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CED02N6/CEU02N6
2002年12月
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
600V ， 1.9A ，R
DS （ ON）
=5
@V
GS
=10V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
6
G
D
G
S
G
D
S
CEU系列
TO-252AA(D-PAK)
CED系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续（TC = 25℃）
- 连续（TC = 100℃ ）
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储Temperautre范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
600
30
1.9
1.2
6
6
43
0.34
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
6-77
R
JC
R
JA
2.9
50
C / W
C / W
CED02N6/CEU02N6
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
单脉冲漏源
雪崩能量
最大漏源
雪崩电流
符号
a
条件
V
DD
= 50V ，L = 60mH
R
G
=9.1
最小典型最大单位
漏源雪崩额定值
6
E
AS
I
AS
125
2
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
b
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
V
DS
= 50V ，我
D
= 1A
V
DD
= 300V,
I
D
= 2A,
V
GS
= 10V
R
根
=18
600
25
V
A
100 nA的
基本特征
a
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
2
3.8
2
1.2
18
18
50
16
20
V
DS
= 480V ，我
D
= 2A,
V
GS
=10V
6-78
4
5.0
V
A
S
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
35
35
90
40
25
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
2
12
CED02N6/CEU02N6
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
动态特性
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
SD
V
GS
= 0V ， IS = 2A
V
DS
=25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
250
50
30
1.5
P
F
P
F
P
F
符号
条件
最小典型最大单位
6
漏源二极管的特性
a
V
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
3.0
V
GS
=10,9,8,7V
2.5
I
D
，漏电流（ A）
2.0
1.5
1.0
I
D
，漏电流（ A）
150 C
1
V
GS
=6V
V
GS
=5V
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
-55 C
25 C
1.V
DS
=40V
2.Pulse测试
0.1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
图2.传输特性
6-79
CED02N6/CEU02N6
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
,
导通电阻（欧姆）
600
500
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
-50
0
50
100
150
200
I
D
=1A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
西塞
6
1.30
1.20
1.10
1.0
0.90
0.80
0.70
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.电容
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
图4.导通电阻变化与
温度
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
I
D
=250 A
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
0.60
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
4
图6.击穿电压变化
随温度
20
10
V
GS
=0V
g
FS
，跨导（ S）
V
DS
=50V
3
2
是，源极 - 漏极电流（ A）
0
1
2
3
4
1
1
0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
6-80
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
CED02N6/CEU02N6
V
GS
，门源电压（ V）
15
12
9
6
3
0
0
6
12
18
24
QG ，总栅极电荷（ NC）
10
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
=480V
I
D
=2A
100
s
1
R
D
S
(O
N
im
)L
it
10ms
DC
1ms
0.1
T
C
=25C
TJ = 25℃
单脉冲
1
10
100
500 1000
0.01
6
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
图10.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
2
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1. R
JC
（吨） = R （t）的R *
JC
2. R
JC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
JC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
1
10
100
1000
10000
0.01
0.01
0.1
方波脉冲持续时间（毫秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
6-81
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