CDP1822,
CDP1822C
1997年3月
256字×4位
LSI静态RAM
描述
该CDP1822和CDP1822C 256字由4位静态
随机存取存储器设计用于内存使用系
统，其中高速，低工作电流，并简单
在使用中是理想的。该CDP1822具有高速和
较宽的工作电压范围。这两种类型都有不同的
数据输入和输出，并利用单电源
4V至6.5V的CDP1822C和4V至10.5V的
CDP1822.
提供了两个片选输入，简化系统
扩展。一个输出禁用控制提供线或
能力，也是常见的输入/输出有用的系
TEMS 。在输出禁止输入允许这些RAM是
通过迫使共同使用的数据输入/输出系统
输出为高阻抗状态下的写操作期间
独立的片选输入条件。输出
呈现高阻抗状态时，输出禁止的
在高电位，或当芯片被CS1和/或取消选择
CS2.
在CMOS技术的高抗干扰性是预
在本设计中提供。对于TTL接口的5V运作，
出色的系统噪声容限是通过使用保存
外部上拉电阻在每个输入。
特点
??低工作电流
- V
DD
= 5V ，周期时间为1μs 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8毫安
工业标准引脚
两个片选输入，简单的内存扩展
内存保持为2V的备用电池电压
最低
输出 - 禁用的通用I / O系统
三态数据输出总线导向系统
独立的数据输入和输出
订购信息
5V
CDP1822CE
10V
CDP1822E
包
PDIP
BURN -IN
SBDIP
BURN -IN
-40
o
C至+ 85
o
C
TEMP 。 RANGE
-40
o
C至+ 85
o
C
PKG 。
号
E22.4
E22.4
D22.4A
D22.4A
CDP1822CEX CDP1822EX
CDP1822CD
CDP1822CDX
CDP1822D
-
引脚
CDP1822 ， CDP1822C
（ PDIP ， SBDIP ）
顶视图
A3 1
A2 2
A1 3
A0 4
A5 5
A6 6
A7 7
V
SS
8
9 DI1
DO1 10
DI2 11
22 V
DD
21 A4
20 R / W
19 CS1
18 O. D.
17 CS2
16 DO4
15 DI4
14 DO3
13 DI3
12 DO2
操作模式
输入
芯片
SELECT
1
（ CS
1
)
0
0
0
芯片
SELECT
2
（ CS
2
)
1
1
1
输出读/
禁止写
（OD）的
（R / W）的
0
0
1
1
0
0
模式
读
写
写
产量
读
DATA IN
高
阻抗
ANCE
高
阻抗
ANCE
高
阻抗
ANCE
高
阻抗
ANCE
待机
1
X
X
X
待机
X
0
X
X
产量
关闭
注意：
X
X
1
X
逻辑1 =高，逻辑0 =低， X =无关。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
1074.2
6-11
CDP1822 ， CDP1822C
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ V
DD
)
（所有电压参考V
SS
终奌站）
CDP1822 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 11V
CDP1822C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流，在任何一个输入。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
21
最大工作温度范围（T
A
)
封装类型D. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
套餐E型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
最高结温
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
存储温度范围（T
英镑
). . . . . . . . . . . .-65
o
C至+150
o
C
T
A
= -40
o
C至+60
o
C（封装类型E） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
T
A
= +60
o
C至+ 85
o
C（封装类型E） 。 。 。 。 。 。减免线性的
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .12mW /
o
C至200mW的
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
推荐工作条件
在T
A
=全包温度范围。为了获得最大的可靠性，运行条件
应选择成使操作总是在以下范围内：
范围
CDP1822
参数
直流工作电压范围
输入电压范围
符号
民
4
V
SS
最大
10.5
V
DD
民
4
V
SS
CDP1822C
最大
6.5
V
DD
单位
V
V
静电特定网络阳离子
在T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C，除非另有说明
条件
CDP1822
范围
CDP1822C
最大
500
1000
-
-
-
-
0.1
0.1
-
-
1.5
3
-
-
±5
±10
民
-
-
2
-
-1
-
-
-
4.9
-
-
-
3.5
-
-
-
（注1 ）
典型值
-
-
4
-
-2
-
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
最大
500
-
-
-
-
-
0.1
-
-
-
1.5
-
-
-
±5
-
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
参数
静态器件
当前
输出低（汇）
当前
输出高（来源）
当前
输出电压
低电平
输出电压
高位
输入低电压
符号
I
DD
V
O
(V)
-
-
V
IN
(V)
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
-
-
-
-
0, 5
0, 10
V
DD
(V)
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
民
-
-
2
4.5
-1
-2.2
-
-
4.9
9.9
-
-
3.5
7
-
-
（注1 ）
典型值
-
-
4
9
-2
-4.4
0
0
5
10
-
-
-
-
-
-
I
OL
0.4
0.5
I
OH
4.6
9.5
V
OL
-
-
V
OH
-
-
V
IL
0.5, 4.5
0.5, 9.5
输入高电压
V
IH
0.5, 9.5
0.5, 9.5
输入漏电流
I
IN
-
-
6-12
CDP1822 ， CDP1822C
动态电连接特定的阳离子
在T
A
+ -40至+85
o
C，V
DD
±5%,
输入吨
R
, t
F
= 20ns的，V
IH
= 0.7 V
DD
, V
IL
= 0.3 V
DD
,
C
L
= 100 pF的。
（续）
范围
CD1822
（注1 ）
民
0
0
0
0
200
110
（注2 ）
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
（注1 ）
民
0
0
0
0
200
-
CDP1822C
（注2 ）
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TEST
条件
参数
片选1保持
t
CS1H
V
DD
(V)
5
10
片选2保持
t
CS2H
5
10
输出禁止设置
t
消耗臭氧层物质
5
10
注意事项：
1.由一个限位装置所需的时间，以允许指定的功能。
2.典型的数值为T
A
= 25
o
C和标称V
DD
.
t
WC
t
WR
A0-A7
t
CSIS
片选1
t
CSIH
片选2
t
CS2S
（注）
t
消耗臭氧层物质
DI1-DI4
t
DS
数据稳定
t
DH
t
CS2H
输出禁用
读/写
t
AS
t
WRW
不在乎
注：t
消耗臭氧层物质
所需的只是普通的I / O操作。对于独立的I / O操作，输出禁止是不关心。
图2.写周期波形
6-15
TM
CDP1822,
CDP1822C
256字×4位
LSI静态RAM
描述
该CDP1822和CDP1822C 256字由4位静态
随机存取存储器设计用于内存使用系
统，其中高速，低工作电流，并简单
在使用中是理想的。该CDP1822具有高速和
较宽的工作电压范围。这两种类型都有不同的
数据输入和输出，并利用单电源
4V至6.5V的CDP1822C和4V至10.5V的
CDP1822.
提供了两个片选输入，简化系统
扩展。一个输出禁用控制提供线或
能力，也是常见的输入/输出有用的系
TEMS 。在输出禁止输入允许这些RAM是
通过迫使共同使用的数据输入/输出系统
输出为高阻抗状态下的写操作期间
独立的片选输入条件。输出
呈现高阻抗状态时，输出禁止的
在高电位，或当芯片被CS1和/或取消选择
CS2.
在CMOS技术的高抗干扰性是预
在本设计中提供。对于TTL接口的5V运作，
出色的系统噪声容限是通过使用保存
外部上拉电阻在每个输入。
1997年3月
特点
??低工作电流
- V
DD
= 5V ，周期时间为1μs 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8毫安
工业标准引脚
两个片选输入，简单的内存扩展
内存保持为2V的备用电池电压
最低
输出 - 禁用的通用I / O系统
三态数据输出总线导向系统
独立的数据输入和输出
订购信息
5V
CDP1822CE
10V
CDP1822E
包
PDIP
BURN -IN
SBDIP
BURN -IN
-40
o
C至+ 85
o
C
TEMP 。 RANGE
-40
o
C至+ 85
o
C
PKG 。
号
E22.4
E22.4
D22.4A
D22.4A
CDP1822CEX CDP1822EX
CDP1822CD
CDP1822CDX
CDP1822D
-
引脚
CDP1822 ， CDP1822C
（ PDIP ， SBDIP ）
顶视图
A3 1
A2 2
A1 3
A0 4
A5 5
A6 6
A7 7
V
SS
8
9 DI1
DO1 10
DI2 11
22 V
DD
21 A4
20 R / W
19 CS1
18 O. D.
17 CS2
16 DO4
15 DI4
14 DO3
13 DI3
12 DO2
操作模式
输入
芯片
SELECT
1
（ CS
1
)
0
0
0
芯片
SELECT
2
（ CS
2
)
1
1
1
输出读/
禁止写
（OD）的
（R / W）的
0
0
1
1
0
0
模式
读
写
写
产量
读
DATA IN
高
阻抗
ANCE
高
阻抗
ANCE
高
阻抗
ANCE
高
阻抗
ANCE
待机
1
X
X
X
待机
X
0
X
X
产量
关闭
注意：
X
X
1
X
逻辑1 =高，逻辑0 =低， X =无关。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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网络文件编号
1074.2
11
CDP1822 ， CDP1822C
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ V
DD
)
（所有电压参考V
SS
终奌站）
CDP1822 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 11V
CDP1822C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
21
最大工作温度范围（T
A
)
套餐D型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
套餐E型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
最高结温
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
存储温度范围（T
英镑
) . . . . . . . . . . .-65
o
C至+150
o
C
T
A
= -40
o
C至+60
o
C（封装类型E） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
T
A
= +60
o
C至+ 85
o
C（封装类型E） 。 。 。 。 。减免线性的
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .12mW /
o
C至200mW的
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
推荐工作条件
在T
A
=全包温度范围。为了获得最大的可靠性，运行条件
应选择成使操作总是在以下范围内：
范围
CDP1822
参数
直流工作电压范围
输入电压范围
符号
民
4
V
SS
最大
10.5
V
DD
民
4
V
SS
CDP1822C
最大
6.5
V
DD
单位
V
V
静电特定网络阳离子
在T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C，除非另有说明
条件
CDP1822
范围
CDP1822C
（注1 ）
典型值
-
-
4
-
-2
-
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
参数
静态器件
当前
输出低（汇）
当前
输出高（来源）
当前
输出电压
低电平
输出电压
高位
输入低电压
符号
I
DD
V
O
(V)
-
-
V
IN
(V)
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
0, 5
0, 10
-
-
-
-
0, 5
0, 10
V
DD
(V)
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
5
10
民
-
-
2
4.5
-1
-2.2
-
-
4.9
9.9
-
-
3.5
7
-
-
（注
1)
典型值
-
-
4
9
-2
-4.4
0
0
5
10
-
-
-
-
-
-
最大
500
1000
-
-
-
-
0.1
0.1
-
-
1.5
3
-
-
±5
±10
民
-
-
2
-
-1
-
-
-
4.9
-
-
-
3.5
-
-
-
最大
500
-
-
-
-
-
0.1
-
-
-
1.5
-
-
-
±5
-
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
I
OL
0.4
0.5
I
OH
4.6
9.5
V
OL
-
-
V
OH
-
-
V
IL
0.5, 4.5
0.5, 9.5
输入高电压
V
IH
0.5, 9.5
0.5, 9.5
输入漏电流
I
IN
-
-
12
QQ：2880707522 复制
