CDP68HC68T1
数据表
2007年10月29日
FN1547.8
CMOS串行实时时钟采用RAM
和电源检测/控制
该CDP68HC68T1实时时钟提供了一个
时间/日历功能，一个32字节的静态RAM ，和一个3线
串行外设接口（SPI总线） 。其主要功能
时钟是将向下一个频率输入，可以是
通过板载振荡器结合的供给
外部晶振或外部时钟源。内部
振荡器可以使用32kHz时，为1MHz ， 2MHz的，或4MHz的操作
水晶。外部时钟源具有32kHz时，为1MHz ， 2MHz的，
4MHz时， 50Hz或60Hz的频率可以被用来驱动
CDP68HC68T1 。时间寄存器保存秒，分，
和时间，而日历寄存器保存一天，一周，
日期，月份和年份信息。该数据被存储在BCD码
格式。此外， 12或24小时的操作可以选择。
12小时模式，一个AM / PM指示提供。在T1
具有可编程输出，可提供1七
输出用在系统的其它地方。
计算机握手被控制以“线或”中断
输出。中断可以被编程，以提供一个信号，作为
的结果：
1.一种警报编程为发生在一个预定的
组合的秒，分和小时。
2.一个15周期的中断，从亚秒到
每天一次的频率。
3.电源故障检测。 PSE的输出和V
SYS
输入是
用于外部功率控制。该CPUR输出
可重设下的掉电处理器
条件。 CPUR在软件控制下启用，
也可以通过CDP68HC68T1的看门狗激活。如果
启用时，看门狗要求CE的周期性切换
无针串行传输。
特点
SPI （串行外设接口）
全时钟特点
- 秒，分钟，小时（ 12/24 ， AM / PM ） ，日
星期，日期，月份，年份（ 099 ） ，闰年自动
32 Wordx8位RAM
秒，分钟，小时报警
自动功率损耗检测
较低的最低待机（计时）电压。 。 。 。 。 2.2V
可选的晶体或50 / 60Hz的线路输入
缓冲时钟输出
电池输入引脚的振荡器的权力，也
连接到V
DD
引脚当电源出现故障
三个独立的中断模式
- 警报
- 定期
- 掉电检测
无铅可（符合RoHS ）
引脚配置
CDP68HC68T1
（ 16 LD PDIP ， SOIC ）
顶视图
CLKOUT
CPUR
INT
SCK
MOSI
MISO
CE
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
DD
15 XTAL OUT
14 XTAL IN
13 V
BATT
12 V
SYS
11号线
10 POR
9
PSE
CLK出
CPUR
INT
NC
SCK
MOSI
MISO
CE
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
CDP68HC68T1
（ 20 LD SOIC ）
顶视图
20 VDD
19 XTAL OUT
18 XTAL IN
17 NC
16 V
BATT
15 V
SYS
14 NC
13 NC
第12行
11 POR
PSE 10
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有哈里斯公司1997年版权所有Intersil公司美洲2001年， 2004-2007年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
CDP68HC68T1
订购信息
产品型号
CDP68HC68T1E
CDP68HC68T1EZ （注）
CDP68HC68T1M*
CDP68HC68T1MZ * （注）
CDP68HC68T1M2*
CDP68HC68T1M2Z * （注）
最热
CDP68HC68T1E
CDP68HC68T1EZ
68HC68T1M
68HC68T1MZ
HC68T1M2
HC68T1M2Z
温度范围（ ℃）
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP **
（无铅）
20 Ld的SOIC
磁带和卷轴
20 Ld的SOIC （无铅）
磁带和卷轴
16 Ld的SOIC
磁带和卷轴
16 Ld的SOIC （无铅）
磁带和卷轴
PKG DWG 。 ＃
E16.3
E16.3
M20.3
M20.3
M16.3
M16.3
*添加“ 96 ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接工艺应用。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板加退火 - E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
2
FN1547.8
2007年10月29日
CDP68HC68T1
绝对最大额定值
电源电压（V
DD
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压（V
IN
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
电流消耗每输入引脚（不包括V
DD
和V
SS
一）。 。 。 。 。 10毫安
漏电流每路输出引脚一。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
16 Ld的PDIP * 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
16 Ld的SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
20 Ld的SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
最高结温（塑料） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围（T
英镑
） 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
*无铅PDIPs可用于通孔波焊处理
只。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
工作条件
电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.0V至+ 6.0V
待机（计时）电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.2V至+ 6.0V
温度范围
CDP68HC68T1E （ PDIP封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
CDP68HC68T1M / M2 （ SOIC封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
输入电压
输入高。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ 0.7× V
DD
）到V
DD
输入低。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至（ 0.3× V
DD
)
串行时钟频率（f
SCK
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.0V至+ 6.0V
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
静电特定网络阳离子
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
DD
= V
BATT
= 5V ± 5 ％ ，除非另有说明。
CDP68HC68T1
参数
静态电流器件
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入漏电流
三态输出漏电流
工作电流（注3）
(I
D
+ I
B
) V
DD
= V
B
= 5V
振的工作原理
符号
I
DD
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
I
IN
I
OUT
32kHz
1MHz
2MHz
4MHz
XTAL时钟（方波） （注3 ）
(I
D
+ I
B
) V
DD
= V
S
= 5V
32kHz
1MHz
2MHz
4MHz
待机电流（注3 ）
V
S
= 3V
振的工作原理
I
B
32kHz
1MHz
2MHz
4MHz
I
OH
= -1.6mA ，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1.6毫安，V
DD
= 4.5V
I
OH
≤
10μA ，V
DD
= 4.5V
I
OL
≤
10μA ，V
DD
= 4.5V
测试条件
民
-
3.7
-
典型值
（注2 ）
1
-
-
-
-
-
-
0.08
0.5
0.7
1
0.02
0.1
0.2
0.4
20
200
300
500
最大
10
-
0.4
-
0.1
±1
±10
-
-
-
-
0.024
0.12
0.24
0.5
-
-
-
-
单位
A
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
4.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
FN1547.8
2007年10月29日
CDP68HC68T1
静电特定网络阳离子
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
DD
= V
BATT
= 5V ± 5 ％ ，除非另有说明。
（续）
CDP68HC68T1
参数
工作电流（注3）
V
DD
= 5V, V
B
= 3V
振的工作原理
符号
测试条件
民
典型值
（注2 ）
I
D
32kHz
1MHz
2MHz
4MHz
待机电流（注3 ）
V
B
= 2.2V
振的工作原理
输入电容
最大上升和下降时间
（除XTAL输入和POR引脚10 ）
输入电压（线路输入脚位，权意识
模式）
V
SYS
＆ GT ; V
B
V
T
（对于V
B
没有内部连接到V
DD
)
上电复位（ POR ）脉冲宽度
注意事项：
2.典型的数值为T
A
= + 25 ° C和标称V
DD
.
3.时钟输出（引脚1 ）禁用，输出开路。没有串行存取周期。
I
B
32kHz
-
-
-
-
-
0.025
0.08
0.15
0.3
10
I
B
0.015
0.15
0.25
0.4
最大
-
-
-
-
-
-
单位
mA
mA
mA
mA
mA
A
C
IN
t
r
, t
f
V
IN
= 0, T
A
= +25°C
-
-
-
-
-
2
2
-
12
-
-
pF
s
s
V
V
ns
0
-
100
10
1.0
75
动态电连接特定的阳离子
总线时序V
DD
±10%, V
SS
= 0V
DC
, T
A
= -40 ° C至+ 85°C
极限（所有类型）
鉴定
数
1
2
3
4
5
7
8
11
12
A
B
C
V
DD
= 3.3V
参数
芯片使能建立时间
芯片的时钟后保持时间启用
时钟宽高
时钟宽度低
在时钟建立时间数据
时钟到数据传输延迟
芯片禁用到输出高Z
输出上升时间
输出下降时间
数据在时钟后保持时间
时钟到数据输出有效
时钟恢复时间
符号
t
EVCV
t
CVEX
t
WH
t
WL
t
DVCV
t
CVDV
t
EXQZ
t
r
t
f
t
CVDX
t
CVQX
t
REC
民
200
250
400
400
200
-
-
-
-
200
-
200
最大
-
-
-
-
-
200
200
200
200
-
200
-
民
100
125
200
200
100
-
-
-
-
100
-
200
V
DD
= 5V
最大
-
-
-
-
-
100
100
100
100
-
100
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
FN1547.8
2007年10月29日
CDP68HC68T1
数据表
2006年3月17日
FN1547.7
CMOS串行实时时钟采用RAM
和电源检测/控制
该CDP68HC68T1实时时钟提供了一个
时间/日历功能，一个32字节的静态RAM ，和一个3线
串行外设接口（SPI总线） 。其主要功能
时钟是将向下一个频率输入，可以是
通过板载振荡器结合的供给
外部晶振或外部时钟源。内部
振荡器可以使用32kHz时，为1MHz ， 2MHz的，或4MHz的操作
水晶。外部时钟源具有32kHz时，为1MHz ， 2MHz的，
4MHz时， 50Hz或60Hz的频率可以被用来驱动
CDP68HC68T1 。时间寄存器保存秒，分，
和时间，而日历寄存器保存一天，一周，
日期，月份和年份信息。该数据被存储在BCD码
格式。此外， 12或24小时的操作可以选择。
12小时模式，一个AM / PM指示提供。在T1
具有可编程输出，可提供1七
输出用在系统的其它地方。
计算机握手被控制以“线或”中断
输出。中断可以被编程，以提供一个信号，作为
的结果： 1）一个警报编程为发生在一个
预定的秒，分和小时的组合; 2 ）
15周期性中断1 ，从亚秒一次
每天频率; 3 ）电源失效检测。该PSE输出
在V
SYS
输入用于外部功率控制。该CPUR
输出可重设下的掉电处理器
条件。 CPUR是由软件控制，并能启用
也可以通过CDP68HC68T1的看门狗激活。如果
启用时，看门狗要求CE引脚的周期性切换
没有一个串行传输。
特点
SPI （串行外设接口）
全时钟特点
- 秒，分钟，小时（ 12/24 ， AM / PM ） ，日
星期，日期，月份，年份（ 0-99 ） ，闰年自动
32字×8位的RAM
秒，分钟，小时报警
自动功率损耗检测
较低的最低待机（计时）电压。 。 。 。 。 2.2V
可选的晶体或50 / 60Hz的线路输入
缓冲时钟输出
电池输入引脚的振荡器的权力，也
连接到V
DD
引脚当电源出现故障
三个独立的中断模式
- 警报
- 定期
- 掉电检测
无铅加退火有（符合RoHS ）
引脚配置
CDP68HC68T1 （ PDIP ， SOIC ）
顶视图
CLKOUT
CPUR
INT
SCK
MOSI
MISO
CE
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
DD
15 XTAL OUT
14 XTAL IN
13 V
BATT
12 V
SYS
11号线
10 POR
9
PSE
CLK出
CPUR
INT
NC
SCK
MOSI
MISO
CE
V
SS
CDP68HC68T1 （ SOIC ）
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 VDD
19 XTAL OUT
18 XTAL IN
17 NC
16 V
BATT
15 V
SYS
14 NC
13 NC
第12行
11 POR
PSE 10
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有哈里斯公司1997年版权所有Intersil公司美洲2001年， 2004-2006年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
订购信息
产品型号
CDP68HC68T1E
CDP68HC68T1EZ
（注）
CDP68HC68T1M*
CDP68HC68T1MZ*
（注）
CDP68HC68T1M2*
最热
CDP68HC68T1E
温度
范围
(°C)
PKG
包装DWG 。 ＃
E16.3
-40到85 16 Ld的PDIP
CDP68HC68T1EZ -40 85 16 Ld的PDIP ** E16.3
（无铅）
68HC68T1M
68HC68T1MZ
HC68T1M2
-40到85 20 Ld的SOIC
-40到85 20 Ld的SOIC
（无铅）
-40到85 16 Ld的SOIC
-40到85 16 Ld的SOIC
（无铅）
M20.3
M20.3
M16.3
M16.3
CDP68HC68T1M2Z * HC68T1M2Z
（注）
*添加“ 96 ”后缀TAOE和卷轴。
**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。
他们不打算在回流焊接工艺中使用。应用程序。
在整个说明书中针数引用指的是含铅16
PDIP / SOIC 。见引脚交叉引用。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡兼容
和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2
FN1547.7
2006年3月17日
绝对最大额定值
电源电压，V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
电流消耗每输入引脚不包括V
DD
和V
SS
我。 。 。 。 。 。 10毫安
漏电流每路输出引脚，我。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
16 Ld的PDIP * 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
16 Ld的SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
20 Ld的SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
最高结温（塑料） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围（T
英镑
） 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC ，导线头只）
*无铅PDIPs可用于通孔波焊处理
只。他们不打算在回流焊接工艺中使用。
应用程序。
工作条件
电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.0V至+ 6.0V
待机（计时）电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.2V至+ 6.0V
温度范围
CDP68HC68T1E （ PDIP封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
CDP68HC68T1M / M2 （ SOIC封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ 0.7× V
DD
）到V
DD
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至（ 0.3× V
DD
)
串行时钟频率（f
SCK
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.0V至+ 6.0V
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
静电特定网络阳离子
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
DD
= V
BATT
= 5V
±5%,
除非另有说明。
CDP68HC68T1
参数
静态器件电流I
DD
输出电压高LevelV
OH
输出电压低LevelV
OL
输出电压高LevelV
OH
输出电压低LevelV
OL
输入漏电流I
IN
三态输出漏电流I
OUT
工作电流（注3）
(I
D
+ I
B
) V
DD
= V
B
= 5V
振的工作原理
32kHz
1MHz
2MHz
4MHz
引脚14
外部时钟（方波） （注3 ）
(I
D
+ I
B
) V
DD
= V
S
= 5V
32kHz
1MHz
2MHz
4MHz
待机电流（注3 ）I
B
V
S
= 3V
振的工作原理
32kHz
1MHz
2MHz
4MHz
工作电流（注3）
V
DD
= 5V, V
B
= 3V
振的工作原理
I
OH
= -1.6mA ，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1.6毫安，V
DD
= 4.5V
I
OH
≤
10μA ，V
DD
= 4.5V
I
OL
≤
10μA ，V
DD
= 4.5V
条件
民
-
3.7
-
（注2 ）
典型值
1
-
-
-
-
-
-
0.08
0.5
0.7
1
0.02
0.1
0.2
0.4
20
200
300
500
I
D
I
B
15
0.15
0.25
0.4
最大
10
-
0.4
-
0.1
±1
±10
0.01
0.6
0.84
1.2
0.024
0.12
0.24
0.5
25
250
360
600
I
D
30
0.1
0.18
0.36
I
S
20
0.18
0.3
0.5
单位
A
V
4.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
mA
A
mA
32kHz
1MHz
2MHz
4MHz
-
-
-
-
25
0.08
0.15
0.3
3
FN1547.7
2006年3月17日
静电特定网络阳离子
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
DD
= V
BATT
= 5V
±5%,
除非另有说明。
（续）
CDP68HC68T1
参数
待机电流（注3 ）I
B
V
B
= 2.2V
振的工作原理
输入电容C
IN
最大上升和下降Timest
r
, t
f
（除XTAL输入和POR引脚10 ）
输入电压（线路输入引脚只，功率检测模式）
V
SYS
＆ GT ; V
B
V
T
（对于V
B
没有内部连接到V
DD
)
上电复位（ POR ）脉冲宽度
注意事项：
2.典型的数值为T
A
= 25 ° C和标称V
DD
.
3.时钟输出（引脚1 ）禁用，输出开路。没有串行存取周期。
条件
32kHz
民
-
（注2 ）
典型值
10
最大
12
单位
A
V
IN
= 0, T
A
= 25°C
-
-
0
-
100
-
-
10
1.0
75
2
2
12
-
-
pF
s
V
V
ns
4
FN1547.7
2006年3月17日
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