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CDCUN1208LP
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SCAS928 - 2012年5月
400 MHz的低功耗2 : 8扇出缓冲器与
通用输入和输出
检查样品:
CDCUN1208LP
1
特点
配置选项(通过引脚或SPI / I
2
C):
- 输入类型( HCSL , LVDS , LVCMOS )
- 输出类型( HCSL , LVDS , LVCMOS )
- 信号边缘速率(慢速,中速,快速)
- 时钟输入分频值( / 1 , / 2 , / 4 / 8 ) - IN2
低功耗和电源
管理功能,包括1.8V
操作和输出使能控制
集成稳压器提高PSNR
优秀的附加抖动性能
- 200 FS RMS ( 10kHz时,为20MHz ) ,在LVDS
100MHz
最大工作频率:
- 差分模式:高达400 MHz
- LVCMOS模式:高达250 MHz
ESD保护超过2kV的HBM , 500V CDM
工业级温度范围( -40 ° C至85°C )
宽电源电压范围( 1.8V ,2.5V或3.3V )
应用
通信系统(以太网, PCI
快递)
计算系统(以太网,的PCIe , USB )
消费者(机顶盒,视频设备)
办公自动化
描述
该CDCUN1208LP是2 : 8扇出缓冲器具有较宽的工作电压范围,两个通用
差分/单端输入,并与边缘速率控制的通用输出( HCSL ,LVDS或LVCMOS ) 。一
该设备的输入端包括一个分频器,其提供/ 1分频的值, / 2 /4 ,或/ 8 。该CDCUN1208LP提供
在一个32引脚QFN封装,降低了解决方案的尺寸。该装置是柔性的和易于使用的。状态
某些引脚决定在上电时设备配置。可替换地, CDCUN1208LP提供SPI /我
2
端口C
与一个主处理器控制的设备设置。该CDCUN1208LP提供出色的附加抖动
性能,和低功耗。输出部分包括四个专用的电源引脚使
从不同的电源域的输出端口的操作。这提供了能够时钟器件的开关
在不同的LVCMOS电平,而不需要外部逻辑电平转换电路。
V
DD
LVCMOS
NC
HCSL
LVDS
INSEL
HCSL
P
ITTP
HCSL
N
HCSL
P
IN1P
HCSL
N
LVCMOS
NC
V
DD
INSEL
LVDS
P
ITTP
LVDS
N
LVDS
P
IN1P
LVDS
N
INMUX
IN1N
IN2P
IN2N
/1,/2,/4,/8
IN1N
HCSL
P
HCSL
N
HCSL
P
HCSL
N
DIVIDE
IN2P
IN2N
/1,/2,/4,/8
INMUX
LVDS
P
LVDS
N
LVDS
P
LVDS
N
LVDS
P
LVDS
N
DIVIDE
HCSL
P
HCSL
N
NC
模式
HCSL
P
HCSL
N
NC
模式
LVDS
P
LVDS
N
V
DD
LVCMOS
NC
HCSL
OTTP
LVDS
HCSL
P
HCSL
N
HCSL
P
HCSL
N
OE
LVCMOS
V
DD
HCSL
OTTP
LVDS
LVDS
P
LVDS
N
LVDS
P
LVDS
N
OE
CDCUN1208LP
ERC
CDCUN1208LP
ERC
图1. CDCUN1208LP应用 - HCSL和LVDS扇出缓冲器模式
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
LVCMOS
VDD
GND
电压
调节器
动力
管理
LVCMOS
1.8V ,2.5V或3.3V
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
V
DD
LVCMOS
INSEL
HCSL
ITTP
LVDS
LVCMOS
1.8V ,2.5V或3.3V
LVCMOS
LVCMOS
IN1P
INMUX
IN1N
IN2P
IN2N
DIVIDE
/1,/2,/4,/8
LVCMOS
LVCMOS
1.8V ,2.5V或3.3V
LVCMOS
LVCMOS
NC
模式
LVCMOS
LVCMOS
1.8V ,2.5V或3.3V
V
DD
LVCMOS
LVCMOS
HCSL
OTTP
LVDS
LVCMOS
OE
CDCUN1208LP
ERC
图2. CDCUN1208LP典型的应用实例 - LVCMOS输出模式
2
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RHB包装
( TOP VIEW )
OUT4N
OUT6N
24
VDDO3
22
OUT5N
21
OUT4P
OUT5P
OUT6P
23
OTTP
19
20
18
17
16
15
14
OUT7P
OUT7N
VDDO4
OUT8P
OUT8N
模式
ERC
OE
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
OUT3N
OUT3P
VDDO2
OUT2N
OUT2P
VDDO1
OUT1N
OUT1P
UN1208LP
13
12
11
GND
(散热焊盘)
10
9
INSEL
DIVIDE
引脚功能
(1)
名字
GND
VDD
散热垫的电源和地热救援
5
设备电源,提供电源的输入部分和时钟分配部分。使用电源
电压相对应的时钟输入端(多个) (即1.8V ,2.5V或3.3V )的开关电平。
设备控制模式选择
OPEN =设备通过引脚设置( PIN模式)
HIGH =设备通过我配置
2
C
LOW =器件通过SPI配置
注意:对于通过串行接口I上的控制信息(
2
C / SPI ) ,见
设备控制使用主机
接口
部分。
分频器输入引脚控制
( HIGH = / 4,低= / 2 , OPEN = / 1 )
器输出使能
高=启用, LOW =禁用
输出边沿速率控制
HIGH =中,低=慢, OPEN =快速
输入多路复用器控制
输入类型选择( HIGH = HCSL , LOW = LVDS , OPEN = LVCMOS )
通用输入1 - 正端
通用输入1 - 负端,地,如果使用IN1在单端模式
通用输入2 - 正端
通用输入2 - 负极端子,接地,如果使用IN2在单端模式
输出类型选择( HIGH = HCSL , LOW = LVDS , OPEN = LVCMOS )
输出1 - 正端
输出1 - 负端
输出电源 - OUT1 , OUT2
输出2 - 正端
描述
IN1N
IN1P
VDD
IN2P
IN2N
ITTP
模式
30
DIVIDE
OE
ERC
INSEL
ITTP
IN1P
IN1N
IN2P
IN2N
OTTP
OUT1P
OUT1N
VDDO1
OUT2P
(1)
1
32
31
2
8
3
4
6
7
19
9
10
11
12
该引脚列表适用于在装置的操作中针模式。在主机模式下,某些引脚采取的复用功能的概述
表9 。
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3
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CDCUN1208LP
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引脚功能
(1)
(续)
名字
OUT2N
VDDO2
OUT3P
OUT3N
OUT4P
OUT4N
OUT5P
OUT5N
VDDO3
OUT6P
OUT6N
OUT7P
OUT7N
VDDO4
OUT8P
OUT8N
13
14
15
16
17
18
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
输出2 - 负端
输出电源 - OUT3 , OUT4 ;输出OUT1银行 - OUT4稳压电源(接通电源(如果有)
对OUT1 - OUT4需要)
输出3 - 正端
输出3 - 负端
输出4 - 正端
输出4 - 负端
输出5 - 正端
输出5 - 负端
输出电源 - OUT5 , OUT6
输出6 - 正端
输出6 - 负端
输出7 - 正端
输出7 - 负端
输出电源 - OUT7 , OUT8输出银行OUT5 - 如果任何OUT8稳压电源(功率应用
OUT5 - 需要OUT8 )
输出8 - 正端
输出8 - 负端
描述
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
包装设备
CDCUN1208LPRHBT
CDCUN1208LPRHBR
特点
32引脚QFN ( RHB )封装,小型磁带和卷轴
32引脚QFN ( RHB )封装,磁带和卷轴
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
DDXX
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
T
英镑
(1)
(2)
(3)
电源电压范围
(2)
输入电压范围
输入电流
输出电流
存储温度范围
(3)
(1)
价值
-0.5到4.6
-0.5到V
DDIx
+ 0.5
-0.5到V
DDOX
+ 0.5
20
50
-65到150
单位
V
V
V
mA
mA
°C
输出电压范围
(3)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备,在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电源电压必须同时提供
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
4
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热信息
CDCUN1208LP
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
QFN32
32针
32.5
24.2
6.6
0.3
6.6
1.6
° C / W
单位
间隔
(1)
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
推荐工作条件
T
A
= -40 ° C至85°C
电源
(1)
V
DD
V
DDOX
V
DD
V
DDOX
V
DD
V
DDOX
T
A
(1)
直流电源 - 睿
直流电源 - 输出
直流电源 - 睿
直流电源 - 输出
直流电源 - 睿
直流电源 - 输出
自由空气温度
1.8V模式
1.8V模式
2.5V模式
2.5V模式
3.3V模式
3.3V模式
1.7
1.7
2.375
2.375
2.97
2.97
–40
1.8
1.8
2.5
2.5
3.3
3.3
1.9
1.9
2.625
2.625
3.63
3.63
85
V
V
V
V
V
V
°C
最大
单位
温度
对于器件正常工作,核心电源电压(引脚5 )必须要么之前的任何输出功率的应用程序
与输出电源的应用供应或同时进行。的输出电源之前,该应用程序
应用程序的核心供电可能会导致不正确的设备行为。
表1. CDCUN1208LP功耗(T
A
= -40 ° C至85°C )
设备设置(见
表2)
(1)
参数
模式
OE
ERC
OTTP
INSEL
ITTP
PD位
TEST
CON组fi guration
主机配置
模式
(见
主持人
配置模式)
图19A , B,C
图19A
图19B
描述
MAX CURRENT
V
DD
= 1.8V
f
OUT
= f
in
= 100兆赫
MAX CURRENT
V
DD
= 3.3V
f
OUT
= f
in
= 100MHz的
单位
I
PD1.8,3.3
L或H
L
X
X
X
L
H
设备断电
3
4
mA
I
CORE1.8,3.3
I
HCSL1.8,3.3
I
LVDS1.8,3.3
O
O
O
L
H
H
X
O
O
X
H
L
X
L
L
L
O
O
X
X
X
器件输出关
HCSL缓冲器电流
消费
(2)
LVDS缓冲器电流
消费
(2)
LVCMOS缓冲器
消耗电流
(单面)
(2)
器件的电流
消费 - HCSL
模式
器件的电流
消费 - LVDS
模式
器件的电流
消费 -
LVCMOS模式
26
23
9
35
23
9
mA
mA
mA
I
LVCMOS1.8,3.3
O
H
O
O
L
O
X
图19C
8
11
mA
I
DEV-HCSL1.8,3.3
O
H
O
H
L
O
X
图19A
200
200
mA
I
DEV-LVDS1.8,3.3
O
H
O
L
L
O
X
图19B
80
90
mA
I
DEV-LVCMOS1.8,3.3
O
H
O
O
L
O
X
图19C
130
210
mA
(1)
(2)
H =输入高, L =输入低; O =输入公开赛
缓冲器的电流消耗值表示当前由V得出的平均
DDO1
, V
DDO2
, V
DDO3
和V
DDO4
除以8
(差动模式)或16(单端模式) 。
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