【CED6030L/CEU6030L1998年3月N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管特点30V ， 4】,IC型号CED6030L,CED6030L PDF资料,CED6030L经销商,ic,电子元器件-51电子网

CED6030L/CEU6030L

1998年3月

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

特点

30V ， 40A ，R

DS （ ON）

=15.5m

@V

GS

=10V.

R

DS （ ON）

=22m

@V

GS

=4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力。

TO- 251 & TO- 252封装。

D

G

S

G

D

S

D

6

G

CEU系列

TO-252AA(D-PAK)

CED系列

TO-251(l-PAK)

S

绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续@T

J

=125 C

-Pulsed

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

@ T = 25℃

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

30

20

40

120

40

50

0.3

-55至175

单位

V

A

W

W / C

C

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

6-27

R

JC

R

JA

3

50

C / W

CED6030L/CEU6030L

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

开关特性

漏源击穿电压

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

b

符号

条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250A

V

DS

=24V, V

GS

=0V

V

GS

= 20V, V

DS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

D

=250A

V

GS

= 10V ，我

D

=20A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=18A

V

DS

=10V, V

GS

=10V

V

DS

= 10V ，我

D

=26A

最小典型最大单位

30

1

V

A

100 nA的

1

1.6

12

18.5

60

32

1315

525

110

3

22

V

m

A

S

P

F

P

F

P

F

6

零栅极电压漏极电流

门体漏

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

15.5 m

动态特性

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

=15V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

=15V,

I

D

= 40A,

V

根

= 10V,

R

GEN =

24

10

190

55

130

19

16

250

90

200

23

ns

nC

V

DS

= 24V ，我

D

= 40A,

V

GS

=5V

6-28

5

9

CED6030L/CEU6030L

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

V

SD

条件

V

GS

= 0V ， IS = 26A

最小典型最大单位

0.9

1.3

V

漏源二极管的特性

a

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

40

V

GS

=10,8,6,5,4V

35

40

25 C

50

6

I

D

，漏电流（ A）

25

20

15

V

GS

=3V

10

5

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

I

D

，漏电流（ A）

30

20

TJ = 125℃

10

-55 C

1

2

3

4

0

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

2400

1.6

图2.传输特性

R

DS （ ON）

归一化

漏源，导通电阻

V

GS

=10V

1.4

TJ = 125℃

1.2

25 C

1.0

-55 C

0.8

0.6

0.4

0

5

10

15

20

2000

C，电容（pF ）

1600

1200

800

400

0

5

10

15

西塞

科斯

CRSS

20

25

30

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.电容

图4.导通电阻变化与

漏电流和温度

6-29

CED6030L/CEU6030L

1.15

1.10

1.05

1.0

0.95

0.90

0.85

0.80

-50 -25

0

25 50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250 A

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.20

1.15

I

D

=250 A

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

6

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

50

图6.击穿电压变化

随温度

50

g

FS

，跨导（ S）

是，源极 - 漏极电流（ A）

40

30

20

10

V

DS

=10V

0

10

20

30

10

1.0

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

10

8

6

4

2

0

5

10

15

20

25

30

35

40

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

300

200

100

I

D

，漏电流（ A）

O

S

(

L

N)

im

V

GS

，门源电压（ V）

V

DS

=24V

I

D

=40A

it

100

1m

s

R

D

10

0m

DC

s

10

10m

s

1

0.5

V

GS

=10V

单脉冲

TC = 25℃

1

10

30

60

QG ，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

6-30

图10.最大安全

工作区

CED6030L/CEU6030L

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

6

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

2

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

1

D=0.5

0.2

0.1

P

DM

0.05

t

1

0.02

0.01

单脉冲

0.01

10

-5

-4

-3

-2

-1

t

2

1. R

JA

（吨） = R （t）的R *

JA

2. R

JA

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

A

= P

DM

* R

JA

(t)

4.占空比D = T

1

/t

2

10

1

10

方波脉冲持续时间（秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

6-31

CED6030L/CEU6030L

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

30V ， 40A ，R

DS （ ON）

= 15.5mΩ @V

GS

= 10V.

R

DS （ ON）

= 22MΩ @V

GS

= 4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 251 & TO- 252封装。

D

G

S

CEU系列

TO-252(D-PAK)

G

D

G

S

CED系列

TO-251(I-PAK)

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

,T

英镑

极限

30

单位

V

A

W

W / C

C

±

20

40

120

50

0.3

-55至175

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

极限

3

50

单位

C / W

1998.March

6 - 78

http://www.cetsemi.com

CED6030L/CEU6030L

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

Forwand跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

开启下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

bbbb

c

b

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

V

GS

= 0V时，我

S

= 26A

0.9

V

DS

= 24V ，我

D

= 40A,

V

GS

= 5V

V

DD

= 15V ，我

D

= 40A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 24

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

GS

= -20V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 20A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 18A

V

DS

= 10V ，我

D

= 26A

1

1.6

12

18.5

32

1315

525

110

10

190

55

130

19

5

9

40

1.3

16

250

90

200

23

民

30

1

100

-100

3

15.5

22

典型值

最大

单位

V

A

nA

V

m

S

pF

ns

nC

A

V

6

栅极阈值电压

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

6 - 79

CED6030L/CEU6030L

40

V

GS

=10,8,6,5,4V

50

25 C

I

D

，漏电流（ A）

30

I

D

，漏电流（ A）

40

30

20

V

GS

=3V

10

T

J

=125 C

-55 C

0

0.0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

1

2

3

4

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

1800

1500

西塞

1200

900

600

300

CRSS

0

5

10

15

20

25

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

科斯

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

I

D

=20A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

V

GS

=0V

2

V

TH

归一化

门源阈值电压

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

25

50

75

100

125

150

10

1

10

-25

0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

6 - 80

CED6030L/CEU6030L

V

GS

，门源电压（ V）

10

V

DS

=24V

I

D

=40A

I

D

，漏电流（ A）

8

10

2

R

DS （ ON）

极限

100s

1ms

10ms

100ms

DC

6

10

1

4

2

10

0

10

20

30

40

0

T

C

=25 C

T

J

=175 C

单脉冲

10

-1

6

10

0

10

1

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-2

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

10

4

方波脉冲持续时间（毫秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

6 - 81