【CEPF634/CEBF6342002年11月N沟道增强型网络场效晶体管特点250V ， 8.1A 】,IC型号CEBF634,CEBF634 PDF资料,CEBF634经销商,ic,电子元器件-51电子网

CEPF634/CEBF634

2002年11月

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

250V ， 8.1A ，R

DS （ ON）

=450m

@VGS=10V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力。

的TO-220 &的TO- 263封装。

D

4

D

G

D

S

G

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

CEP系列

TO-220

S

绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

@ T = 25℃

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

250

30

8.1

32

8.1

74

0.59

-55到150

单位

V

A

W

W / C

C

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

R

JC

R

JA

4-27

1.7

62

C / W

CEPF634/CEBF634

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

4

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

b

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 250V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 5.1A

V

GS

= 10V, V

DS

= 10V

V

DS

= 50V ，我

D

= 5.1A

最小典型最大单位

250

25

V

A

100 nA的

2

4

450

10

4.4

630

100

40

V

m

A

S

P

F

P

F

P

F

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态特性

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

=25V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

= 125V,

I

D

= 5.6A,

V

GS

= 10V,

R

根

= 12

19

11

46

10

26

40

30

90

30

33

ns

nC

V

DS

= 200V ，我

D

= 5.6A,

V

GS

=10V

4-28

5

11

CEPF634/CEBF634

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

V

SD

条件

V

GS

= 0V ，是= 8.1A

最小典型最大单位

0.9

1.5

V

4

漏源二极管的特性

a

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

12

V

GS

=10,9,8,7V

10

I

D

，漏电流（ A）

8

V

GS

=6V

6

4

2

I

D

，漏电流（ A）

1

150 C

-55 C

V

GS

=5V

25 C

1.V

DS

=40V

2.Pulse测试

V

GS

=4V

0

1

2

3

4

5

6

0.1

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

R

DS （ ON）

归一化

R

DS （ ON）

,

导通电阻（欧姆）

900

750

图2.传输特性

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

-50

0

50

100

150

200

I

D

=5.1A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

西塞

600

450

300

150

0

10

20

30

40

50

科斯

CRSS

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T

J

，结温（ C）

图3.电容

图4.导通电阻变化与

温度

4-29

CEPF634/CEBF634

1.20

1.10

1.0

0.90

0.80

0.70

0.60

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250 A

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.30

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

I

D

=250 A

4

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

6

V

DS

=50V

图6.击穿电压变化

随温度

20

10

V

GS

=0V

g

FS

，跨导（ S）

4

3

2

1

0

2

4

6

8

是，源极 - 漏极电流（ A）

5

1

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

10

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

V

GS

，门源电压（ V）

S

8

6

4

2

0

N)

V

DS

=200V

I

D

=5.6A

I

D

，漏电流（ A）

10

1

R

D

LIM

10

it

0

s

1m

(O

s

10

m

s

D

C

10

0

T

C

=25 C

TJ = 150℃

单脉冲

10

1

10

2

10

3

7

14

21

28

10

-1

10

0

QG ，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

4-30

图10.最大安全

工作区

CEPF634/CEBF634

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

4

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

10

0

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

D=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

10

-2

10

-1

P

DM

t

1

t

2

1. R

JC

（吨） = R （t）的R *

JC

2. R

JC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

JC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

单脉冲

10

-3

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

4-31

CEPF634/CEBF634

CEIF634/CEFF634

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

TYPE

CEPF634

CEBF634

CEIF634

CEFF634

V

DSS

250V

R

DS （ ON）

0.45

I

D

8.1A

d

@V

GS

10V

D

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。

D

G

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

G

D

S

CEI系列

TO-262(I2-PAK)

G

D

S

CEP系列

TO-220

G

D

S

CEF系列

TO-220F

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

TC = 25℃ ，除非另有说明

极限

符号

TO-220/263/262

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

e

P

D

T

J

,T

英镑

8.1

32

74

0.59

250

TO-220F

单位

V

±

30

8.1

38

0.3

-55到150

d

A

W

W / C

C

32

d

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

1.7

62.5

极限

3.3

65

单位

C / W

2006.July

1

http://www.cetsemi.com

CEPF634/CEBF634

CEIF634/CEFF634

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

b

c

b

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

f

V

SD

V

GS

= 0V时，我

S

= 8.1A

0.9

V

DS

= 200V ，我

D

= 5.6A,

V

GS

= 10V

V

DD

= 125V ，我

D

= 5.6A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 12

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 250V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 5.1A

V

DS

= 50V ，我

D

= 5.1A

4.4

630

100

40

19

11

46

10

26

5

11

8.1

1.5

40

30

90

30

33

2

民

250

25

100

-100

4

0.45

典型值

最大

单位

V

A

4

nA

V

S

pF

ns

nC

A

V

栅极阈值电压

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

d.Limited只有最高温度允许的。

.Pulse宽度有限的安全工作区。

F 。全包我

S（ MAX）的

= 6A .

2

CEPF634/CEBF634

CEIF634/CEFF634

12

V

GS

=10,9,8,7V

10

8

10

1

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

=6V

6

4

2

I

D

，漏电流（ A）

10

0

T

J

=150 C

-55 C

V

GS

=5V

V

GS

=4V

0

1

2

3

4

5

6

10

-1

25 C

2

4

6

1.V

DS

=40V

2.Pulse测试

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

1200

1000

800

600

400

200

0

10

20

30

40

50

科斯

CRSS

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

西塞

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

I

D

=5.1A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

V

GS

=0V

1

V

TH

归一化

门源阈值电压

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

10

0

10

-25

0

25

50

75

100

125

150

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

3

CEPF634/CEBF634

CEIF634/CEFF634

V

GS

，门源电压（ V）

10

V

DS

=200V

I

D

=5.6A

R

DS （ ON）

极限

100s

1ms

10ms

DC

10

0

I

D

，漏电流（ A）

8

4

10

1

6

4

2

0

4

8

12

16

20

24

28

10

-1

T

C

=25 C

T

J

=150 C

单脉冲

10

0

10

1

10

2

10

3

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

10

0

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

D=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

-2

10

-1

10

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-3

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4