CDP1823C/3
1997年3月
高可靠性的CMOS
128字×8位的静态RAM
描述
该CDP1823C / 3是一个128字×8位CMOS / SOS静态
随机存取存储器。它与CDP1802兼容，
CDP1804 ， CDP1805和CDP1806微处理器，以及
进行接口的情况下直接附加组件。该
CDP1823C有一个推荐的工作电压范围
4V至6.5V 。
该CDP1823C内存有8个常见的数据输入和数据
输出端子直接连接到一个双向数据
总线和由单电压电源供电。五片
提供选择输入，简化存储系统
扩展。为了使CDP1823C ，芯片选择
输入CS2 ，CS3和CS5需要低的输入信号，并
芯片选择输入端CS1和CS4的要求高输入
信号。
该MRD信号使所有8个输出驱动器在低的时候
态和应该在高状态在写周期。
经过有效的数据出现在输出端，地址输入可能
立即更换。输出数据将是有效的，直到
所述MRD的信号变为高电平时，该装置被选中，或叔
AA
（访问时间）地址更改后。
特点
在航空航天，军事，和关键应用
工业设备
兼容CDP1800系列微处理器在
最大速率
与CDP1800系列接口
无需额外的元件
快速存取时间
- 在V
DD
= 5V, +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 275ns
单电源供电
??常见的数据输入和输出
多片选输入，以简化存储
系统扩展
高抗噪声能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 Ⅴ的30％的
DD
内存保留为备用电池电压下降
至2V 25
o
C
闭锁免费瞬时耐辐射
微处理器
订购信息
包
SBDIP
TEMP 。 RANGE
产品型号
(5V)
PKG 。号
D24.6
-55
o
C至+ 125
o
CDP1823CD3
引脚
CDP1823C/3
（ SBDIP ）
顶视图
总线0
公交车1
公交车2
公交3
公交4
BUS 5
BUS 6
BUS 7
CS1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24 V
DD
23 A0
22 A1
21 A2
20 A3
19 A4
18 A5
17 A6
16水利部
15 MRD
14 CS5
13 CS4
CS2 10
CS3 11
V
SS
12
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2982.1
6-31
CDP1823C/3
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ V
DD
)
（所有电压参考V
SS
终奌站）
CDP1823C / 3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流，在任何一个输入。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
60
17
最大工作温度范围（T
A
) . . . .-55
o
C至+ 125
o
C
最大存储温度范围（T
英镑
) . . .-65
o
C至+150
o
C
最大的铅温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
推荐工作条件
在T
A
=全包温度范围。为了获得最大的可靠性，运行
条件应进行选择，以便操作总是在以下范围内：
范围
参数
电源电压范围
推荐的输入电压范围
V
DD
= 5V
±5%
条件
民
4
V
SS
最大
6.5
V
DD
单位
V
V
静电特定网络阳离子
范围
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
民
-
1.5
-
-
V
DD
- 0.1
-
0.7 V
DD
-
-
-
-
-
最大
1000
-
-0.7
0.1
-
0.3 V
DD
-
±10
10
±10
7.5
15
单位
A
mA
mA
V
V
V
V
A
mA
A
pF
pF
V
DD
(V)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
-
-
参数
静态器件电流（注1 ）
输出低电平（漏）电流（注1 ）
输出高（源）电流（注1 ）
输出电压低级别
输出电压高级别
输入低电压
输入高电压
输入漏电流（注1 ）
工作电流（注1 ）
三态输出漏电流
输入电容
输出电容
注意：
I
DD
I
OL
I
OH
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
I
IN
I
DD1
I
OUT
C
IN
C
OUT
V
O
(V)
-
0.4
4.6
-
-
0.5, 4.5
0.5, 4.5
-
-
0, 5
-
-
V
IN
(V)
0, 5
0, 5
0, 5
0, 5
0, 5
-
-
0, 5
0, 5
0, 5
-
-
民
-
2.7
-
-
V
DD
- 0.1
-
0.7 V
DD
-
-
-
-
-
最大
270
-
-1.3
0.1
-
0.3 V
DD
-
±2.6
5
±2.6
7.5
15
1.限制指定100％的测试，所有其他限制是设计者的参数给定的试验条件下，并不代表100％的测试。
阅读周期的动态电气连接特定的阳离子
t
R
, t
F
= 10ns的，C
L
= 50pF的
范围
+25
o
C, -55
o
C
+125
o
C
民
505
-
-
最大
-
505
505
单位
ns
ns
ns
参数
读周期
从地址更改访问时间（注1 ）
访问时间从片选
符号
t
RC
t
AA
t
AC
V
DD
(V)
5
5
5
民
360
-
-
最大
-
360
360
6-33
CDP1823C/3
阅读周期的动态电气连接特定的阳离子
t
R
, t
F
= 10ns的，C
L
= 50pF的
（续）
范围
+25
o
C, -55
o
C
参数
从MRD访问时间（注1 ）
数据读取后保持时间
注意：
1.限制指定100 ％的测试。所有其他限制是给定的试验条件下，设计的参数，并不代表100％的测试。
符号
t
AM
t
DH
V
DD
(V)
5
5
民
-
50
最大
310
-
+125
o
C
民
-
70
最大
435
-
单位
ns
ns
t
RC
t
AA
地址
t
AM
（注1 ）
MRD
CS2 ， CS3 ， CS5
（注1 ）
t
AC
CS1 ， CS4
t
DH
90%
高阻抗
有效数据
10%
注意事项：
1.最小计时的有效数据输出。较长的时间将启动较早，但无效输出。
2.水利部是读操作过程中的高。定时测量基准为0.5V
DD
.
图1.读周期时序图
写周期动态电连接特定的阳离子
t
R
, t
F
= 10ns的，C
L
= 50pF的
范围
+25
o
C, -55
o
C
V
DD
(V)
5
5
5
5
5
（注2 ）
民
280
70
70
140
70
+125
o
C
（注2 ）
民
400
100
100
200
100
参数
写周期
地址建立时间（注1 ）
地址保持时间
把脉冲宽度（注1 ）
数据水利部建立时间（注1 ）
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
WW
t
DS
最大
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
6-34
CDP1823C/3
写周期动态电连接特定的阳离子
t
R
, t
F
= 10ns的，C
L
= 50pF的
（续）
范围
+25
o
C, -55
o
C
V
DD
(V)
5
5
（注2 ）
民
50
210
+125
o
C
（注2 ）
民
70
300
参数
来自水利部（注1 ）数据保持时间
片选设置
注意事项：
符号
t
DH
t
CS
最大
-
-
最大
-
-
单位
ns
ns
1.限制指定100 ％的测试。所有其他限制是给定的试验条件下，设计的参数，并不代表100％的测试。
2.最小的定时，以使指示的功能发生。
t
WC
t
AS
地址
t
AH
CS1 ， CS4
t
CS
CS2 ， CS3 ， CS5
水利部
t
WW
t
DS
t
DH
BUS 0-7
有效数据
注意：
1. MRD必须写操作过程中的高。
图2.写周期时序波形
数据保留特定网络阳离子
TEST
条件
+25
o
C, -55
o
C
参数
最小数据保持电压
（注1 ）
数据保持静态电流
芯片取消到数据保留时间
恢复到正常运行时间
注意：
1.限制指定100 ％的测试。所有其他限制是给定的试验条件下，设计的参数，并不代表100％的测试。
符号
V
DR
I
DD
t
CDR
t
RC
V
DR
(V)
-
V
DD
(V)
-
民
-
最大
2
范围
+125
o
C
民
-
最大
2.5
单位
V
A
ns
ns
2
-
-
-
5
5
-
450
450
100
-
-
-
650
650
400
-
-
6-35
QQ：2881677436 复制
