【 1N5518BUR - 1 THRU 1N5546BUR - 1适用车型JAN ， JANTX和J】,IC型号CDLL5544B,CDLL5544B PDF资料,CDLL5544B经销商,ic,电子元器件-51电子网

1N5518BUR - 1 THRU 1N5546BUR - 1适用车型

JAN ， JANTX和JANTXV

每MIL -PRF- 437分之19500

齐纳二极管500mW的

无铅封装用于表面安装

低反向漏电流特性

冶金结合

1N5518BUR-1

THRU

1N5546BUR-1

和

CDLL5518通CDLL5546D

最大额定值

结存储温度： -65 ° C至+ 125°C

DC功耗： 500毫瓦@ TEC = + 125°C

功率降额： 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C

正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大

电气特性

@ 25 ° C，除非另有规定ED 。

B-C -D

苏FFI X

最大

直流稳压

CDI

TYPE

数

公称

齐纳

TEST

电压电流

VZ @ 1ZT

1ZT

马克斯。齐纳

阻抗

B-C -D后缀

ZZT @ 1ZT

（注3）

欧

最大反向

漏电流

规

因素

当前

V

Z

（注5 ）

伏

低

VZ

当前

1ZL

（注1 ）

（注2 ）

伏

mA

lR

（注4 ）

VR - 伏特

NON & A-

苏FFI X

B-C -D-

苏FFI X

1ZM

ADC

5.0

3.0

1.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

0.05

0.01

mA

CDLL5518B

CDLL5519B

CDLL5520B

CDLL5521B

CDLL5522B

CDLL5523B

CDLL5524B

CDLL5525B

CDLL5526B

CDLL5527B

CDLL5528B

CDLL5529B

CDLL5530B

CDLL5531B

CDLL5532B

CDLL5533B

CDLL5534B

CDLL5535B

CDLL5536B

CDLL5537B

CDLL5538B

CDLL5539B

CDLL5540B

CDLL5541B

CDLL5542B

CDLL5543B

CDLL5544B

CDLL5545B

CDLL5546B

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

19.0

20.0

22.0

24.0

25.0

28.0

30.0

33.0

20

10

5.0

3.0

1.0

26

24

22

18

22

26

30

35

40

45

60

80

90

100

0.90

1.0

1.5

2.0

3.0

4.5

5.5

6.0

6.5

7.0

8.0

9.0

9.5

10.5

11.5

12.5

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

20.0

21.0

23.0

24.0

28.0

1.0

1.5

2.0

2.5

3.5

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

9.9

10.8

11.7

12.6

13.5

14.4

15.3

16.2

17.1

18.0

19.8

21.6

22.4

25.2

27.0

29.7

115

105

98

88

81

75

68

61

56

51

46

42

38

35

32

29

27

25

24

22

21

20

19

17

16

15

14

13

12

0.90

0.85

0.75

0.60

0.65

0.30

0.20

0.10

0.05

0.10

0.20

0.25

0.30

0.35

0.40

0.45

0.50

2.0

1.0

0.25

0.01

暗淡

D

F

G

G1

S

MILLIMETERS

英寸

最小值最大值最小值最大值

1.60

1.70 0.063 0.067

0.41

0.55 0.016 0.022

3.30

3.70 .130 .146

2.54 REF 。

.100 REF 。

0.03 MIN 。

0.001 MIN 。

图1

设计数据

案例：

DO- 213AA ，完全密封

玻璃柜。（ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）

铅表面处理：

锡/铅

热阻（R

OJEC ）：

100℃ / W最大为L = 0英寸

热阻抗：（Z

OJX ）： 35

C / W最高

极性：

二极管与操作

带状（阴极）端阳性。

安装面选择：

扩展的轴向系数

（ COE ）这个装置大约是

+ 6PPM / ℃。在安装的COE

地面系统应选择

提供一个合适的符合这种

装置。

注1

没有后缀类型号码+ 20 ％有保证的限制仅VZ ，LR和VF 。

单位以“A”后缀是+ 10％保限制VZ ，LR和VF 。单位

保证范围为所有六个参数由“B ”后缀表示为+ 5.0 ％为单位，

“C”的后缀为+ 2.0 ％和“D ”后缀为+ 1.0 ％。

齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结

温度为25℃ + 3 ℃。

齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于

10 ％ of1ZT 。

注2

注3

注4

注5

反向漏电流是在VR所示测量在桌子上。

V

Z是VZ之间的LZT和VZ在LZL测得的最大区别

在热平衡器件的结点。

6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841

电话（ 978 ） 620-2600

传真（ 978 ） 689-0803

网址： http://www.microsemi.com

143

CDLL5518

THRU

图2

CDLL5546D

钯，额定功率

耗散（ mW）的

500

400

300

200

100

0

25

50

75

100

125

150

175

TEC，端盖温度（ C° ）

功率降额曲线

1000

500

400

300

200

齐纳阻抗Z

ZT

（欧姆）

100

50

40

30

20

28 VOLT

10

5

4

3

2

11伏

6.8 VOLT

1

.1

.2

.5

1

2

5

10

20

50

100

工作电流I

ZT

（MA ）

科幻gure 3

齐纳阻抗VS.工作电流

144

1N5518BUR - 1 THRU 1N5546BUR - 1适用车型

JAN ， JANTX和JANTXV

每MIL -PRF- 437分之19500

齐纳二极管500mW的

无铅封装用于表面安装

低反向漏电流特性

冶金结合

1N5518BUR-1

THRU

1N5546BUR-1

和

CDLL5518通CDLL5546D

最大额定值

结存储温度： -65 ° C至+ 125°C

DC功耗： 500毫瓦@ TEC = + 125°C

功率降额： 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C

正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大

电气特性

@ 25 ° C，除非另有规定ED 。

B-C -D

苏FFI X

最大

直流稳压

CDI

TYPE

数

公称

齐纳

TEST

电压电流

VZ @ 1ZT

（注2 ）

伏

1ZT

马克斯。齐纳

阻抗

B-C -D后缀

ZZT @ 1ZT

（注3）

欧

最大反向

漏电流

规

因素

当前

V

Z

（注5 ）

伏

低

VZ

当前

1ZL

（注1 ）

lR

（注4 ）

VR - 伏特

NON & A-

苏FFI X

B-C -D-

苏FFI X

1ZM

mA

ADC

5.0

3.0

1.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

0.05

0.01

mA

CDLL5518B

CDLL5519B

CDLL5520B

CDLL5521B

CDLL5522B

CDLL5523B

CDLL5524B

CDLL5525B

CDLL5526B

CDLL5527B

CDLL5528B

CDLL5529B

CDLL5530B

CDLL5531B

CDLL5532B

CDLL5533B

CDLL5534B

CDLL5535B

CDLL5536B

CDLL5537B

CDLL5538B

CDLL5539B

CDLL5540B

CDLL5541B

CDLL5542B

CDLL5543B

CDLL5544B

CDLL5545B

CDLL5546B

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

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22.0

24.0

25.0

28.0

30.0

33.0

20

10

5.0

3.0

1.0

26

24

22

18

22

26

30

35

40

45

60

80

90

100

0.90

1.0

1.5

2.0

3.0

4.5

5.5

6.0

6.5

7.0

8.0

9.0

9.5

10.5

11.5

12.5

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

20.0

21.0

23.0

24.0

28.0

1.0

1.5

2.0

2.5

3.5

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

9.9

10.8

11.7

12.6

13.5

14.4

15.3

16.2

17.1

18.0

19.8

21.6

22.4

25.2

27.0

29.7

115

105

98

88

81

75

68

61

56

51

46

42

38

35

32

29

27

25

24

22

21

20

19

17

16

15

14

13

12

0.90

0.85

0.75

0.60

0.65

0.30

0.20

0.10

0.05

0.10

0.20

0.25

0.30

0.35

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2.0

1.0

0.25

0.01

暗淡

D

F

G

G1

S

MILLIMETERS

英寸

最小值最大值最小值最大值

1.60

1.70 0.063 0.067

0.41

0.55 0.016 0.022

3.30

3.70 .130 .146

2.54 REF 。

.100 REF 。

0.03 MIN 。

0.001 MIN 。

图1

设计数据

案例：

DO- 213AA ，完全密封

玻璃柜。（ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）

铅表面处理：

锡/铅

热阻（R

OJEC ）：

100℃ / W最大为L = 0英寸

热阻抗：（Z

OJX ）： 35

C / W最高

极性：

二极管与操作

带状（阴极）端阳性。

安装面选择：

扩展的轴向系数

（ COE ）这个装置大约是

+ 6PPM / ℃。在安装的COE

地面系统应选择

提供一个合适的符合这种

装置。

注1

没有后缀类型号码+ 20 ％有保证的限制仅VZ ，LR和VF 。

单位以“A”后缀是+ 10％保限制VZ ，LR和VF 。单位

保证范围为所有六个参数由“B ”后缀表示为+ 5.0 ％为单位，

“C”的后缀为+ 2.0 ％和“D ”后缀为+ 1.0 ％。

齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结

温度为25℃ + 3 ℃。

齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于

10 ％ of1ZT 。

注2

注3

注4

注5

反向漏电流是在VR所示测量在桌子上。

V

Z是VZ之间的LZT和VZ在LZL测得的最大区别

在热平衡器件的结点。

COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176

电话：（781 ） 665-1071

传真：（781 ） 665-7379

网站： http://www.cdi-diodes.com

电子信箱： mail@cdi-diodes.com

CDLL5518

THRU

图2

CDLL5546D

钯，额定功率

耗散（ mW）的

500

400

300

200

100

0

25

50

75

100

125

150

175

TEC，端盖温度（ C° ）

功率降额曲线

1000

500

400

300

200

齐纳阻抗Z

ZT

（欧姆）

100

50

40

30

20

28 VOLT

10

5

4

3

2

11伏

6.8 VOLT

1

.1

.2

.5

1

2

5

10

20

50

100

工作电流I

ZT

（MA ）

科幻gure 3

齐纳阻抗VS.工作电流

1N5518BUR - 1 THRU 1N5546BUR - 1适用车型

JAN ， JANTX和JANTXV

每MIL -PRF- 437分之19500

齐纳二极管500mW的

无铅封装用于表面安装

低反向漏电流特性

冶金结合

1N5518BUR-1

THRU

1N5546BUR-1

和

CDLL5518通CDLL5546D

最大额定值

结存储温度： -65 ° C至+ 125°C

DC功耗： 500毫瓦@ TEC = + 125°C

功率降额： 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C

正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大

电气特性

@ 25 ° C，除非另有规定ED 。

B-C -D

苏FFI X

最大

直流稳压

CDI

TYPE

数

公称

齐纳

TEST

电压电流

VZ @ 1ZT

1ZT

马克斯。齐纳

阻抗

B-C -D后缀

ZZT @ 1ZT

（注3）

欧

最大反向

漏电流

规

因素

当前

V

Z

（注5 ）

伏

低

VZ

当前

1ZL

（注1 ）

（注2 ）

伏

mA

lR

（注4 ）

VR - 伏特

NON & A-

苏FFI X

B-C -D-

苏FFI X

1ZM

ADC

5.0

3.0

1.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

0.05

0.01

mA

CDLL5518B

CDLL5519B

CDLL5520B

CDLL5521B

CDLL5522B

CDLL5523B

CDLL5524B

CDLL5525B

CDLL5526B

CDLL5527B

CDLL5528B

CDLL5529B

CDLL5530B

CDLL5531B

CDLL5532B

CDLL5533B

CDLL5534B

CDLL5535B

CDLL5536B

CDLL5537B

CDLL5538B

CDLL5539B

CDLL5540B

CDLL5541B

CDLL5542B

CDLL5543B

CDLL5544B

CDLL5545B

CDLL5546B

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

19.0

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22.0

24.0

25.0

28.0

30.0

33.0

20

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5.0

3.0

1.0

26

24

22

18

22

26

30

35

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45

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80

90

100

0.90

1.0

1.5

2.0

3.0

4.5

5.5

6.0

6.5

7.0

8.0

9.0

9.5

10.5

11.5

12.5

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

20.0

21.0

23.0

24.0

28.0

1.0

1.5

2.0

2.5

3.5

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

9.9

10.8

11.7

12.6

13.5

14.4

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16.2

17.1

18.0

19.8

21.6

22.4

25.2

27.0

29.7

115

105

98

88

81

75

68

61

56

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46

42

38

35

32

29

27

25

24

22

21

20

19

17

16

15

14

13

12

0.90

0.85

0.75

0.60

0.65

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0.20

0.10

0.05

0.10

0.20

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0.30

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0.50

2.0

1.0

0.25

0.01

暗淡

D

F

G

G1

S

MILLIMETERS

英寸

最小值最大值最小值最大值

1.60

1.70 0.063 0.067

0.41

0.55 0.016 0.022

3.30

3.70 .130 .146

2.54 REF 。

.100 REF 。

0.03 MIN 。

0.001 MIN 。

图1

设计数据

案例：

DO- 213AA ，完全密封

玻璃柜。（ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）

铅表面处理：

锡/铅

热阻（R

OJEC ）：

100℃ / W最大为L = 0英寸

热阻抗：（Z

OJX ）： 35

C / W最高

极性：

二极管与操作

带状（阴极）端阳性。

安装面选择：

扩展的轴向系数

（ COE ）这个装置大约是

+ 6PPM / ℃。在安装的COE

地面系统应选择

提供一个合适的符合这种

装置。

注1

没有后缀类型号码+ 20 ％有保证的限制仅VZ ，LR和VF 。

单位以“A”后缀是+ 10％保限制VZ ，LR和VF 。单位

保证范围为所有六个参数由“B ”后缀表示为+ 5.0 ％为单位，

“C”的后缀为+ 2.0 ％和“D ”后缀为+ 1.0 ％。

齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结

温度为25℃ + 3 ℃。

齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于

10 ％ of1ZT 。

注2

注3

注4

注5

反向漏电流是在VR所示测量在桌子上。

V

Z是VZ之间的LZT和VZ在LZL测得的最大区别

在热平衡器件的结点。

6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841

电话（ 978 ） 620-2600

传真（ 978 ） 689-0803

网址： http://www.microsemi.com

143

CDLL5518

THRU

图2

CDLL5546D

钯，额定功率

耗散（ mW）的

500

400

300

200

100

0

25

50

75

100

125

150

175

TEC，端盖温度（ C° ）

功率降额曲线

1000

500

400

300

200

齐纳阻抗Z

ZT

（欧姆）

100

50

40

30

20

28 VOLT

10

5

4

3

2

11伏

6.8 VOLT

1

.1

.2

.5

1

2

5

10

20

50

100

工作电流I

ZT

（MA ）

科幻gure 3

齐纳阻抗VS.工作电流

144

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

齐纳二极管， 500mW的

无铅封装用于表面安装

低反向漏电流特性

冶金结合

每个合格的MIL -PRF-四百三十七分之一万九千五

器件

合格水平

1N5518BUR - 1直通1N5546BUR - 1

和

CDLL5518通CDLL5546D

最大额定值在25℃

结温和存储温度：

DC功耗：

额定功率降低：

正向电压@ 200毫安：

-65 ° C到+ 175℃

500mW的@ T

EC

= +125°C

10毫瓦/ ° C以上牛逼

EC

= +125°C

最高1.1伏特

JAN

JANTX

JANTXV

D

电气特性

(T

A

= 25 ° C，除非另有规定编）

公称

齐纳

电压

V

Z

@ I

ZT

（注2 ）

伏

CDLL5518B

CDLL5519B

CDLL5520B

CDLL5521B

CDLL5522B

CDLL5523B

CDLL5524B

CDLL5525B

CDLL5526B

CDLL5527B

CDLL5528B

CDLL5529B

CDLL5530B

CDLL5531B

CDLL5532B

CDLL5533B

CDLL5534B

CDLL5535B

CDLL5536B

CDLL5537B

CDLL5538B

CDLL5539B

CDLL5540B

CDLL5541B

CDLL5542B

CDLL5543B

CDLL5544B

CDLL5545B

CDLL5546B

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

19.0

20.0

22.0

24.0

25.0

28.0

30.0

33.0

齐纳

TEST

当前

I

ZT

mA

20

10

5.0

3.0

1.0

马克斯。齐纳

阻抗

B-C -D

苏FFI X

Z

ZT

@ I

ZT

（注3）

欧

26

24

22

18

22

26

30

35

40

45

60

80

90

100

最大反向漏

当前

I

R

（注4 ）

μAdc

5.0

3.0

1.0

3.0

2.0

1.0

0.5

0.1

0.05

0.01

V

R

- 伏特

NON &

A-

苏FFI X

0.90

1.0

1.5

2.0

3.0

4.5

5.5

6.0

6.5

7.0

8.0

9.0

9.5

10.5

11.5

12.5

13.0

14.0

15.0

16.0

17.0

18.0

20.0

21.0

23.0

24.0

28.0

B-C -D-

苏FFI X

1.0

1.5

2.0

2.5

3.5

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

9.9

10.8

11.7

12.6

13.5

14.4

15.3

16.2

17.1

18.0

19.8

21.6

22.4

25.2

27.0

29.7

B-C -D

苏FFI X

MAIMUM

直流稳压

I

ZM

mA

115

105

98

88

81

75

68

61

56

51

46

42

38

35

32

29

27

25

24

22

21

20

19

17

16

15

14

13

12

规

因素

当前

ΔV

Z

（注5 ）

伏

0.90

0.85

0.75

0.60

0.65

0.30

0.20

0.10

0.05

0.10

0.20

0.25

0.30

0.35

0.40

0.45

0.50

低

V

Z

当前

I

ZL

TYPE

数

（注1 ）

G

G1

F

mA

2.0

1.0

0.25

0.01

S

MILLIMETERS

暗淡

D

F

G

G1

S

民

1.60

0.41

3.30

最大

1.70

0.55

3.70

英寸

民

0.063

0.016

.130

最大

0.067

0.022

.146

2.54 REF 。

0.03分钟

.100 REF 。

0.001分

图1

设计数据

案例：

DO- 213AA ，全密封的玻璃柜。

（ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）

铅表面处理：

锡/铅

热阻（R

JEC

):

100℃ / W最大为L = 0英寸

热阻抗：（Z

θJX

):

35 ° C / W最高

极性：

二极管与带状被操作

（阴极）端阳性。

MOUTING表面选择：

扩大这样做的轴向系数（ COE ）

设备是大约+ 6PPM / ℃。的的COE

安装面系统，应该选择

提供了一个合适的匹配与此设备。

注1 ：没有后缀类型号为± 20 ％有保证的限制只有V

Z

, I

R

和V

F

。单位以“A”

后缀为± 10 ％，有保证的限制V

Z

, I

R

和V

F

。单位担保限额为所有六个

参数由“B ”后缀表示为± 5.0 ％的单位， “C”为后缀的± 2.0 ％和“D”后缀

±1.0%.

注2 ：齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结

温度为25℃ ±3 ℃。

注3 ：齐纳阻抗是由叠加在我衍生

ZT

60Hz的交流电有效值电流等于I 10 ％

ZT

.

注4 ：反向漏电流在V测

R

如在表中所示。

注5 ：

ΔV

Z

为V之间的最大差

Z

在我

ZT

和V

Z

在我

ZL

与设备连接处测量

在热平衡。

LDS -0037修订版1（ 072304 ）

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