【CED01N6/CEU01N6N沟道增强型网络场效晶体管特点650V ， 0.9A ，RDS （ O】,IC型号CED01N6,CED01N6 PDF资料,CED01N6经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CED01N6/CEU01N6

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

650V ， 0.9A ，R

DS （ ON）

= 15

@V

GS

= 10V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 251 & TO- 252封装。

D

D

G

S

CEU系列

TO-252(D-PAK)

G

D

G

S

CED系列

TO-251(I-PAK)

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

E

AS

I

AS

T

J

,T

英镑

极限

650

单位

V

V

A

A

W

W / C

mJ

A

C

±

30

0.9

3.6

31

0.25

60

0.8

-55到150

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

单脉冲雪崩能量

d

雪崩电流

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

极限

4

50

单位

C / W

C / W

版本1 。

2005.Decemcer

1

http://www.cetsemi.com

CED01N6/CEU01N6

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

动态特性

c

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

b

c

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 0.4A

2

12

民

650

1

10

-10

4

15

典型值

最大

单位

V

A

A

A

6

V

g

FS

b

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

V

DS

= 20V ，我

D

= 0.4A

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

0.5

136

46

19

19

38

26

48

70

8

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

0.8

A

V

V

DD

= 300V ，我

D

= 0.4A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 4.7

13

24

35

6

1.0

4.4

V

DS

= 480V ，我

D

= 0.8A,

V

GS

= 10V

漏源二极管特性及最大额定值

V

GS

= 0V时，我

S

= 0.8A

1.6

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

D.L = 190mH ，我

AS

= 0.8A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25 C .

2

CED01N6/CEU01N6

1.5

V

GS

=10,9,8V

2.5

25 C

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

=6V

0.9

I

D

，漏电流（ A）

1.2

2.0

1.5

0.6

1.0

0.3

0.5

T

J

=125 C

0.0

-55 C

4

5

6

7

V

GS

=5V

0.0

0

5

10

15

20

25

1

2

3

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

240

200

160

120

80

科斯

40

0

0

5

10

15

20

25

CRSS

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

西塞

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

I

D

=0.4A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

V

GS

=0V

0

V

TH

归一化

门源阈值电压

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

25

50

75

100

125

150

10

10

-1

10

-25

0

-2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

3

CED01N6/CEU01N6

V

GS

，门源电压（ V）

10

V

DS

=480V

I

D

=0.8A

I

D

，漏电流（ A）

8

R

DS （ ON）

极限

10

0

100s

1ms

10ms

DC

6

4

10

-1

2

0

0

1

2

3

4

5

6

10

-2

T

C

=25 C

T

J

=150 C

单脉冲

10

0

6

10

1

10

2

10

3

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-2

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

10

4

方波脉冲持续时间（毫秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4

CED01N6/CEU01N6

初步

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

特点

600V ， 1.3A ，R

DS （ ON）

=7.5

@V

GS

=10V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力。

TO- 251 & TO- 252封装。

D

G

D

G

S

G

D

S

CEU系列

TO-252AA(D-PAK)

CED系列

TO-251(l-PAK)

S

绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续（TC = 25℃）

- 连续（TC = 100℃ ）

漏电流脉冲

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

@ T = 25℃

减免上述25℃

工作和存储Temperautre范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

极限

600

30

1.3

0.85

3.9

1.3

35

0.29

-55到150

单位

V

V

A

A

A

A

W

W / C

C

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

1

R

JC

R

JA

3.5

50

C / W

C / W

CED01N6/CEU01N6

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

单脉冲漏源

雪崩能量

最大漏源

雪崩电流

符号

a

条件

V

DD

= 50V ，L = 95mH

R

G

=25

最小典型最大单位

漏源雪崩额定值

E

AS

I

AS

90

1.3

mJ

A

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

b

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 0.65A

V

DS

= 50V ，我

D

= 0.65A

V

DD

= 300V,

I

D

= 1A,

V

GS

= 10V

R

根

=25

600

25

V

A

100 nA的

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向跨导

2

5.5

0.9

6

25

10

20

8

V

DS

= 480V ，我

D

= 1A,

V

GS

=10V

1.3

3

2

4

7.5

V

S

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

18

50

30

50

12

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

CED01N6/CEU01N6

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

动态特性

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的正向电压

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

SD

V

GS

= 0V ，是= 1.3A

V

DS

=25V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

200

30

10

1.5

P

F

P

F

P

F

符号

条件

最小典型最大单位

漏源二极管的特性

a

V

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

1.2

V

GS

=10,9,8,7V

1.0

I

D

，漏电流（ A）

0.8

0.6

0.4

I

D

，漏电流（ A）

150 C

0.1

V

GS

=6V

V

GS

=5V

0.2

0

0

1

2

3

4

5

6

-55 C

25 C

1.V

DS

=40V

2.Pulse测试

0.01

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

图2.传输特性

3

CED01N6/CEU01N6

R

DS （ ON）

归一化

R

DS （ ON）

,

导通电阻（欧姆）

300

250

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

-50

0

50

100

150

200

I

D

=0.65A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

西塞

200

150

科斯

100

50

CRSS

0

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T

J

，结温（ C）

图3.电容

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.30

1.20

1.10

1.0

0.90

0.80

0.70

0.60

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250 A

图4.导通电阻变化与

温度

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

I

D

=250 A

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

1

图6.击穿电压变化

随温度

2

V

GS

=0V

g

FS

，跨导（ S）

V

DS

=50V

0.75

0.5

0.25

0

0

0.25

0.5

0.75

1.0

是，源极 - 漏极电流（ A）

1

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

4

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

CED01N6/CEU01N6

V

GS

，门源电压（ V）

15

12

9

6

3

0

0

3

6

9

12

QG ，总栅极电荷（ NC）

10

V

DS

=480V

I

D

=1A

I

D

，漏电流（ A）

100s

1

S

RD

(O

N)

Li

t

mi

1ms

10ms

DC

0.1

T

C

=25C

TJ = 150℃

单脉冲

1

10

100

500 1000

0.01

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

图10.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

2

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

1

D=0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.01

0.01

P

DM

t

1

t

2

1. R

JC

（吨） = R （t）的R *

JC

2. R

JC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

JC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

0.1

1

10

100

1000

10000

方波脉冲持续时间（毫秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

5

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