权证24 01
P沟道增强型场效应晶体管
特点
●
●
●
●
超级高密度电池设计低R
DS ( ON)
坚固可靠
简单
驱动要求
SOT- 23封装
产品概述
V
DSS
-20V
I
D
-3.6A
R
DS ( ON)
( MΩ)典型值
95@ V
GS
=-4.5V
115 @ V
GS
=-2.5V
D
注: CE2401可
在无铅封装
S
G
绝对最大信号额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流Continuous @ TJ = 125 ℃
- 脉冲
d
b
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
,T
英镑
极限
-20
±12
-3.6
-11
-1.25
1.25
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
←
漏源二极管正向Current
最大功率Dissipationa
工作结存储
温度范围
热特性
热阻,结到Ambient
RTH
A
100
℃/W
1
权证24 01
电气特性的影响( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
二极管的正向电压
V
SD
V
GS
=0V,I
S
=-1.25A
-0.81
-1.2
V
笔记
一。表面安装在FR4板,T ≦ 10秒
B 。脉冲测试:脉冲宽度≦ 300US ,占空比≦ 2 %
。通过设计保证,不受生产测试。
-V
GS
=2.5V
-V
GS
=10.5~3.5V
-I
D
,漏电流( A)
-V
GS
=1.5V
-
V
DS
,漏极至源极电压( V)
-I
D
,漏电流( A)
-
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
图2.Transfer特点
R
DS ( ON)
,导通电阻(
mΩ)
VGS=-4.5V
ID=-4A
C,电容(pF )
- VGS ,漏极至源极电压
Figure3.Capacitance
4所示。导通电阻变化与
温度
3
权证24 01
门源阈值电压
1.3
BV
DSS
归一化
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
--50
-25
0
25
V
DS
=V
GS
I
D
=-250uA
排水渠源击穿
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
--50 -25
0
25
50 75 100 125
ID=-250uA
Vth时,归一化
50
75 100 125
TJ ,.结温( ℃ )
TJ , .Junction温度(℃ )
Figure5.Gate阈值变化
随温度
Figure6.Breakdown电压变化
随温度
FS ,跨导( S)
21
20
-is ,源极 - 漏极电流( A)
10
18
15
12
9
6
3
V
GS
=-5V
0
0
5
10
15
20
25
30
1
0
0.6
0.8
1.0
1.2
Tj=25℃
1.4
1.6
-I
DS
,漏源电流(A )
-V
SD
,体二极管正向电压
Figure7.Transconductance变化
与漏极电流
5
Figure8.Body二极管正向电压
变化与源电流
50
10
-V
GS
,门源电压
V
DS
=-10V
I
D
=-3.0A
3
2
-I
D
,漏电流( A)
4
1
0.1
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0.03
0.1
1
10 20
50
Q
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏源电压(V )
Figure9 。栅极电荷
Figure10.Maximum安全工作区
4