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CED3055LA/CEU3055LA
2002年11月
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
6
30V ，12A ，R
DS （ ON）
=60m
@V
GS
=10V.
R
DS （ ON）
=90m
@V
GS
=5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
G
S
G
D
S
D
G
CEU系列
TO-252AA(D-PAK)
CED系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
20
12
45
12
31
0.25
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
JC
R
JA
6-12
4.0
50
C / W
C / W
CED3055LA/CEU3055LA
电气特性（T
C
=
25 C除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
b
符号
条件
V
GS
= 0V时，我
D=
250A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 5.0V ，我
D
=12A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 12A
最小典型最大单位
30
1
100
0.8
45
70
12
20
364
2.5
60
90
V
A
nA
V
m
m
A
S
P
F
P
F
P
F
C
4
6
基本特征
a
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
197
62
V
DD
= 15V,
I
D
= 12A
V
GS
= 10V,
R
根
=2.5
V
DS
= 15V ，我
D
= 6A
V
GS
= 10V
12
5
14
14
10
2
3
6-13
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
25
15
30
30
15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
CED3055LA/CEU3055LA
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ， IS = 12A
最小典型最大单位
0.9
1.3
V
漏源二极管的特性
a
6
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
30
V
GS
=10,9,8,7,6V
25
40
V
GS
=5V
50
25 C
I
D
，漏电流（ A）
20
15
I
D
，漏电流（ A）
30
V
GS
=4V
10
5
20
TJ = 125℃
10
-55 C
V
GS
=3V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
600
图2.传输特性
1.80
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
,
导通电阻（欧姆）
500
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
I
D
=12A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
400
300
西塞
科斯
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
CRSS
0.60
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
温度
6-14
CED3055LA/CEU3055LA
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
1.15
I
D
=250 A
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
6
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
50
图6.击穿电压变化
随温度
50
g
FS
，跨导（ S）
是，源极 - 漏极电流（ A）
40
30
20
V
DS
=10V
10
0
0
5
10
15
20
10
1.0
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
10
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
70
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=15V
I
D
=6A
20
10
R
D
S
(
)
ON
LIM
it
1m
10
ms
10
0
s
s
DC
1
0.5
1
V
GS
=10V
单脉冲
TC = 25℃
10
30
100
3
6
9
12
QG ，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
6-15
图10.最大安全
工作区
CED3055LA/CEU3055LA
4
V
IN
D
V
GS
V
DD
t
on
R
L
V
OUT
V
OUT
R
根
G
90%
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
倒
6
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
2
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
P
DM
t
1
t
2
1. R
JC
（吨） = R （t）的R *
JC
2. R
JC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
JC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
6-16
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