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CED2303/CEU2303
P沟道增强型场效应晶体管
特点
-30V , -9A ,R
DS ( ON)
=在200mΩ @V
GS
= -10V.
R
DS ( ON)
= 320mΩ @V
GS
= -4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
初步
D
G
S
CEU系列
TO-252(D-PAK)
G
D
G
S
CED系列
TO-251(I-PAK)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
-30
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
20
-9
-27
33
0.22
-55至175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
4.5
50
单位
C / W
C / W
2004.November
6 - 46
http://www.cetsemi.com
CED2303/CEU2303
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= -4.5A
V
DS
= -15V ,我
D
= -4.5A,
V
GS
= -10V
V
DD
= -15V ,我
D
= -1A,
V
GS
= -10V ,R
= 6
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V ,我
D
= -4.5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2.7A
V
DS
= -10V ,我
D
= -4.5A
5
230
90
20
10
10
20
6
6
0.8
1.5
-9
-1.5
20
20
35
20
10
-1
-30
-1
100
-100
-3
200
320
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
6
栅极阈值电压
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
6 - 47
CED2303/CEU2303
10
-V
GS
=10,8,6V
10
25 C
-I
D
,漏电流( A)
8
-V
GS
=2.0V
6
-V
GS
=2.5V
-I
D
,漏电流( A)
8
6
4
4
2
-V
GS
=1.5V
2
T
J
=125 C
0
-55 C
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
300
250
200
150
100
50
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
科斯
西塞
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
I
D
=-4.5A
V
GS
=-10V
C,电容(pF )
-50
0
50
100
150
200
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
-I
S
,源极 - 漏极电流( A)
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
10
10
0
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
6 - 48
CED2303/CEU2303
-V
GS
,门源电压( V)
10
V
DS
=-15V
I
D
=-4.5A
8
10
2
R
DS ( ON)
极限
-I
D
,漏电流( A)
10
1
6
1ms
10ms
100ms
DC
4
10
0
2
0
0
2
4
6
10
-1
T
C
=25 C
T
J
=175 C
单脉冲
0
6
10
1
10
10
2
QG ,总栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷
-V
DS
,漏源电压(V )
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D(上)
V
OUT
t
D(关闭)
90%
10%
t
f
10%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R(T ) ,归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1. R
θJC
(吨) = R (t)的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
方波脉冲持续时间(毫秒)
图11.归瞬态热阻抗曲线
6 - 49
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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