IA
NT
特点
■
■
■
■
■
应用
■
■
■
■
■
符合RoHS指令*
保护四个I / O线
超低电容 0.55 pF的
ESD保护>30千伏
浪涌保护
高德网络nition多媒体接口
（ HDMI）的
数字视频接口（ DVI ）
以太网10/100/1000 Mb / s的
SATA接口
便携式电子产品
*R
oH
S
CO
M
PL
CDMSP10-0504M - 表面贴装TVS二极管阵列
一般信息
该CDMSP10-0504M设备提供ESD， EFT和浪涌保护
为满足IEC 61000-4-2 （ ESD ） ， IEC 61000-4-4高速数据端口
（ EFT）和IEC 61000-4-5 （浪涌）的要求。瞬态电压
抑制器阵列，保护多达4条数据线，提供工作峰值
5 V反向电压为6 V.最小击穿电压
采用MSOP -10L封装的器件将直接安装到行业
标准的MSOP -10L足迹。 BOURNS
二极管芯片符合JEDEC
标准，易于处理与标准拾放设备
和CON组fi guration他们FL最大限度地减少翻滚而去。
1号线
NC
2号线
NC
VDD
GND
LINE 3
NC
4号线
NC
绝对最大额定值（ @ TA = 25
°C
除非另有说明）
参数
工作电源电压
在任何I / O引脚的直流电压
符合IEC 61000-4-2 ESD性能（ I / O引脚）
空气放电
接触放电
符合IEC 61000-4-2 ESD性能（ VDD ， GND引脚）
空气放电
接触放电
储存温度
工作温度
符号
V
DC
V
D
V
ESD
I / O
V
ESD
I / O
V
ESD
PW
V
ESD
PW
T
英镑
T
OPR
价值
6
（GND - 0.5 ）至（VDD + 0.5）
19
12
30
30
-55 ° C至+150°C
-55 ° C至+150°C
单位
V
V
kV
kV
kV
kV
C
C
如何订购
典型最热
CD MSP10 - 05 04M
常见的代码
CD =二极管芯片
包
MSP10 = MSOP -10封装
工作峰值反向电压
05 = 5 V
RWM
（伏）
行数
04M = 4的数据线
CDMSP10-0504M ............................................... ..................... B0504
概要
3
1
2
4
5
8
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
CDMSP10-0504M - 表面贴装TVS二极管阵列
电气特性（ @ TA = 25
°C
除非另有说明）
参数
反向断态电压
1
漏电流
1
@ V
RWM
道泄漏电流@ V
RWM
反向击穿电压@ V
RWM
正向电压
3
@ I
F
= 15毫安
ESD钳位电压
2
@ IEC 61000-4-2 6千伏，联系方式
ESD钳位电压
1
@ IEC 61000-4-2 6千伏，联系方式
ESD动态导通电阻 - I / O
2
ESD动态导通电阻 - V
DD
1
通道输入电容
2
- 1
@ V
PIN3
=5 V, V
IN
= 2.5 V ， F = 1兆赫
通道输入电容
2
- 2
@ V
针
3 = N / C ，V
IN
= 2.5 V ， F = 1兆赫
通道到通道的输入电容 - 1
@ V
针
3=5 V, V
IN
= 2.5 V ， F = 1兆赫
（之间的通道引脚）
通道到通道的输入电容 - 2
@ V
针
3 = N / C ，V
IN
= 2.5 V ， F = 1兆赫
（之间的通道引脚）
通道输入电容的变化 - 1
@ V
针
3=5 V, V
IN
= 2.5 V ， F = 1兆赫
（通道X引脚接地，通道Y引脚GND ）
通道输入电容的变化 - 2
@ V
针
3 = N / C ，V
IN
= 2.5 V ， F = 1兆赫
（通道X引脚接地，通道Y引脚GND ）
注意事项：
从V 1.测试
dd
引脚3至GND引脚8
2.测试的引脚1,2,4或5至GND引脚8
3.测试从GND引脚8至V
dd
3脚
符号
V
RWM
I
D
I
CD
V
BR
V
F
V
C
V
C
R
dyn_io
R
dyn_VDD
C
IN-1
最低
公称
最大
5
5
1
单位
V
A
A
V
V
V
V
欧
欧
6
0.8
12.5
9.5
0.33
0.16
0.55
9
1
0.65
pF
C
IN-2
C
CROSS-1
0.70
0.08
0.80
0.09
pF
pF
C
CROSS-2
0.10
0.11
pF
C
IN-1
0.04
0.06
pF
C
IN-2
0.05
0.08
pF
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
CDMSP10-0504M - 表面贴装TVS二极管阵列
产品外形尺寸
这是一个成型的JEDEC MSOP -10L封装，无铅100 ％
雾锡在引线框架上。它重约7毫克，并具有
UL 94V -0可燃性FL评级。
2.90 - 3.10
(0.114 - 0.122)
10
6
5.8
(.228)
1.0
(.039)
4.70 - 5.10
(0.185 - 0.201)
0.50
(.002)
1
指数
区域
0.81 - 1.12
(0.032 - 0.044)
0.05 - 0.15
(0.002 - 0.006)
飞机座位
0.50
(0.020)
典型值。
0.15 - 0.30
(0.006 - 0.012)
5
0.3
(.012)
4.8
(.189)
推荐足迹
该用地布局仅作参考之用。详情请咨询
你的生产合作伙伴，以确保您公司的PCB设计
准则得到满足。
典型用途
该ESD保护器件非常适用于高速数据端口
保护如HDMI ，其中每行的电容是关键
参数。参见下面的例子连接。
TMDS_D2+
TMDS_GND
TMDS_D2+
6
7
8
9
10
GND
+6 V
5
2.90 - 3.10
(0.114 - 0.122)
5 ° ~ 15 °
4 PLC等。
0°~8°
所有引线
TMDS_D2-
4
C = 100 nF的（可选）
3
2
1
TMDS_D2-
TMDS_D1+
TMDS_D1+
TMDS_D1-
0.13 - 0.23
(0.005 - 0.009)
TMDS_GND
0.40 - 0.66
(0.016 - 0.26)
TMDS_D1-
TMDS_D0+
TMDS_GND
6
7
8
9
GND
+6 V
5
4
3
2
TMDS_D0+
TMDS_D0-
C = 100 nF的（可选）
尺寸=
MILLIMETERS
（英寸）
TMDS_D0-
TMDS_CK +
TMDS_CK +
10
1
TMDS_GND
TMDS_CK-
TMDS_CK-
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
CDMSP10-0504M - 表面贴装TVS二极管阵列
特性曲线
插入损耗S21 （ I / O至GND）
9
6
3
0
-3
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
VDD = 5 V
3 GHz的-0.455分贝
3.45千兆赫的-3 dB
插入损耗S21 （ I / O至GND）
9
6
3
0
-3
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
VDD =浮动
2.9千兆赫的-3 dB
插入损耗（dB ）
插入损耗（dB ）
1θ+8
1θ+9
1θ+8
1θ+9
频率（Hz）
频率（Hz）
模拟相声
40
VDD = 5 V
模拟相声
40
VDD =浮动
模拟串扰（分贝）
0
-20
-40
-60
-80
1θ+8
1θ+9
模拟串扰（分贝）
20
20
0
-20
-40
-60
-80
1θ+8
1θ+9
-100
-100
频率（Hz）
输电线路脉动（ TLP ）测量
18
频率（Hz）
输电线路脉动（ TLP ）测量
18
输电线路脉动（ TLP ）
电流（A ）
16
14
12
10
8
6
4
I / O至GND
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14
输电线路脉动（ TLP ）
电流（A ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDD到GND
输电线路脉动（ TLP ）电压（ V）
输电线路脉动（ TLP ）电压（ V）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能
CDMSP10-0504M - 表面贴装TVS二极管阵列
特性曲线
的C典型变化
IN
与V
IN
1.0
0.9
0.8
的C典型变化
IN
与V
IN
1.0
0.9
0.8
VDD = 5V ， GND = 0 V ， F = 1MHz时， T = 25℃
VDD =浮动， GND = 0 V ， F = 1MHz时， T = 25℃
电容（pF）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
电容（pF）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
电压（V）的
电压（V）的
的C典型变化
IO到IO
与V
IN
0.10
0.09
0.08
的C典型变化
IO到IO
与V
IN
0.15
0.14
0.13
0.12
0.11
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0.0
电容（pF）
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VDD = 5V ， GND = 0 V ， F = 1MHz时， T = 25℃
电容（pF）
VDD =浮动， GND = 0 V ， F = 1MHz时， T = 25℃
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
电压（V）的
电压（V）的
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
QQ：2881677436 复制
