1N821UR - 1 ， 1N823UR - 1 ， 1N825UR - 1 ， 1N827UR - 1和1N829UR ， 1个可用
IN
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS
每MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五
温度补偿齐纳二极管
无铅封装用于表面安装
6.2和6.55伏的纳电压
冶金结合，双封堵施工
1N821UR - 1直通1N829UR - 1
和
CDLL821通CDLL829A
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
反向漏电流
l
R
= 2
A @ 25℃ & V
R
= 3伏直流
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
暗淡
D
F
G
G1
S
CDI
TYPE
数
齐纳
电压
VZ @我
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
（注1 ）
Z
ZT
电压
温度
稳定性
V
ZT
-55 ℃至+ 100 ℃
（注2 ）
有效
温度
系数
MILLIMETERS
英寸
最小值最大值最小值最大值
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF 。
.100 REF 。
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
伏
CDLL821
CDLL821A
CDLL822
CDLL823
CDLL823A
CDLL824
CDLL825
CDLL825A
CDLL826
CDLL827
CDLL827A
CDLL828
CDLL829
CDLL829A
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
6.2 - 6.9
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
6.2 - 6.9
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
mV
96
96
96
48
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
% / °C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
图1
设计数据
案例：
DO- 213AA ，完全密封
玻璃柜。 （ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）
铅表面处理：
锡/铅
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
双阳极：电气规格应用在这两个偏置极性。
注1
齐纳阻抗叠加在LZT 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于LZT的10％。
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，
二极管电压不会超过特定网络连接编毫伏在任何离散的温度
与既定的限制，根据JEDEC标准5号。
注2
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
1N821UR - 1 ， 1N823UR - 1 ， 1N825UR - 1 ， 1N827UR - 1和1N829UR ， 1个可用
IN
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS
每MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五
温度补偿齐纳二极管
无铅封装用于表面安装
6.2和6.55伏的纳电压
冶金结合，双封堵施工
1N821UR - 1直通1N829UR - 1
和
CDLL821通CDLL829A
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
反向漏电流
l
R
= 2
A @ 25℃ & V
R
= 3伏直流
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
CDI
TYPE
数
齐纳
电压
V @I
Z
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
（注1 ）
Z
ZT
电压
温度
稳定性
V
ZT
-55 ℃至+ 100 ℃
（注2 ）
有效
温度
系数
MILLIMETERS
英寸
DIM最小值最大值最小值最大值
D
1.60
1.70 0.063 0.067
F
0.41
0.55 0.016 0.022
G
3.30
3.70 .130 .146
G1
2.54 REF 。
.100 REF 。
S
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
伏
CDLL821
CDLL821A
CDLL822
CDLL823
CDLL823A
CDLL824
CDLL825
CDLL825A
CDLL826
CDLL827
CDLL827A
CDLL828
CDLL829
CDLL829A
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
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5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
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6.2 - 6.9
5.9 - 6.5
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6.2 - 6.9
5.9 - 6.5
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mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
15
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10
mV
96
96
96
48
48
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19
19
20
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5
5
% / °C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
图1
设计数据
案例：
DO- 213AA ，完全密封
玻璃柜。 （ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）
铅表面处理：
锡/铅
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
双阳极：电气规格应用在这两个偏置极性。
注1
齐纳阻抗叠加在LZT 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于LZT的10％。
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，
二极管电压不会超过特定网络连接编毫伏在任何离散的温度
与既定的限制，根据JEDEC标准5号。
注2
6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841
电话（ 978 ） 620-2600
传真（ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
95
QQ：2880707522 复制
