CDP1853C/3
1997年3月
高可靠性的CMOS N位的8解码器1
描述
该CDP1853 / 3和CDP1853C / 3是高可靠性1 8
解码器设计用于一般用途microproces-
SOR系统。这些装置，其在功能上是相同的，
被具体来说专为使用门控N位解码器
和接口直接与1800系列微处理器
无需额外的部件。在CDP1853 / 3具有消遣
4V的ommended工作电压范围至10.5V ，并且
CDP1853C / 3有一个推荐的工作电压范围内
4V至6.5V 。
当芯片使能（CE）为高电平时，选择输出将
真（高） ，从时钟的下降沿A（高到低
过渡）到时钟B（后缘高到低
过渡） 。所有的输出将为低电平时，该设备是不
选择（CE = 0 ），在时钟A和条件
时钟B，如在图2中CDP1853 / 3个输入端N0，
N 1 ，N 2，时钟A和时钟B连接至1800-
系列微处理器输出N0， N1，N2， TPA和TPB
分别如图所示，当用于解码的I / O命令
在图5中的芯片使能（CE）输入端提供capa-
相容性为多级解码的，如图6 。
在CDP1853 / 3也可以用作一个通用的1
8解码器，用于I / O和存储器的系统的应用，如图
在网络连接gure 4 。
特点
可直接控制多达7个输入和输出7
当设备与CDP1800系列微处理器的使用
处理器
芯片使能（CE ）可方便地扩展为多
级I / O系统
订购信息
包
SBDIP
TEMP 。 RANGE
5V
10V
-
PKG 。
号
D16.3
-55
o
C至+ 125
o
CDP1853CD3
引脚
16铅SBDIP
顶视图
CLK A 1
N0 2
N1 3
OUT 0 4
OUT 1 5
OUT 2 6
OUT 3 7
V
SS
8
16 V
DD
15 CLK B
14 N2
13 CE
12个4
11分
10个6
9 7
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
1713.2
4-40
CDP1853 / 3 ， CDP1853C / 3
CDP1853 / 3功能框图
4
N0
2
5
6
N1
3
1第8
解码器
7
12
11
10
EN
13
CE
9
真值表
CE
出0
出1
输出2
OUT 3
出4
5
出6
出7
CL A
0
0
1
1
X
CL B
0
1
0
1
X
EN
QN- 1 （注2 ）
1
0
1
0
1
1
1
1
0
N2
14
N2
0
0
N1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
N0
0
1
0
1
0
1
0
1
X
EN
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
2
0
0
1
0
0
0
0
0
0
3
0
0
0
1
0
0
0
0
0
4
0
0
0
0
1
0
0
0
0
5
0
0
0
0
0
1
0
0
0
6
0
0
0
0
0
0
1
0
0
7
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
时钟
A
（ TPA ）
0
QN
0
1
1
1
15
时钟
B
（城规会）
1
X
注意事项：
图1 。
1 1 =高电平， 0 =低的水平，X =无关。
2. QN- 1 =启用保留在原来的状态。
4-41
CDP1853 / 3 ， CDP1853C / 3
静电特定网络阳离子
条件
-55
o
C, +25
o
C
参数
静态器件
当前
符号
I
SS
（注1 ）
V
O
(V)
-
-
输出低电平驱动
（漏）电流
I
OL
0.4
0.5
输出高驱动器
（来源）电流
I
OH
4.6
9.5
输出电压
低电平
V
OL
（注2 ）
-
-
输出电压
高位
V
OH
（注2 ）
-
-
输入低电压
V
IL
0.8, 4.2
1, 9
输入高电压
V
IH
0.8, 4.2
1, 9
输入漏电流低
I
IL
-
-
输入漏高
I
IH
-
-
输入电容
输出电容
注意事项：
1. CDP1853C符合CDP1853所有5V静电特性，除了静态器件电流为其限制是：
I
SS
= -500μA -55
o
C和+25
o
C和I
SS
= -1000μA在125
o
C.
2.保证，但未经测试。
C
IN
（注2 ）
C
OUT
（注2 ）
-
-
V
IN
(V)
0, 5
0, 10
-
-
-
-
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
-
-
-
-
0
0
5
10
-
-
V
DD
(V)
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
-
-
民
-50
-500
2.3
3.7
-
-
-
-
4.9
9.9
-
-
3.5
7
-1
-1
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-1.7
-3.7
0.1
0.1
-
-
1.5
3
-
-
-
-
1
1
10
15
范围
+125
o
C
民
-100
-1000
1.6
2.6
-
-
-
-
4.8
9.8
-
-
3.5
7
-5
-5
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-1.2
-2.6
0.2
0.2
-
-
1.5
3
-
-
-
-
5
5
10
15
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
pF
pF
动态电连接特定的阳离子
参见图2 ，C
L
= 100pF电容，T
R
, t
F
= 15ns的
范围
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
民
-
-
最大
275
150
单位
ns
ns
参数
传播延迟时间：
芯片使能（ CE），以输出高
符号
t
EOH
V
DD
(V)
5
10
民
-
-
最大
175
90
4-42
CDP1853 / 3 ， CDP1853C / 3
动态电连接特定的阳离子
参见图2 ，C
L
= 100pF电容，T
R
, t
F
= 15ns的
范围
-55
o
C, +25
o
C
参数
禁止输出低电平
符号
t
EOL
V
DD
(V)
5
10
N输入到输出
t
NO
5
10
时钟A输出低电平
t
AO
5
10
时钟B输出低电平
t
BO
5
10
脉冲宽度：
时钟A
时钟B
t
CBCB
t
CACA
5
10
5
10
民
-
-
-
-
-
-
-
-
50
25
50
25
最大
295
200
225
120
210
110
295
200
-
-
-
-
+125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
75
50
75
50
最大
400
250
315
165
300
150
400
250
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
推荐工作条件
在T
A
=全包温度范围。为了获得最大的可靠性，运行条件
应选择成使操作总是在以下范围内：
范围
CDP1853/3
CDP1853C/3
最大
10.5
V
DD
民
4
V
SS
最大
6.5
V
DD
单位
V
V
参数
直流工作电压范围
输入电压范围
民
4
V
SS
4-43
CDP1853 / 3 ， CDP1853C / 3
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ V
DD
)
（所有电压参考V
SS
终奌站）
CDP1853 / 3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 11V
CDP1853C / 3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流，在任何一个输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10mA
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
22
设备损耗每个输出晶体管
T
A
=全包温度范围
（所有的封装类型） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
工作温度范围（T
A
)
封装类型D. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
存储温度范围（T
英镑
). . . . . . . . . . . .-65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时）
在距离1/16
±1/32
在。 （ 1.59
±
0.79mm)
从案例10秒最大值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
时序图
N0 - N2
CE
输出0 - 7
T
N0
输出0 - 7
T
EOH
T
EOL
图2A 。 N - 输入到输出的延迟时间
图2B 。行政长官输出延迟时间
MIN 。时钟
脉冲宽度
MIN 。时钟B
脉冲宽度
时钟B
T
CBCB
时钟A
输出0 - 7
T
CACA
T
AO
输出0 - 7
T
BO
（见注1 ）
注意：
1.为了测量牛逼
AO
，时钟B必须接低电平。
图2d 。时钟到输出延迟时间
图2C 。时钟B TO输出延迟时间
图2.传播延迟时间DIAGRAMS
TPA
城规会
CE
EN
（注1 ）
产量
A
B
C
芯片使能
V
DD
N0
N1
N2
CE
出0
出1
输出2
OUT 3
出4
CLK B OUT 5
CLK A OUT 6
出7
注意：
1.输出使能当EN =高。所示的为参考的内部信号
仅ENCE （参见图1） 。
图3.时序图
图4. N位解码器作为1的解码器8
4-44
CDP1853C/3
1997年3月
高可靠性的CMOS N位的8解码器1
描述
该CDP1853 / 3和CDP1853C / 3是高可靠性1 8
解码器设计用于一般用途microproces-
SOR系统。这些装置，其在功能上是相同的，
被具体来说专为使用门控N位解码器
和接口直接与1800系列微处理器
无需额外的部件。在CDP1853 / 3具有消遣
4V的ommended工作电压范围至10.5V ，并且
CDP1853C / 3有一个推荐的工作电压范围内
4V至6.5V 。
当芯片使能（CE）为高电平时，选择输出将
真（高） ，从时钟的下降沿A（高到低
过渡）到时钟B（后缘高到低
过渡） 。所有的输出将为低电平时，该设备是不
选择（CE = 0 ），在时钟A和条件
时钟B，如在图2中CDP1853 / 3个输入端N0，
N 1 ，N 2，时钟A和时钟B连接至1800-
系列微处理器输出N0， N1，N2， TPA和TPB
分别如图所示，当用于解码的I / O命令
在图5中的芯片使能（CE）输入端提供capa-
相容性为多级解码的，如图6 。
在CDP1853 / 3也可以用作一个通用的1
8解码器，用于I / O和存储器的系统的应用，如图
在网络连接gure 4 。
特点
可直接控制多达7个输入和输出7
当设备与CDP1800系列微处理器的使用
处理器
芯片使能（CE ）可方便地扩展为多
级I / O系统
订购信息
包
SBDIP
TEMP 。 RANGE
5V
10V
-
PKG 。
号
D16.3
-55
o
C至+ 125
o
CDP1853CD3
引脚
16铅SBDIP
顶视图
CLK A 1
N0 2
N1 3
OUT 0 4
OUT 1 5
OUT 2 6
OUT 3 7
V
SS
8
16 V
DD
15 CLK B
14 N2
13 CE
12个4
11分
10个6
9 7
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
1713.2
4-40
CDP1853 / 3 ， CDP1853C / 3
CDP1853 / 3功能框图
4
N0
2
5
6
N1
3
1第8
解码器
7
12
11
10
EN
13
CE
9
真值表
CE
出0
出1
输出2
OUT 3
出4
5
出6
出7
CL A
0
0
1
1
X
CL B
0
1
0
1
X
EN
QN- 1 （注2 ）
1
0
1
0
1
1
1
1
0
N2
14
N2
0
0
N1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
N0
0
1
0
1
0
1
0
1
X
EN
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
2
0
0
1
0
0
0
0
0
0
3
0
0
0
1
0
0
0
0
0
4
0
0
0
0
1
0
0
0
0
5
0
0
0
0
0
1
0
0
0
6
0
0
0
0
0
0
1
0
0
7
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
时钟
A
（ TPA ）
0
QN
0
1
1
1
15
时钟
B
（城规会）
1
X
注意事项：
图1 。
1 1 =高电平， 0 =低的水平，X =无关。
2. QN- 1 =启用保留在原来的状态。
4-41
CDP1853 / 3 ， CDP1853C / 3
静电特定网络阳离子
条件
-55
o
C, +25
o
C
参数
静态器件
当前
符号
I
SS
（注1 ）
V
O
(V)
-
-
输出低电平驱动
（漏）电流
I
OL
0.4
0.5
输出高驱动器
（来源）电流
I
OH
4.6
9.5
输出电压
低电平
V
OL
（注2 ）
-
-
输出电压
高位
V
OH
（注2 ）
-
-
输入低电压
V
IL
0.8, 4.2
1, 9
输入高电压
V
IH
0.8, 4.2
1, 9
输入漏电流低
I
IL
-
-
输入漏高
I
IH
-
-
输入电容
输出电容
注意事项：
1. CDP1853C符合CDP1853所有5V静电特性，除了静态器件电流为其限制是：
I
SS
= -500μA -55
o
C和+25
o
C和I
SS
= -1000μA在125
o
C.
2.保证，但未经测试。
C
IN
（注2 ）
C
OUT
（注2 ）
-
-
V
IN
(V)
0, 5
0, 10
-
-
-
-
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
-
-
-
-
0
0
5
10
-
-
V
DD
(V)
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
-
-
民
-50
-500
2.3
3.7
-
-
-
-
4.9
9.9
-
-
3.5
7
-1
-1
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-1.7
-3.7
0.1
0.1
-
-
1.5
3
-
-
-
-
1
1
10
15
范围
+125
o
C
民
-100
-1000
1.6
2.6
-
-
-
-
4.8
9.8
-
-
3.5
7
-5
-5
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-1.2
-2.6
0.2
0.2
-
-
1.5
3
-
-
-
-
5
5
10
15
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
pF
pF
动态电连接特定的阳离子
参见图2 ，C
L
= 100pF电容，T
R
, t
F
= 15ns的
范围
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
民
-
-
最大
275
150
单位
ns
ns
参数
传播延迟时间：
芯片使能（ CE），以输出高
符号
t
EOH
V
DD
(V)
5
10
民
-
-
最大
175
90
4-42
CDP1853 / 3 ， CDP1853C / 3
动态电连接特定的阳离子
参见图2 ，C
L
= 100pF电容，T
R
, t
F
= 15ns的
范围
-55
o
C, +25
o
C
参数
禁止输出低电平
符号
t
EOL
V
DD
(V)
5
10
N输入到输出
t
NO
5
10
时钟A输出低电平
t
AO
5
10
时钟B输出低电平
t
BO
5
10
脉冲宽度：
时钟A
时钟B
t
CBCB
t
CACA
5
10
5
10
民
-
-
-
-
-
-
-
-
50
25
50
25
最大
295
200
225
120
210
110
295
200
-
-
-
-
+125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
75
50
75
50
最大
400
250
315
165
300
150
400
250
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
推荐工作条件
在T
A
=全包温度范围。为了获得最大的可靠性，运行条件
应选择成使操作总是在以下范围内：
范围
CDP1853/3
CDP1853C/3
最大
10.5
V
DD
民
4
V
SS
最大
6.5
V
DD
单位
V
V
参数
直流工作电压范围
输入电压范围
民
4
V
SS
4-43
CDP1853 / 3 ， CDP1853C / 3
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ V
DD
)
（所有电压参考V
SS
终奌站）
CDP1853 / 3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 11V
CDP1853C / 3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流，在任何一个输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10mA
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
22
设备损耗每个输出晶体管
T
A
=全包温度范围
（所有的封装类型） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
工作温度范围（T
A
)
封装类型D. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
存储温度范围（T
英镑
). . . . . . . . . . . .-65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时）
在距离1/16
±1/32
在。 （ 1.59
±
0.79mm)
从案例10秒最大值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
时序图
N0 - N2
CE
输出0 - 7
T
N0
输出0 - 7
T
EOH
T
EOL
图2A 。 N - 输入到输出的延迟时间
图2B 。行政长官输出延迟时间
MIN 。时钟
脉冲宽度
MIN 。时钟B
脉冲宽度
时钟B
T
CBCB
时钟A
输出0 - 7
T
CACA
T
AO
输出0 - 7
T
BO
（见注1 ）
注意：
1.为了测量牛逼
AO
，时钟B必须接低电平。
图2d 。时钟到输出延迟时间
图2C 。时钟B TO输出延迟时间
图2.传播延迟时间DIAGRAMS
TPA
城规会
CE
EN
（注1 ）
产量
A
B
C
芯片使能
V
DD
N0
N1
N2
CE
出0
出1
输出2
OUT 3
出4
CLK B OUT 5
CLK A OUT 6
出7
注意：
1.输出使能当EN =高。所示的为参考的内部信号
仅ENCE （参见图1） 。
图3.时序图
图4. N位解码器作为1的解码器8
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