CDCS503-Q1
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SCAS924B - 2012年3月 - 修订2012年6月
时钟缓冲器/时钟乘法器具有可选SSC
检查样品：
CDCS503-Q1
1
特点
通过汽车应用认证
AEC -Q100测试指导用下面的
结果：
- 设备温度等级2
- -40 ° C至105 ° C工作环境
温度范围
- 设备HBM ESD分类等级H2
- 设备CDM ESD分类等级C3B
一个家庭易于使用的时钟的一部分
发电机设备使用可选的扩频
扩频时钟（ SSC ）
时钟倍频器，可选择输出
频率和可选择SSC
SSC可控通过两个外部引脚
- ± 0 ％ ，± 0.5 ％ ，± 1 ％ ， ± 2 ％传播中心
倍频可选择之间
X1和X4采用一个外部控制引脚
V
DD
输出禁止通过控制引脚
采用3.3 V单设备电源
宽温度范围-40 ° C至105℃
低空间消耗8引脚TSSOP
包
应用
汽车领域的应用要求EMI
减少通过SSC和/或时钟
乘法
IN
SSC_SEL 0
SSC_SEL 1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
CDCS503-Q1
VDD
OE
OUT
FS
GND
IN
LVCMOS
X1和X4
/ SSC
LV
CMOS
OUT
SSC_SEL 0
SSC_SEL 1
FS
OE
控制
逻辑
图1.框图
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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CDCS503-Q1
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描述
该CDCS503 -Q1器件的扩频能力，具有可选频率LVCMOS输入时钟缓冲器
乘法。
这股主要功能与CDCS502但使用晶体输入级的LVCMOS的输入级，而不是
该CDCS502和CDCS503 - Q1的具有输出使能引脚。
该器件接受在输入一个3.3 -V LVCMOS信号。
该输入信号由一个锁相环（PLL ），其输出频率是等于输入处理
频率或乘以4的系数。
该PLL也能够通过± 0％到传播时钟信号， ± 0.5％ ， ± 1 ％，± 2％左右的输出时钟为中心
频率用三角调制。
通过此，该装置可以生成输出频率为8 MHz和108 MHz的具有或不具有SSC之间。
一个单独的控制引脚可被用来使能或禁止输出。该CDCS503 -Q1器件工作在3.3 -V
环境。
它的特点是操作温度范围为-40 ° C至105 ° C，并采用8引脚TSSOP封装。
表1.功能表
OE
0
1
1
1
1
1
1
1
1
FS
x
0
0
0
0
1
1
1
1
SSC_SEL 0
x
0
0
1
1
0
0
1
1
SSC_SEL 1
x
0
1
0
1
0
1
0
1
SSC金额
x
±0.00%
±0.50%
±1.00%
±2.00%
±0.00%
±0.50%
±1.00%
±2.00%
f
OUT
/f
IN
x
1
1
1
1
4
4
4
4
f
OUT
在f
in
= 27 MHz的
3-state
27兆赫
27兆赫
27兆赫
27兆赫
108兆赫
108兆赫
108兆赫
108兆赫
2
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
设备信息
包
IN
SSC_SEL 0
SSC_SEL 1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
CDCS503-Q1
VDD
OE
OUT
FS
引脚功能
信号
IN
OUT
SSC_SEL 0,1
OE
FS
VDD
GND
针
1
6
2, 3
7
5
8
4
TYPE
I
O
I
I
I
动力
地
描述
LVCMOS时钟输入
LVCMOS时钟输出
传播选择引脚，内部上拉
输出使能，内部上拉
倍频选择，内部上拉
3.3 V电源
地
订购信息
T
A
-40C至105C
包
TSSOP
2000
订购型号
CDCS503TPWRQ1
顶部端标记
CS503Q
封装热阻的TSSOP （ PW ）封装
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
PW 8引脚TSSOP
R
θJA
R
θJC
(1)
高钾
低钾
高钾
低钾
65
69
热气流（ CFM ）
0
149
230
150
142
185
250
138
170
500
132
150
单位
° C / W
° C / W
封装的热阻抗的计算按照JESD 51 JEDEC2S2P （高K板） 。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
CDCS503TPWRQ1
PW （ 8芯）
179.9
64.9
108.7
9
107
不适用
° C / W
单位
(1)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
V
DD
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
T
ST
T
J
ESD额定值
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
输入电流（V
I
< 0 ，V
I
＆ GT ; V
DD
)
连续输出电流
存储温度范围
最高结温
人体模型（ HBM ） AEC -Q100分类级别H2
带电器件模型（ CDM ） AEC -Q100等级分类C3B
(1)
-0.5到4.6
-0.5到4.6
-0.5到4.6
20
50
-65到150
125
1.5
750
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
kV
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
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推荐工作条件
民
V
DD
f
IN
V
IL
V
IH
V
I
C
L
I
OH
/I
OL
T
A
电源电压
输入频率
低电平输入电压LVCMOS
高电平输入电压LVCMOS
输入电压阈值LVCMOS
输出负载测试LVCMOS
输出电流
工作自由空气的温度
–40
0.7 V
DD
0.5 V
DD
15
±12
105
FS = 0
FS = 1
3
8
8
喃
最大
3.6
32
27
0.3 V
DD
单位
V
兆赫
V
V
V
pF
mA
°C
设备特点
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
I
DD
f
OUT
I
IH
I
IL
V
OH
器件的电源电流
输出频率
LVCMOS输入电流
LVCMOS输入电流
LVCMOS高电平输出电压
测试条件
f
OUT
= 20 MHz的; FS = 0，没有SSC
f
OUT
= 70 MHz的; FS = 1， SSC = 2％
FS = 0
FS = 1
V
I
= V
DD
; V
DD
= 3.6 V
V
I
= 0 V; V
DD
= 3.6 V
I
OH
= - 0.1毫安
I
OH
= - 8毫安
I
OH
= - 12毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
OL
I
OZ
t
JIT （ C-C ）
t
r
/t
f
O
dc
f
MOD
(1)
(2)
LVCMOS低电平输出电压
高阻态输出电流
循环周期抖动
(1)
民
典型值
19
22
最大
单位
mA
8
32
32
108
10
–10
兆赫
μA
μA
V
2.9
2.4
2.2
0.1
0.5
0.8
–2
110
0.75
45%
30
55%
千赫
2
μA
ps
ns
V
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 12毫安
OE =低
f
OUT
= 108 MHz的; FS = 1，
SSC = 1 ％ ， 10000次
20%–80%
上升和下降时间
(1)
输出占空比
(2)
调制频率
测量与测试负载，请参阅
网络连接gure 3 。
未经生产测试。
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