-1

6

10

0

10

1

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-2

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

10

4

方波脉冲持续时间（毫秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

6 - 85

查看更多CED6031LPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

CED6031L

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

CED6031L

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市向鸿伟业电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：316279873 复制

点击这里给我发消息

QQ：2110158237 复制

点击这里给我发消息

QQ：932480677 复制

点击这里给我发消息

QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519

联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

CED6031L

CET

2413+

12000

TO-251

原装正品假一罚百/门市现货一只起售

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

CED6031L

CET

2443+

23000

TO-251

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市向鸿伟业电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：316279873 复制

点击这里给我发消息

QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545

联系人：李

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

CED6031L

CET

2411+

7198

TO-251

只有原装现货！有实单请明说！底价支持！

北京人上科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

CED6031L

√ 欧美㊣品

▲10/11+

10030

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

CED6031L

√ 欧美㊣品

▲10/11+

9534

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

深圳市华斯顿电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1002316308 复制

点击这里给我发消息

QQ：515102657 复制

电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

CED6031L

VB

25+23+

35500

TO-252

绝对原装进口现货！渠道优势供应!

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

CED6031L

VBSEMI/台湾微碧

21+

12720

TO-252

全新原装正品/质量有保证

深圳市莱利尔科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881689482 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881689480 复制

电话：0755-8322-5385 8277-7362

联系人：李先生

地址：深圳市福田区华富街道上步工业区501栋8楼808室

CED6031L

CET

1905+

35000

TO251

原装联系13691912091进口现货

深圳市恒达亿科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3004390991 复制

点击这里给我发消息

QQ：3004390992 复制

点击这里给我发消息

QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

CED6031L

CET

25+

4500

SOIC8

全新原装现货特价销售！

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

CED6031L

CET

21+

12000

全新原装正品/质量有保证

查询更多CED6031L供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！