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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1298页 > CEB60N10
CEP60N10/CEB60N10
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
100V ， 60A ，R
DS （ ON）
= 23.5mΩ @V
GS
= 10V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
的TO-220 &的TO- 263封装。
D
初步
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEP系列
TO-220
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AS
T
J
,T
英镑
极限
100
单位
V
V
A
A
W
W / C
mJ
A
C
±
20
60
240
200
1.3
148
46
-55至175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
单脉冲雪崩电流
d
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
0.75
62.5
单位
C / W
C / W
2004.December
4 - 114
http://www.cetsemi.com
CEP60N10/CEB60N10
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
Forwand跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
开启下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 60A
V
DS
= 80V ，我
D
= 30A,
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V ，我
D
= 30A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 2.5
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
DS
= 15V ，我
D
= 30A
2
19
26
1620
670
240
19
17
40
13
65
19
23
60
1.3
28
34
80
26
84
民
100
1
100
-100
4
23.5
典型值
最大
单位
V
A
4
nA
nA
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
D.L = 700μH ，我
AS
= 46A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25 C
4 - 115
CEP60N10/CEB60N10
120
V
GS
=10,9V
100
100
I
D
，漏电流（ A）
80
60
V
GS
=8V
I
D
，漏电流（ A）
80
60
V
GS
=7V
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
40
25 C
20
T
J
=125 C
0
0
2
4
6
8
-55 C
V
GS
=6V
V
GS
=5V
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
2400
2000
西塞
1600
1200
800
400
0
0
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
I
D
=30A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
2
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
25
50
75
100
125
150
10
10
1
10
-25
0
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
4 - 116
CEP60N10/CEB60N10
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
=80V
I
D
=30A
10
3
R
DS （ ON）
极限
I
D
，漏电流（ A）
8
4
10s
100s
1ms
DC
10
2
6
4
10
1
2
0
0
12
24
36
48
60
72
10
0
T
C
=25 C
T
J
=175 C
单脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1. R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
2. R
θJA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P * R
θJA
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
方波脉冲持续时间（毫秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4 - 117
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