【N沟道增强型网络场效晶体管特点60V ， 28A ，RDS （ ON）= 40MΩ @VGS= 10】,IC型号CEB20N06,CEB20N06 PDF资料,CEB20N06经销商,ic,电子元器件-51电子网

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

60V ， 28A ，R

DS （ ON）

= 40MΩ @V

GS

= 10V.

R

DS （ ON）

= 50mΩ的@V

GS

= 4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

的TO-220 &的TO- 263封装。

CEP20N06/CEB20N06

D

G

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

G

D

S

CEP系列

TO-220

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续@ T

C

= 25 C

@ T

C

= 100 C

漏电流脉冲

a

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

,T

英镑

极限

60

单位

V

A

W

W / C

C

±

20

28

20

112

50

0.4

-55至175

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

极限

3

50

单位

C / W

详细信息如有变更，恕不另行通知。

1

修订版1 2010.Dec

http://www.cetsemi.com

CEP20N06/CEB20N06

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

b

c

b

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

GS

= -20V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 14A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 10A

1

30

35

750

110

70

16

5

38

6

V

DS

= 30V ，我

D

= 5.3A,

V

GS

= 10V

22.2

32

4.7

28

V

GS

= 0V时，我

S

= 28A

1.5

32

10

76

12

29

民

60

1

100

-100

3

40

50

典型值

最大

单位

V

A

nA

V

m

pF

ns

nC

A

V

栅极阈值电压

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

V

DD

= 30V ，我

D

= 4.4A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 1

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

2

CEP20N06/CEB20N06

25

V

GS

=10,8,6,5V

20

15

10

5

0

0.0

50

40

30

20

25 C

10

0

T

J

=125 C

0.0

1.5

3

-55 C

4.5

6

7.5

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

=4.0V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

I

D

，漏电流（ A）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

900

750

600

450

300

150

0

科斯

CRSS

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

I

D

=14A

V

GS

=10V

西塞

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

C，电容（pF ）

0

6

12

18

24

30

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

V

DS

=V

GS

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

V

GS

=0V

10

2

V

TH

归一化

门源阈值电压

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

I

D

=250A

10

1

10

-25

0

25

50

75

100

125

150

0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

3

CEP20N06/CEB20N06

V

GS

，门源电压（ V）

10 V =30V

DS

I

D

=5.3A

10

3

I

D

，漏电流（ A）

8

6

4

2

0

10

2

R

DS （ ON）

极限

100us

10

1

1ms

10ms

DC

10

0

4

8

12

16

20

24

10

-1

T

A

=25 C

T

J

=150 C

单脉冲

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DD

t

on

V

IN

V

GS

R

根

G

R

L

D

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

10%

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

t

关闭

t

r

90%

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

倒

90%

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

10

-2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4

CEP20N06/CEB20N06

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

60V ， 25A ，R

DS （ ON）

= 55mΩ @V

GS

= 10V.

R

DS （ ON）

= 75mΩ @V

GS

= 4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

的TO-220 &的TO- 263封装。

D

G

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

G

D

S

CEP系列

TO-220

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

,T

英镑

极限

60

单位

V

A

W

W / C

C

±

20

25

70

83

0.56

-55至175

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

极限

1.8

62.5

单位

C / W

2004.June

4 - 58

http://www.cetsemi.com

CEP20N06/CEB20N06

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

Forwand跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

b

c

b

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

V

GS

= 0V时，我

S

= 15A

V

DS

= 30V ，我

D

= 15A,

V

GS

= 10V

V

DD

= 30V ，我

D

= 1A,

V

GS

= 10V ，R

根

=6

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

GS

= -20V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10 V，I

D

= 20A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 15A

V

DS

= 10 V，I

D

= 20A

1

42

55

9

890

173

21

12

7

34

9

19

2.8

3.6

25

1.3

25

20

65

30

25

民

60

1

100

-100

3

55

75

典型值

最大

单位

V

A

4

nA

V

m

S

pF

ns

nC

A

V

栅极阈值电压

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

4 - 59

CEP20N06/CEB20N06

25

50

V

GS

=10,8,6,5V

25 C

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

20

V

GS

=3V

40

15

30

10

20

5

V

GS

=4V

10

T

J

=125 C

-55 C

0

1

2

3

4

5

0

1

2

3

4

5

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

1500

1250

1000

750

500

250

0

5

10

15

20

25

科斯

CRSS

西塞

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

I

D

=20A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

10

2

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

V

GS

=0V

V

TH

归一化

门源阈值电压

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

25

50

75

100

125

150

10

1

10

-25

0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

4 - 60

CEP20N06/CEB20N06

V

GS

，门源电压（ V）

10

V

DS

=30V

I

D

=15A

I

D

，漏电流（ A）

8

10

2

R

DS （ ON）

极限

4

100s

1ms

10ms

100ms

DC

6

4

10

1

2

0

5

10

15

20

10

0

T

C

=25 C

T

J

=175 C

单脉冲

10

0

10

1

10

2

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-2

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

10

4

方波脉冲持续时间（毫秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4 - 61