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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1597页 > CED21A2
CED21A2/CEU21A2
初步
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
6
20V， 20A ，R
DS （ ON）
=40m
@V
GS
=4.5V.
R
DS （ ON）
=70m
@V
GS
=2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
G
S
G
D
S
D
G
CEU系列
TO-252AA(D-PAK)
CED系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
12
20
60
20
38
0.25
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1
R
JC
R
JA
4
50
C / W
C / W
CED21A2/CEU21A2
电气特性（T
C
=
25 C除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
b
符号
条件
V
GS
= 0V时，我
D=
250A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 6.6A
V
DS
= 5V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 8A
最小典型最大单位
20
1
V
A
C
4
6
100 nA的
0.5
30
55
20
15
511
1.5
40
70
V
m
m
A
S
P
F
P
F
P
F
基本特征
a
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
216
73
V
DD
= 10V,
I
D
= 1A
V
GS
= 4.5V,
R
根
=6
V
DS
= 10V ，我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V
20
12
50
10
11
3.6
2.8
2
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
50
30
100
25
15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
CED21A2/CEU21A2
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 4A
最小典型最大单位
1.3
V
漏源二极管的特性
a
6
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
30
V
GS
=4.5,3.5,3V
25
V
GS
=2.5V
12
15
I
D
，漏电流（ A）
20
15
V
GS
=2V
10
5
0
0
1
2
3
4
I
D
，漏电流（ A）
9
6
25 C
3
TJ = 125℃
0.5
1
1.5
-55 C
2
2.5
V
GS
=1.5V
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
,
导通电阻（欧姆）
1000
图2.传输特性
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
-50
0
50
100
150
200
I
D
=8A
V
GS
=4.5V
800
C，电容（pF ）
600
400
西塞
科斯
200
CRSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
温度
3
CED21A2/CEU21A2
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
1.15
I
D
=250 A
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
6
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
20
图6.击穿电压变化
随温度
50
g
FS
，跨导（ S）
是，源极 - 漏极电流（ A）
16
12
8
4
V
DS
=10V
0
0
3
6
9
12
10
1.0
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
5
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
2
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=8A
V
DS
=10V
10
I
D
，漏电流（ A）
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
10
1
0
R
(
DS
)
ON
LIM
it
1s
10s
10ms
100ms
10
DC
10
-1
10
-2
T
A
=25 C
R
JA
=
50 C / W
单脉冲
10
0
10
1
10
2
10
-1
QG ，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
4
图10.最大安全
工作区
CED21A2/CEU21A2
4
V
IN
D
V
GS
V
DD
t
on
R
L
V
OUT
V
OUT
R
根
G
90%
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
倒
6
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
10
0
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
0.01
t
2
1. R
JC
（吨） = R （t）的R *
JC
2. R
JC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
JC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
10
-2
单脉冲
-3
10
10
-4
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
5
CED21A2/CEU21A2
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
20V， 20A ，R
DS （ ON）
= 40MΩ @V
GS
= 4.5V.
R
DS （ ON）
= 70mΩ @V
GS
= 2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
D
G
S
CEU系列
TO-252(D-PAK)
G
D
G
S
CED系列
TO-251(I-PAK)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
20
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
12
20
60
38
0.25
-55至175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
4
50
单位
C / W
C / W
2003.July
6 - 38
http://www.cetsemi.com
CED21A2/CEU21A2
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
Forwand跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 4A
V
DS
= 10V ，我
D
= 8A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V ，我
D
= 1A,
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V, V
DS
= 0V
V
GS
= -12V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 6.6A
V
DS
= 10V ，我
D
= 8A
0.5
30
55
15
511
216
73
20
12
50
10
11
3.6
2.8
20
1.3
50
30
100
25
15
民
20
1
100
-100
1.5
40
70
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
6
栅极阈值电压
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
6 - 39
CED21A2/CEU21A2
30
V
GS
=4.5,3.5,3.0V
V
GS
=2.0V
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
V
GS
=1.5V
15
25 C
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
12
9
V
GS
=2.5V
6
3
T
J
=125 C
0
0.5
1.0
1.5
-55 C
2.0
2.5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
900
750
600
450
300
科斯
150
0
0
5
10
15
20
25
CRSS
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
西塞
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
I
D
=8A
V
GS
=4.5V
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
25
50
75
100
125
150
10
10
0
10
-25
0
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
6 - 40
CED21A2/CEU21A2
V
GS
，门源电压（ V）
5
V
DS
=8V
I
D
=10A
10
2
R
DS （ ON）
极限
I
D
，漏电流（ A）
4
10ms
10
1
100ms
1s
10s
DC
3
10
0
2
1
10
-1
0
0
3
6
9
12
10
-2
T
C
=25 C
T
J
=175 C
单脉冲
10
-1
6
10
0
10
1
10
2
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
10
0
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
0.02
10
-2
0.01
t
1
t
2
1. R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
单脉冲
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
5
10
3
10
4
10
5
方波脉冲持续时间（毫秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
6 - 41
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