CDCS502
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SCAS868 - 2008年12月
晶振/时钟发生器具有可选SSC
1
特点
一个家庭易于使用的时钟的一部分
发电机设备具有可选SSC
晶体振荡器,集成晶体
电容,可选的输出频率和
可选SSC
通过2个外部引脚SSC可控
- ± 0 % ,± 0.5 % ,± 1 % , ± 2 %传播中心
倍频可选择之间
X1和X4采用一个外部控制引脚
3.3V单电源设备电源
宽温度范围-40 ° C至85°C
8引脚TSSOP封装的低空间消耗
包
应用
消费和工业应用
需要晶体振荡器的可能性
降低EMI ,通过扩频
时钟
包
X
IN
SSC_SEL 0
SSC_SEL 1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
CDCS502
X
OUT
VDD
OUT
FS
框图
V DD
GND
XIN
XO
XOUT
SSC_SEL 0
SSC_SEL 1
FS
控制
逻辑
X1和X4
/ SSC
LV
CMOS
OUT
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
描述
该CDCS502是扩频能力,基本模式晶体振荡器,频率可选
乘法。
它采用了先进的增益控制的基本模式晶体振荡器阶段,一个内置的负载电容
的10pF的。此振荡器级接收结晶为8MHz到32MHz的具有高达180Ω的ESR 。该阶段可
可以使用与50μW的功率耗散和向上晶体。
该输入信号由一个锁相环,它的输出频率是等于输入频率或处理
乘以4的系数。
该PLL也能够通过± 0%到传播时钟信号, ± 0.5% , ± 1 %,± 2%左右的输出时钟为中心
频率与三角波调制。
通过此,该设备可以产生具有或不具有SSC从一个8MHz的和108MHz的输出之间的频率
基本模式晶体。
与0%的SSC的量×1模式下,该设备可以作为一个标准的晶体振荡器和不使用
内置的PLL 。
该CDCS502工作在3.3V的环境。
它的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。它采用8引脚TSSOP封装。
功能表
FS
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
SSC_SEL 0
0
0
1
1
0
0
1
1
SSC_SEL 1
0
1
0
1
0
1
0
1
SSC金额
±0.00%
±0.50%
±1.00%
±2.00%
±0.00%
±0.50%
±1.00%
±2.00%
f
OUT
/f
IN
1
1
1
1
4
4
4
4
f
OUT
在f
in
= 27 MHz的
27兆赫
(1)
27兆赫
27兆赫
27兆赫
108兆赫
108兆赫
108兆赫
108兆赫
在这种模式下,从所述晶体的信号旁路内部PLL以获得最佳性能。
包
X
IN
SSC_SEL 0
SSC_SEL 1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
CDCS502
X
OUT
VDD
OUT
FS
引脚功能
信号
X
IN
X
OUT
OUT
SSC_SEL 0,1
FS
V
DD
GND
针
1
8
6
2, 3
5
7
4
TYPE
I
O
O
I
I
动力
地
晶振输入
晶振输出
LVCMOS时钟输出
传播选择引脚,内部上拉
倍频选择,内部上拉
3.3V电源
地
描述
2
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封装热阻的TSSOP ( PW )封装
(1)
CDCV304PW 8引脚TSSOP
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJC
(1)
高钾
低钾
高钾
高钾
65
69
热空气流量( CFM )
0
149
230
150
142
185
250
138
170
500
132
150
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
封装的热阻抗的计算按照JESD 51 JEDEC2S2P (高K板) 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
价值
V
DD
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
T
ST
T
J
(1)
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
输入电流(V
I
< 0 ,V
I
> VDD )
连续输出电流
存储温度范围
最高结温
-0.5到4.6
-0.5到4.6
-0.5到4.6
±20
±50
-65到150
125
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
DD
f
IN
V
IL
V
IH
V
I
C
L
I
OH
/I
OL
T
A
电源电压
输入频率
低电平输入电压LVCMOS
高电平输入电压LVCMOS
输入电压阈值LVCMOS
输出测试负载LVCMOS
输出电流
工作自由空气的温度
–40
0.7 VDD
0.5 VDD
10
12
85
3.0
8
喃
最大
3.6
32
0.3的Vdd
单位
V
兆赫
V
V
V
pF
mA
°C
推荐水晶规格
(1)
参数
f
X - TAL
ESR
C
L
T
X - TAL
(1)
(2)
晶振输入频率范围
等效串联电阻
(2)
片上,在XIN和XOUT负载电容
水晶功耗
50
10
条件
FS = 0
FS = 1
民
8
8
喃
最大
32
27
180
单位
兆赫
pF
W
关于水晶的详细信息,请参阅晶体部分的应用程序部分
采用5 pF水晶包并联电容
2008 ,德州仪器
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设备特点
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
PARAMET
ER
国际直拨电话
器件的电源电流
条件
f
OUT
= 20 MHz的; FS = 0,没有SSC
f
OUT
= 20 MHz的; FS = 0, SSC = 2%
f
OUT
= 70 MHz的; FS = 1, SSC = 2%
f
OUT
I
IH
I
IL
V
OH
输出频率
LVCMOS输入电流
LVCMOS输入电流
LVCMOS高电平输出
电压
FS = 0
FS = 1
V
I
= VDD ; VDD = 3.6 V
V
I
= 0 V ; VDD = 3.6 V
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= - 8毫安
I
OH
= -12毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
OL
t
JIT ( CC )
t
r
/t
f
O
dc
f
MOD
LVCMOS输出低电平
电压
循环周期抖动
上升和下降时间
输出占空比
调制频率
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 12毫安
f
OUT
= 108 MHz的; FS = 1, SSC = 1% ,
10000次
20%–80%
PLL活动
45%
30
100
0.75
55%
千赫
2.9
2.4
2.2
0.1
0.5
0.8
ps
ns
V
V
8
32
民
典型值
8
18
22
32
108
10
–10
兆赫
兆赫
A
A
mA
最大
单位
40
30
I
DD
- 输入电流 - 毫安
X4模式
20
X1模式
10
0
5
10
15
20
25
f
i
- 输入频率 - MHz的
30
35
图1. IDD与输入频率, VCC = 3.3V , SSC = 2 %
4
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图2.相位噪声图, X1模式, 0 % SSC , 27 MHz的晶振
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晶振/时钟发生器具有可选SSC
1
特点
一个家庭易于使用的时钟的一部分
发电机设备具有可选SSC
晶体振荡器,集成晶体
电容,可选的输出频率和
可选SSC
通过2个外部引脚SSC可控
- ± 0 % ,± 0.5 % ,± 1 % , ± 2 %传播中心
倍频可选择之间
X1和X4采用一个外部控制引脚
3.3V单电源设备电源
宽温度范围-40 ° C至85°C
8引脚TSSOP封装的低空间消耗
包
应用
消费和工业应用
需要晶体振荡器的可能性
降低EMI ,通过扩频
时钟
包
X
IN
SSC_SEL 0
SSC_SEL 1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
CDCS502
X
OUT
VDD
OUT
FS
框图
V DD
GND
XIN
XO
XOUT
SSC_SEL 0
SSC_SEL 1
FS
控制
逻辑
X1和X4
/ SSC
LV
CMOS
OUT
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
描述
该CDCS502是扩频能力,基本模式晶体振荡器,频率可选
乘法。
它采用了先进的增益控制的基本模式晶体振荡器阶段,一个内置的负载电容
的10pF的。此振荡器级接收结晶为8MHz到32MHz的具有高达180Ω的ESR 。该阶段可
可以使用与50μW的功率耗散和向上晶体。
该输入信号由一个锁相环,它的输出频率是等于输入频率或处理
乘以4的系数。
该PLL也能够通过± 0%到传播时钟信号, ± 0.5% , ± 1 %,± 2%左右的输出时钟为中心
频率与三角波调制。
通过此,该设备可以产生具有或不具有SSC从一个8MHz的和108MHz的输出之间的频率
基本模式晶体。
与0%的SSC的量×1模式下,该设备可以作为一个标准的晶体振荡器和不使用
内置的PLL 。
该CDCS502工作在3.3V的环境。
它的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。它采用8引脚TSSOP封装。
功能表
FS
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
SSC_SEL 0
0
0
1
1
0
0
1
1
SSC_SEL 1
0
1
0
1
0
1
0
1
SSC金额
±0.00%
±0.50%
±1.00%
±2.00%
±0.00%
±0.50%
±1.00%
±2.00%
f
OUT
/f
IN
1
1
1
1
4
4
4
4
f
OUT
在f
in
= 27 MHz的
27兆赫
(1)
27兆赫
27兆赫
27兆赫
108兆赫
108兆赫
108兆赫
108兆赫
在这种模式下,从所述晶体的信号旁路内部PLL以获得最佳性能。
包
X
IN
SSC_SEL 0
SSC_SEL 1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
CDCS502
X
OUT
VDD
OUT
FS
引脚功能
信号
X
IN
X
OUT
OUT
SSC_SEL 0,1
FS
V
DD
GND
针
1
8
6
2, 3
5
7
4
TYPE
I
O
O
I
I
动力
地
晶振输入
晶振输出
LVCMOS时钟输出
传播选择引脚,内部上拉
倍频选择,内部上拉
3.3V电源
地
描述
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封装热阻的TSSOP ( PW )封装
(1)
CDCV304PW 8引脚TSSOP
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJC
(1)
高钾
低钾
高钾
高钾
65
69
热空气流量( CFM )
0
149
230
150
142
185
250
138
170
500
132
150
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
封装的热阻抗的计算按照JESD 51 JEDEC2S2P (高K板) 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
价值
V
DD
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
T
ST
T
J
(1)
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
输入电流(V
I
< 0 ,V
I
> VDD )
连续输出电流
存储温度范围
最高结温
-0.5到4.6
-0.5到4.6
-0.5到4.6
±20
±50
-65到150
125
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
DD
f
IN
V
IL
V
IH
V
I
C
L
I
OH
/I
OL
T
A
电源电压
输入频率
低电平输入电压LVCMOS
高电平输入电压LVCMOS
输入电压阈值LVCMOS
输出测试负载LVCMOS
输出电流
工作自由空气的温度
–40
0.7 VDD
0.5 VDD
10
12
85
3.0
8
喃
最大
3.6
32
0.3的Vdd
单位
V
兆赫
V
V
V
pF
mA
°C
推荐水晶规格
(1)
参数
f
X - TAL
ESR
C
L
T
X - TAL
(1)
(2)
晶振输入频率范围
等效串联电阻
(2)
片上,在XIN和XOUT负载电容
水晶功耗
50
10
条件
FS = 0
FS = 1
民
8
8
喃
最大
32
27
180
单位
兆赫
pF
W
关于水晶的详细信息,请参阅晶体部分的应用程序部分
采用5 pF水晶包并联电容
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设备特点
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
PARAMET
ER
国际直拨电话
器件的电源电流
条件
f
OUT
= 20 MHz的; FS = 0,没有SSC
f
OUT
= 20 MHz的; FS = 0, SSC = 2%
f
OUT
= 70 MHz的; FS = 1, SSC = 2%
f
OUT
I
IH
I
IL
V
OH
输出频率
LVCMOS输入电流
LVCMOS输入电流
LVCMOS高电平输出
电压
FS = 0
FS = 1
V
I
= VDD ; VDD = 3.6 V
V
I
= 0 V ; VDD = 3.6 V
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= - 8毫安
I
OH
= -12毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
OL
t
JIT ( CC )
t
r
/t
f
O
dc
f
MOD
LVCMOS输出低电平
电压
循环周期抖动
上升和下降时间
输出占空比
调制频率
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 12毫安
f
OUT
= 108 MHz的; FS = 1, SSC = 1% ,
10000次
20%–80%
PLL活动
45%
30
100
0.75
55%
千赫
2.9
2.4
2.2
0.1
0.5
0.8
ps
ns
V
V
8
32
民
典型值
8
18
22
32
108
10
–10
兆赫
兆赫
A
A
mA
最大
单位
40
30
I
DD
- 输入电流 - 毫安
X4模式
20
X1模式
10
0
5
10
15
20
25
f
i
- 输入频率 - MHz的
30
35
图1. IDD与输入频率, VCC = 3.3V , SSC = 2 %
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图2.相位噪声图, X1模式, 0 % SSC , 27 MHz的晶振
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