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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第698页 > CEB658N
CEP658N/CEB658N
CEF658N
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP658N
CEB658N
CEF685N
V
DSS
180V
180V
180V
R
DS （ ON）
0.22
0.22
0.22
I
D
16A
16A
16A
d
初步
@V
GS
10V
10V
10V
D
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEP系列
TO-220
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
TC = 25℃ ，除非另有说明
极限
符号
TO-220/263
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
e
P
D
T
J
,T
英镑
16
64
125
1.0
180
TO-220F
单位
V
V
±
20
16
40
0.32
d
A
A
W
W / C
C
64
d
-55到150
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
1.0
62.5
极限
3.1
65
单位
C / W
C / W
这是在开发新产品的初步信息了。
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
冯2. 2006.Oct
http://www.cetsemi.com
CEP658N/CEB658N
CEF658N
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
动态特性
c
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
2
0.2
民
180
25
100
-100
4
0.22
典型值
最大
单位
V
A
4
nA
nA
V
栅极阈值电压
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
f
V
SD
V
DS
= 10V ，我
D
= 9A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
10.8
760
155
60
17
35
60
170
75
32
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
16
A
V
V
DD
= 100V ，我
D
= 11A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 9.1
32
90
38
25
5.4
12
V
DS
= 160V ，我
D
= 16A,
V
GS
= 10V
漏源二极管特性及最大额定值
V
GS
= 0V时，我
S
= 16A
g
1.5
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Limited只有最高温度允许的。
.Pulse宽度有限的安全工作区。
F 。全包我
S（ MAX）的
= 9.8A .
2
CEP658N/CEB658N
CEF658N
12
10
8
6
4
2
0
0.0
50
25 C
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=10,9,8,7,6V
I
D
，漏电流（ A）
40
30
V
GS
=5V
20
T
J
=125 C
-55 C
10
V
GS
=4V
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
1200
1000
西塞
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
I
D
=16A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
10
1
10
0
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
CEP658N/CEB658N
CEF658N
V
GS
，门源电压（ V）
10
10
V
DS
=160V
I
D
=16A
2
R
DS （ ON）
极限
100s
I
D
，漏电流（ A）
8
4
10
1
1ms
10ms
DC
6
4
10
0
2
0
0
5
10
15
20
25
10
-1
T
C
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
0
10
10
1
10
2
10
3
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1. R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4
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