【N沟道增强型网络场效晶体管特点TYPECEP05N65CEB05N65CEF05N65VDSS650】,IC型号CEB05N65,CEB05N65 PDF资料,CEB05N65经销商,ic,电子元器件-51电子网

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N沟道增强型网络场效晶体管

特点

TYPE

CEP05N65

CEB05N65

CEF05N65

V

DSS

650V

650V

650V

R

DS （ ON）

2.4

2.4

2.4

I

D

4.5A

4.5A

4.5A

d

CEP05N65/CEB05N65

CEF05N65

@V

GS

10V

10V

10V

D

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

D

G

G

D

S

G

CEP系列

TO-220

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

G

D

S

CEF系列

TO-220F

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

TC = 25℃ ，除非另有说明

极限

符号

TO-220/263

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

e

P

D

T

J

,T

英镑

4.5

18

84

0.67

650

TO-220F

单位

V

V

±

30

4.5

40

0.32

-55到150

d

A

A

W

W / C

C

18

d

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

1.5

62.5

极限

3.8

65

单位

C / W

C / W

详细信息如有变更，恕不另行通知。

1

冯三2009.Nov

http://www.cetsemi.com

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

动态特性

c

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

b

c

b

CEP05N65/CEB05N65

CEF05N65

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 650V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 2A

2

2

民

650

25

100

-100

4

2.4

典型值

最大

单位

V

A

4

nA

nA

V

栅极阈值电压

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

V

DS

= 40V ，我

D

= 2A

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

4

590

85

20

17

16

47

17.5

13

2

5

4.5

34

32

94

35

17

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

A

V

V

DD

= 300V ，我

D

= 4.5A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 25

V

DS

= 480V ，我

D

= 4.5A,

V

GS

= 10V

漏源二极管特性及最大额定值

V

GS

= 0V时，我

S

= 2A

1.5

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

D.L = 1MH ，我

AS

= 1.3A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25 C

2

CEP05N65/CEB05N65

CEF05N65

6

9

7.5

6

4.5

3

1.5

0

T

J

=125C

I

D

，漏电流（ A）

4

3

2

I

D

，漏电流（ A）

5

V

GS

=10,8,7V

1

0

0.0

V

GS

=5V

25 C

-55 C

4

5

6

5

10

15

20

25

30

1

2

3

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

1200

1000

800

600

400

200

0

科斯

CRSS

0

5

10

15

20

25

西塞

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

I

D

=2A

V

GS

=10V

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

C，电容（pF ）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

V

DS

=V

GS

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

V

GS

=0V

10

1

V

TH

归一化

门源阈值电压

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

I

D

=250A

10

0

-25

0

25

50

75

100

125

150

10-1

0.4

0.7

1.0

1.3

1.7

2.0

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

3

CEP05N65/CEB05N65

CEF05N65

V

GS

，门源电压（ V）

10

8

6

4

2

0

V

DS

=480V

I

D

=4.5A

10

2

I

D

，漏电流（ A）

4

10

1

R

DS （ ON）

极限

1ms

10ms

100ms

DC

10

0

0

3

6

9

12

15

10

-1

T

C

=25 C

T

J

=175 C

单脉冲

10

0

10

1

10

2

10

3

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DD

t

on

V

IN

V

GS

R

根

G

R

L

D

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

10%

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

t

关闭

t

r

90%

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

倒

90%

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

10

0

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

D=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

t

2

10

-1

10

-2

单脉冲

10

-3

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

-5

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4

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CEB05N65

CET

2443+

23000

TO-263

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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VB

25+23+

35500

T0-263

绝对原装进口现货！渠道优势供应!

北京元坤国际科技有限公司

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地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

CEB05N65

C

21+

15360

T0-263

全新原装正品/质量有保证

深圳市百域芯科技有限公司

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联系人：王小姐

地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507

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CET/華瑞

21+

100000

TO263/D2PAK

北京首天伟业科技有限公司

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联系人：刘经理

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