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CTD100 ， CDT100
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
符号
测试条件
特征值
15
1.74
0.85
3.2
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
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=-40
o
C
V
D
=2/3V
DRM
V
D
=2/3V
DRM
1.5
1.6
100
200
0.25
10
200
150
2
典型值。
185
170
45
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
0.22
0.11
0.42
0.21
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
I
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, I
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V
T
, V
F
V
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I
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I
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I
L
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H
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t
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Q
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I
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R
thJC
R
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d
S
d
A
a
I
T
, I
F
= 300A ;吨
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=T
VJM
)
T
VJ
=25
o
℃;吨
p
= 30US ; V
D
=6V
I
G
= 0.45A ;迪
G
/dt=0.45A/us
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 0.45A ;迪
G
/dt=0.45A/us
T
VJ
=T
VJM
; I
T
= 150A ;吨
p
= 200us的; -di / DT = 10A /美
V
R
= 100V ;的dv / dt = 20V / us的; V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=T
VJM
; I
T
, I
F
= 50A ; -di / DT = 6A /美
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
* UL注册，E 72873
*门阴极双引脚1版
应用
*直流电机控制
*软启动交流电机控制器
*光，热，温
控制
优势
*空间和减轻重量
*安装简单用两个螺丝
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
DEECorp 。
CTD100 ， CDT100
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
图。 1浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化（1-10毫秒）
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125
o
C
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25
o
C
3: I
GT
, T
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= -40
o
C
3
1
1
4
2
5
6
4: P
GAV
= 0.5 W
I
GD
, T
VJ
= 125
o
C
0.1
10
0
10
1
10
2
5: P
GM
=
5W
6: P
GM
= 10 W
10
3
I
G
mA
10
4
图。 3功耗与通态电流和环境温度
（每晶闸管或二极管）
图。 4门极触发特性
1000
T
VJ
= 25
o
C
s
t
gd
典型值。
100
极限
10
3× CTD / CDT100
1
10
100
I
G
mA
1000
图。 5三相整流桥：功耗与直接输出电流
和环境温度
图。 6门极触发延迟时间
DEECorp 。
CTD100 ， CDT100
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
图。 7三相交流控制器：
功耗与RMS
输出电流和环境
温度
3× CTD / CDT100
图。 8瞬态热阻抗
结到外壳（每晶闸管或
二极管）
R
thJC
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
（K / W）
0.22
0.23
0.25
0.27
0.28
常量Z的
thJC
计算方法：
i
1
2
3
R
THI
（K / W）
0.0066
0.0678
0.1456
t
i
(s)
0.0019
0.0477
0.344
图。 9瞬态热阻抗
结到散热器（每晶闸管
或二极管）
R
thJK
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
（K / W）
0.42
0.43
0.45
0.47
0.48
常量Z的
thJK
计算方法：
i
1
2
3
4
R
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（K / W）
0.0066
0.0678
0.1456
0.2
t
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(s)
0.0019
0.0477
0.344
1.32
DEECorp 。
CTD100 ， CDT100
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
符号
测试条件
特征值
15
1.74
0.85
3.2
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
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o
C
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o
C
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T
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o
C
V
D
=2/3V
DRM
V
D
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DRM
1.5
1.6
100
200
0.25
10
200
150
2
典型值。
185
170
45
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
0.22
0.11
0.42
0.21
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
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uC
A
K / W
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2
I
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A
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I
T
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C
对于只功率损耗的计算（T
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= 30US ; V
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G
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G
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VJM
; I
T
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= 200us的; -di / DT = 10A /美
V
R
= 100V ;的dv / dt = 20V / us的; V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=T
VJM
; I
T
, I
F
= 50A ; -di / DT = 6A /美
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
* UL注册，E 72873
*门阴极双引脚1版
应用
*直流电机控制
*软启动交流电机控制器
*光，热，温
控制
优势
*空间和减轻重量
*安装简单用两个螺丝
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
DEECorp 。
CTD100 ， CDT100
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
图。 1浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化（1-10毫秒）
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125
o
C
V
V
G
2: I
GT
, T
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= 25
o
C
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, T
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= -40
o
C
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1
1
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GAV
= 0.5 W
I
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, T
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= 125
o
C
0.1
10
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10
1
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=
5W
6: P
GM
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10
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I
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10
4
图。 3功耗与通态电流和环境温度
（每晶闸管或二极管）
图。 4门极触发特性
1000
T
VJ
= 25
o
C
s
t
gd
典型值。
100
极限
10
3× CTD / CDT100
1
10
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I
G
mA
1000
图。 5三相整流桥：功耗与直接输出电流
和环境温度
图。 6门极触发延迟时间
DEECorp 。
CTD100 ， CDT100
晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块
图。 7三相交流控制器：
功耗与RMS
输出电流和环境
温度
3× CTD / CDT100
图。 8瞬态热阻抗
结到外壳（每晶闸管或
二极管）
R
thJC
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
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0.22
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常量Z的
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计算方法：
i
1
2
3
R
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（K / W）
0.0066
0.0678
0.1456
t
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(s)
0.0019
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图。 9瞬态热阻抗
结到散热器（每晶闸管
或二极管）
R
thJK
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
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C
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（K / W）
0.42
0.43
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0.48
常量Z的
thJK
计算方法：
i
1
2
3
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（K / W）
0.0066
0.0678
0.1456
0.2
t
i
(s)
0.0019
0.0477
0.344
1.32
DEECorp 。
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CAT5118SDI-50-GT10
CY37128P84-125JXI
CD74AC151M
CB1RSU3915533290653
CML3A2CT8R
CY7C1041BL-20VXC
CD74HCT238EE4
CO27NH09DD-02-10.000
CD15FD361J03
CY7C1049B-15VXC
CMDD4448
C512G102K1CX5CM
CFRA152
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厂家
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