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CDP68HC68P1
数据表
2003年9月
FN1858.3
CMOS串行的8位输入/输出端口
该CDP68HC68P1是串行处理的8位
输入/输出端口,它允许字节或个别位控制。它
包括三个寄存器,一个输出缓冲器和控制逻辑。
数据通过移位寄存器移位的装置和出
利用SPI(串行外围接口)总线。在I / O端口
数据流是由数据方向寄存器控制,
数据被存储在数据寄存器,其输出或感测
逻辑电平的缓冲I / O引脚。所有的输入,包括
串行接口是施密特触发。该器件还
拥有一个比较函数比较数据寄存器
和4个可编程的条件和设置端口引脚值
软件可访问的标志,如果条件满足。该
写的时候用户也有位设置或位明确的选择
的数据寄存器中。
特点
全静态工作
工作电压范围3-6V
兼容Intersil公司/摩托罗拉SPI总线
2个外部地址引脚连接到V
DD
或V
SS
最多允许
4设备共享同一芯片启用
多功能位设置和位清除能力
接受要么SCK时钟极性 - SCK电压电平是
当锁存芯片使能变为有效
所有输入都是施密特触发器
8位I / O端口 - 每一位都可以单独编程
作为输入或输出端通过一个8位的数据方向寄存器
可编程板载比较
PKG 。
订购信息
产品型号
CDP68HC68P1E
CDP68HC68P1M
温度。
RANGE (
o
C)
-55到85
-55到85
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
比较信息给CPU的同时传输
在读或写 - 单独的访问不要求
E16.3
M16.15
引脚
CDP68HC68P1
( PDIP , SOIC )
顶视图
ID
0
1
ID
1
2
MISO 3
MOSI 4
SCK 5
CE 6
DO 7
V
SS
8
16 V
DD
15 D1
14 D2
13 D3
12 D4
11 D5
10 D6
9 D7
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
CDP68HC68P1
MOSI
MISO
移位寄存器
CE
SCK
ID
1
ID
0
控制
逻辑
比较
方向
注册
输入/输出
方向
注册
D0 - D7
图1.单端口的I / O框图
芯片
启用
DATA IN
数据输出
时钟
CE
CDP68HC68P1
MOSI
MISO
SCK
ID
0
ID
1
D0 - D7
I / O端口
数据
IN / OUT
芯片
IDENTIFY
图2.单端口I / O
引脚说明
ID
0
, ID
1
-
芯片识别引脚,通常连接到V
DD
到V
SS
.
这些引脚的4种可能的组合让4个I / O ,以
共享一个公共的芯片使能。当水平这些引脚
匹配的标识位中的控制字,串行
总线处于开启状态。该芯片识别引脚将保持它们
先前的逻辑状态,如果车驾行变为Hi -Z 。
MISO -
主入从出引脚。数据字节移出
在这个引脚最显著位第一。当芯片使能
信号为高电平时,该引脚为Hi -Z 。
MOSI -
主出从入引脚。数据字节都在移位
该引脚最显著位第一。该引脚将保留其
先前的逻辑状态,如果它的驱动线变为高阻。
SCK -
串行时钟输入。这将导致输入的串行数据是
从MOSI输入锁存和移出的MISO
输出。
CE认证 -
负的芯片使能输入。高向低过渡
该引脚锁定无效SCK极性和比较FL股份公司
及指示数据传送的开始。串行接口
逻辑使能,只有当CE为低电平。该引脚将保留其
先前的逻辑状态,如果它的驱动线变为高阻。
D0 -D7 -
I / O端口引脚。单个可编程输入或
输出。
V
DD
和V
SS
-
正和负电源线。
除了电源线和MISO引脚都具有
施密特触发器缓冲输入。
2
CDP68HC68P1
绝对最大额定值
直流电源电压范围( V
DD
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
(电压参考V
SS
终奌站)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
功耗每包(P
D
)
T
A
= -40
o
C至60
o
C(封装类型E) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .500mW
T
A
= 60
o
C至85
o
C(封装类型E)
减免线性的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12MW /
o
C至200mW的
T
A
= -40
o
C至60
o
C(封装类型M) (注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 .300mW
T
A
= 60
o
C至85
o
C(封装类型M) (注1 )
减免线性的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为5mW /
o
C至175MW
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
NA
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
NA
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100mW
T
A
=全包温度范围(所有封装类型)
最大存储温度范围(T
英镑
) . . . -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒)
在距离1 / 16英寸
±
1 / 32英寸( 1.59
±
0.79mm) . . . . . . . . . . .265
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
)
封装类型E,M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至85
o
C
直流工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3V最小,最大6V
串行时钟频率f
SCK
, V
DD
= 3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.05MHz最大
串行时钟频率f
SCK
, V
DD
= 4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1MHz的最大
输入电压范围,V
IH
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DD
+ 0.3V最大
输入电压范围,V
IL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V敏
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.印刷电路板安装: 57毫米X 57毫米最小面积×厚1.6mm G10环氧玻璃,或同等学历。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
静电特定网络阳离子
T
A
= -40
o
C至85
o
C,V
DD
= 3.3V ±10 % ,除非另有说明。
参数
输出电压
符号
V
OH
V
OL
输入电压
D0 - D7
正触发阈值
负触发阈值
迟滞
输入电压
ID
0
, ID
1
, MOSI , SCK ,CE
正触发阈值
负触发阈值
迟滞
输入漏电流
待机电流的设备
三态输出漏电流
操作装置电流(注4 )
输入电容
注意事项:
3.典型的数值为T
A
= 25
o
C和标称V
DD
.
4.输出开路;周期时间=最小。吨
周期
,占空比为100 % 。
V
P
V
N
V
IH
I
IN
I
DDS
I
OUT
I
OPER
C
IN
V
IN
= V
IL
, V
IH
V
IN
= 0V , F = 1MHz的,T
A
= 25
o
C
1.3
0.8
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
0.1
4
1.9
1.2
0.95
±1
15
±10
1
6
V
V
V
A
A
A
mA
pF
V
P
V
N
V
IH
1.85
0.85
0.85
-
-
-
2.4
1.35
1.25
V
V
V
TEST
条件
I
OH
= -0.4mA ,V
DD
= 3V
I
OL
= 0.4毫安,V
DD
= 3V
2.7
-
(注3)
典型值
-
-
最大
-
0.3
单位
V
V
3
CDP68HC68P1
静电特定网络阳离子
在T
A
= -40
o
C至85
o
C,V
DD
= 5V ±10 % ,除非另有说明。
参数
输出电压
符号
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
输入电压
D0 - D7
正触发阈值
负触发阈值
迟滞
输入电压
ID
0
, ID
1
, MOSI , SCK ,CE
正触发阈值
负触发阈值
迟滞
输入漏电流
待机电流的设备
三态输出漏电流
工作电流器件
(注6 )
输入电容
注意事项:
5.典型值对于T
A
= 25
o
C和标称V
DD
.
6.输出开路;周期时间=最小,T
周期
,占空比为100 % 。
V
P
V
N
V
IH
I
IN
I
DDS
I
OUT
I
OPER
C
IN
V
IN
= V
IL
, V
IH
V
IN
= 0V , F = 1MHz的,T
A
= 25
o
C
3.15
1.7
1.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
0.2
4
3.85
2.25
1.7
±1
15
±10
2
6
V
V
V
A
A
A
mA
pF
V
P
V
N
V
IH
2.15
1.35
0.8
-
-
-
3.05
2
1.2
V
V
V
TEST
条件
I
OH
= -1.6mA ,V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1.6毫安,V
DD
= 4.5V
I
OH
20μA ,V
DD
= 4.5V
I
OL
20μA ,V
DD
= 4.5V
3.7
-
4.4
-
(注5 )
典型值
-
-
-
-
最大
-
0.4
-
0.1
单位
V
V
V
V
动态电连接特定的阳离子 - 总线时序
V
DD
±10%, V
SS
= 0V DC ,T
A
= -40
o
C至85
o
C, C
L
= 200pF的。
参见图8和9 。
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 5V
100
125
200
200
100
100
-
-
-
-
-
200
最大
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
芯片使能建立时间
芯片的时钟后保持时间启用
时钟宽高
时钟宽度低
数据在时钟的建立时间
数据在时钟后保持时间
时钟到数据传输延迟
芯片禁用到输出高Z
输出上升时间
输出下降时间
时钟到数据输出档案
时钟恢复时间
符号
t
EVCV
t
CVEX
t
WH
t
WL
t
DVCV
t
CVDX
t
CVDV
t
EXQZ
t
r
t
f
t
CVQX
t
REC
200
250
400
400
200
200
-
-
-
-
-
200
最大
-
-
-
-
-
-
200
200
200
200
200
-
4
CDP68HC68P1
波形
MISO
C07
C06
比较标志
D7
D6
t
r
, t
f
D0
MOSI
X
C07
C06
t
DVCV
C05
C04
C00
t
DVCV
D7
D6
D0
X
t
CVDX
CE
t
WL
t
CVDX
t
WH
t
REC
t
CVEX
SCK
t
EVCV
图3 PORT- PIN数据的变化
MOSI
X
C07
C06
C05
C04
C00
X
MISO
C07
C06
t
CVQX
t
CVDV
比较标志
D7
D6
D0
t
EXQZ
CE
t
WL
t
REC
t
WH
t
CVEX
SCK
t
EVCV
图4.读周期时序波形
介绍
CE
SHIFT内部
频闪
SCK
( CPOL = 1 )
CE
SHIFT内部
频闪
单端口的I / O通过同步串行访问
SPI总线。它的功能被编程为8个数据引脚
输入或输出。串行存取由一个两字节的
操作。移动中的第一个字节是控制字节的
配置该设备。传送的第二个字节是
数据字节被读出或写入到数据寄存器或
数据方向寄存器。该数据字节也可以是
编程以作为掩模来设置或清除单个位。
功能说明
SCK
( CPOL = 0 )
MOSI
OR
MISO
最高位
MSB - 1
注: CPOL和CPHA是在CDP68HC05C4B位,
CDP68HC05C16B MCU控制寄存器,并确定不活跃
时钟的极性和相位。 CPHA必须始终等于1 。
图5.数据传输UTILIZING时钟输入
单个I / O端口由三个字节宽度的寄存器
(数据的方向,数据和移位)的输入/输出缓冲器和
控制逻辑电路(参见图1)。数据传送
经由移位的I / O数据和数据方向寄存器之间
注册。一旦I / O端口被选择时,在第一字节中移
到移位寄存器是控制字节,其选择寄存器
(数据或数据方向寄存器) ,来确定数据
传输方向(读或写),并将比较
5
CDP68HC68P1
数据表
2003年9月
FN1858.3
CMOS串行的8位输入/输出端口
该CDP68HC68P1是串行处理的8位
输入/输出端口,它允许字节或个别位控制。它
包括三个寄存器,一个输出缓冲器和控制逻辑。
数据通过移位寄存器移位的装置和出
利用SPI(串行外围接口)总线。在I / O端口
数据流是由数据方向寄存器控制,
数据被存储在数据寄存器,其输出或感测
逻辑电平的缓冲I / O引脚。所有的输入,包括
串行接口是施密特触发。该器件还
拥有一个比较函数比较数据寄存器
和4个可编程的条件和设置端口引脚值
软件可访问的标志,如果条件满足。该
写的时候用户也有位设置或位明确的选择
的数据寄存器中。
特点
全静态工作
工作电压范围3-6V
兼容Intersil公司/摩托罗拉SPI总线
2个外部地址引脚连接到V
DD
或V
SS
最多允许
4设备共享同一芯片启用
多功能位设置和位清除能力
接受要么SCK时钟极性 - SCK电压电平是
当锁存芯片使能变为有效
所有输入都是施密特触发器
8位I / O端口 - 每一位都可以单独编程
作为输入或输出端通过一个8位的数据方向寄存器
可编程板载比较
PKG 。
订购信息
产品型号
CDP68HC68P1E
CDP68HC68P1M
温度。
RANGE (
o
C)
-55到85
-55到85
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
比较信息给CPU的同时传输
在读或写 - 单独的访问不要求
E16.3
M16.15
引脚
CDP68HC68P1
( PDIP , SOIC )
顶视图
ID
0
1
ID
1
2
MISO 3
MOSI 4
SCK 5
CE 6
DO 7
V
SS
8
16 V
DD
15 D1
14 D2
13 D3
12 D4
11 D5
10 D6
9 D7
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
CDP68HC68P1
MOSI
MISO
移位寄存器
CE
SCK
ID
1
ID
0
控制
逻辑
比较
方向
注册
输入/输出
方向
注册
D0 - D7
图1.单端口的I / O框图
芯片
启用
DATA IN
数据输出
时钟
CE
CDP68HC68P1
MOSI
MISO
SCK
ID
0
ID
1
D0 - D7
I / O端口
数据
IN / OUT
芯片
IDENTIFY
图2.单端口I / O
引脚说明
ID
0
, ID
1
-
芯片识别引脚,通常连接到V
DD
到V
SS
.
这些引脚的4种可能的组合让4个I / O ,以
共享一个公共的芯片使能。当水平这些引脚
匹配的标识位中的控制字,串行
总线处于开启状态。该芯片识别引脚将保持它们
先前的逻辑状态,如果车驾行变为Hi -Z 。
MISO -
主入从出引脚。数据字节移出
在这个引脚最显著位第一。当芯片使能
信号为高电平时,该引脚为Hi -Z 。
MOSI -
主出从入引脚。数据字节都在移位
该引脚最显著位第一。该引脚将保留其
先前的逻辑状态,如果它的驱动线变为高阻。
SCK -
串行时钟输入。这将导致输入的串行数据是
从MOSI输入锁存和移出的MISO
输出。
CE认证 -
负的芯片使能输入。高向低过渡
该引脚锁定无效SCK极性和比较FL股份公司
及指示数据传送的开始。串行接口
逻辑使能,只有当CE为低电平。该引脚将保留其
先前的逻辑状态,如果它的驱动线变为高阻。
D0 -D7 -
I / O端口引脚。单个可编程输入或
输出。
V
DD
和V
SS
-
正和负电源线。
除了电源线和MISO引脚都具有
施密特触发器缓冲输入。
2
CDP68HC68P1
绝对最大额定值
直流电源电压范围( V
DD
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
(电压参考V
SS
终奌站)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
功耗每包(P
D
)
T
A
= -40
o
C至60
o
C(封装类型E) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .500mW
T
A
= 60
o
C至85
o
C(封装类型E)
减免线性的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12MW /
o
C至200mW的
T
A
= -40
o
C至60
o
C(封装类型M) (注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 .300mW
T
A
= 60
o
C至85
o
C(封装类型M) (注1 )
减免线性的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为5mW /
o
C至175MW
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
NA
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
NA
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100mW
T
A
=全包温度范围(所有封装类型)
最大存储温度范围(T
英镑
) . . . -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒)
在距离1 / 16英寸
±
1 / 32英寸( 1.59
±
0.79mm) . . . . . . . . . . .265
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
)
封装类型E,M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至85
o
C
直流工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3V最小,最大6V
串行时钟频率f
SCK
, V
DD
= 3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.05MHz最大
串行时钟频率f
SCK
, V
DD
= 4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1MHz的最大
输入电压范围,V
IH
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DD
+ 0.3V最大
输入电压范围,V
IL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V敏
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.印刷电路板安装: 57毫米X 57毫米最小面积×厚1.6mm G10环氧玻璃,或同等学历。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
静电特定网络阳离子
T
A
= -40
o
C至85
o
C,V
DD
= 3.3V ±10 % ,除非另有说明。
参数
输出电压
符号
V
OH
V
OL
输入电压
D0 - D7
正触发阈值
负触发阈值
迟滞
输入电压
ID
0
, ID
1
, MOSI , SCK ,CE
正触发阈值
负触发阈值
迟滞
输入漏电流
待机电流的设备
三态输出漏电流
操作装置电流(注4 )
输入电容
注意事项:
3.典型的数值为T
A
= 25
o
C和标称V
DD
.
4.输出开路;周期时间=最小。吨
周期
,占空比为100 % 。
V
P
V
N
V
IH
I
IN
I
DDS
I
OUT
I
OPER
C
IN
V
IN
= V
IL
, V
IH
V
IN
= 0V , F = 1MHz的,T
A
= 25
o
C
1.3
0.8
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
0.1
4
1.9
1.2
0.95
±1
15
±10
1
6
V
V
V
A
A
A
mA
pF
V
P
V
N
V
IH
1.85
0.85
0.85
-
-
-
2.4
1.35
1.25
V
V
V
TEST
条件
I
OH
= -0.4mA ,V
DD
= 3V
I
OL
= 0.4毫安,V
DD
= 3V
2.7
-
(注3)
典型值
-
-
最大
-
0.3
单位
V
V
3
CDP68HC68P1
静电特定网络阳离子
在T
A
= -40
o
C至85
o
C,V
DD
= 5V ±10 % ,除非另有说明。
参数
输出电压
符号
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
输入电压
D0 - D7
正触发阈值
负触发阈值
迟滞
输入电压
ID
0
, ID
1
, MOSI , SCK ,CE
正触发阈值
负触发阈值
迟滞
输入漏电流
待机电流的设备
三态输出漏电流
工作电流器件
(注6 )
输入电容
注意事项:
5.典型值对于T
A
= 25
o
C和标称V
DD
.
6.输出开路;周期时间=最小,T
周期
,占空比为100 % 。
V
P
V
N
V
IH
I
IN
I
DDS
I
OUT
I
OPER
C
IN
V
IN
= V
IL
, V
IH
V
IN
= 0V , F = 1MHz的,T
A
= 25
o
C
3.15
1.7
1.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
0.2
4
3.85
2.25
1.7
±1
15
±10
2
6
V
V
V
A
A
A
mA
pF
V
P
V
N
V
IH
2.15
1.35
0.8
-
-
-
3.05
2
1.2
V
V
V
TEST
条件
I
OH
= -1.6mA ,V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1.6毫安,V
DD
= 4.5V
I
OH
20μA ,V
DD
= 4.5V
I
OL
20μA ,V
DD
= 4.5V
3.7
-
4.4
-
(注5 )
典型值
-
-
-
-
最大
-
0.4
-
0.1
单位
V
V
V
V
动态电连接特定的阳离子 - 总线时序
V
DD
±10%, V
SS
= 0V DC ,T
A
= -40
o
C至85
o
C, C
L
= 200pF的。
参见图8和9 。
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 5V
100
125
200
200
100
100
-
-
-
-
-
200
最大
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
芯片使能建立时间
芯片的时钟后保持时间启用
时钟宽高
时钟宽度低
数据在时钟的建立时间
数据在时钟后保持时间
时钟到数据传输延迟
芯片禁用到输出高Z
输出上升时间
输出下降时间
时钟到数据输出档案
时钟恢复时间
符号
t
EVCV
t
CVEX
t
WH
t
WL
t
DVCV
t
CVDX
t
CVDV
t
EXQZ
t
r
t
f
t
CVQX
t
REC
200
250
400
400
200
200
-
-
-
-
-
200
最大
-
-
-
-
-
-
200
200
200
200
200
-
4
CDP68HC68P1
波形
MISO
C07
C06
比较标志
D7
D6
t
r
, t
f
D0
MOSI
X
C07
C06
t
DVCV
C05
C04
C00
t
DVCV
D7
D6
D0
X
t
CVDX
CE
t
WL
t
CVDX
t
WH
t
REC
t
CVEX
SCK
t
EVCV
图3 PORT- PIN数据的变化
MOSI
X
C07
C06
C05
C04
C00
X
MISO
C07
C06
t
CVQX
t
CVDV
比较标志
D7
D6
D0
t
EXQZ
CE
t
WL
t
REC
t
WH
t
CVEX
SCK
t
EVCV
图4.读周期时序波形
介绍
CE
SHIFT内部
频闪
SCK
( CPOL = 1 )
CE
SHIFT内部
频闪
单端口的I / O通过同步串行访问
SPI总线。它的功能被编程为8个数据引脚
输入或输出。串行存取由一个两字节的
操作。移动中的第一个字节是控制字节的
配置该设备。传送的第二个字节是
数据字节被读出或写入到数据寄存器或
数据方向寄存器。该数据字节也可以是
编程以作为掩模来设置或清除单个位。
功能说明
SCK
( CPOL = 0 )
MOSI
OR
MISO
最高位
MSB - 1
注: CPOL和CPHA是在CDP68HC05C4B位,
CDP68HC05C16B MCU控制寄存器,并确定不活跃
时钟的极性和相位。 CPHA必须始终等于1 。
图5.数据传输UTILIZING时钟输入
单个I / O端口由三个字节宽度的寄存器
(数据的方向,数据和移位)的输入/输出缓冲器和
控制逻辑电路(参见图1)。数据传送
经由移位的I / O数据和数据方向寄存器之间
注册。一旦I / O端口被选择时,在第一字节中移
到移位寄存器是控制字节,其选择寄存器
(数据或数据方向寄存器) ,来确定数据
传输方向(读或写),并将比较
5
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