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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第434页 > CDCLVC1106PWR
CDCLVC11xx
www.ti.com
SCAS895 - 2010年5月
3.3 V和2.5 V LVCMOS高性能时钟缓冲器系列
检查样品:
CDCLVC11xx
1
特点
高性能1: 2,1: 3,1: 4,1: 6,1 :8, 1:10
1:12 LVCMOS时钟缓冲器系列
非常低引脚对引脚歪斜< 50 PS
超低附加抖动< 100 fs的
电源电压: 3.3 V或2.5 V
f
最大
= 250 MHz的3.3 V
f
最大
= 180 MHz的2.5 V
CLKIN
LV
CMOS
LV
CMOS
工作温度范围: -40 ° C至85°C
可在8 ,14 , 16 ,20 , 24引脚TSSOP
封装(引脚全部兼容)
应用
通用通信,工业
和消费应用
Y0
Y1
Y2
Y3
LV
CMOS
LV
CMOS
LV
CMOS
CLKIN 1
1G 2
Y0 3
GND 4
VDD 5
Y4 6
7 GND
Y6 8
VDD 9
Y9 10
GND 11
Y11 12
CDCLVC
CDCLVC
CDCLVC
1102
1103
1104
CDCLVC
CDCLVC
CDCLVC
CDCLVC
1106
1108
1110
1112
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
Y7
Y8
GND
Y 10
VDD
LV
CMOS
Yn
1G
描述
该CDCLVC11xx是一个模块化,高性能,低偏移,通用时钟缓冲器系列从得克萨斯州
仪器。
整个系列的设计充分考虑了模块化方法。它的目的是圆了TI的系列LVCMOS的
时钟发生器。
有7个不同的扇出变型中, 1:2至1:12,可用。所有这些器件的引脚兼容,相互
为便于操作。
所有家庭成员共享,如低附加抖动,低偏移,宽相同的高性能特性
工作温度范围。
该CDCLVC11xx支持异步输出使能控制( 1G )的切换输出到低
状态时, 1G低。此外,随着版本的同步使能控制的无故障切换和三态
输出计划在未来的设备选项。
该CDCLVC11xx工作在2.5 V和3.3 V环境中,其特点为操作温度范围为-40 ° C至
85°C.
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ,德州仪器
CDCLVC11xx
SCAS895 - 2010年5月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
封装选项
CLKIN
1G
Y0
GND
1
2
3
4
CDCLVC1102
8
7
6
5
Y1
NC
VDD
NC
CLKIN
1G
Y0
GND
VDD
Y4
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
CLKIN 1
1G 2
Y0 3
GND 4
VDD 5
Y4 6
7 GND
Y6 8
VDD 9
Y 9 10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
Y7
Y8
GND
CDCLVC1106
CDCLVC 1110
CLKIN
1G
Y0
GND
1
2
3
4
CDCLVC1103
8
7
6
5
Y1
NC
VDD
Y2
CLKIN
1G
Y0
GND
1
2
3
4
CDCLVC1104
8
7
6
5
Y1
Y3
VDD
Y2
CLKIN
1G
Y0
GND
VDD
Y4
GND
Y6
1
2
3
4
5
6
7
8
CDCLVC1108
16
15
14
13
12
11
10
9
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
Y7
CLKIN 1
1G 2
Y0 3
GND 4
VDD 5
Y4 6
7 GND
Y6 8
VDD 9
Y 9 10
GND 11
Y 11 12
CDCLVC 1112
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
Y7
Y8
GND
Y 10
VDD
引脚功能
器件
CDCLVC1102
CDCLVC1103
CDCLVC1104
CDCLVC1106
CDCLVC1108
CDCLVC1110
CDCLVC1112
LVCMOS
时钟输入
CLKIN
1
1
1
1
1
1
1
时钟输出
启用
1G
2
2
2
2
2
2
2
LVCMOS时钟输出
Y0, Y1, … Y11
3, 8
3, 8, 5
3, 8, 5, 7
3, 14, 11, 13, 6, 9
3, 16, 13, 15, 6, 11, 8, 9
3, 20, 17, 19, 6, 15, 8, 13, 10
3, 24, 21, 23, 6, 19, 8, 17, 16, 10, 14, 12
供应
电压
V
DD
6
6
6
5, 8, 12
5, 10, 14
5, 9, 14, 18
5, 9, 13, 18, 22
GND
4
4
4
4, 7, 10
4, 7, 12
4, 7, 11, 16
4, 7, 11, 15, 20
输出逻辑表
输入
CLKIN
X
L
H
1G
L
H
H
输出
Yn
L
L
H
2
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CDCLVC11xx
2010 ,德州仪器
CDCLVC11xx
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SCAS895 - 2010年5月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
值/单位
V
DD
V
IN
V
O
I
IN
I
O
T
J
T
ST
(1)
(2)
电源电压范围
输入电压范围
输入电流
连续输出电流
最高结温
存储温度范围
(2)
(2)
-0.5 V至4.6 V
-0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
= 20毫安
-50毫安
125°C
-65_C到150_C
输出电压范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这个值被限制在4.6V的最大。
热信息
DCDLVC1102/03/04
热公制
(1)
CDCLVC1106
PW
14个引脚
112.6
48.0
CDCLVC1108
PW
16针
108.4
33.6
CDCLVC11010
PW
20针
83.0
32.3
CDCLVC1112
PW
24针
87.9
26.5
° C / W
单位
PW
8引脚
q
JA
q
JC (顶部)
结至环境热阻
(2)
结至外壳(顶部)热阻
(3)
149.4
69.4
(1)
(2)
(3)
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准,高K板上的模拟获得,如
在JESD51-7指定,在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体(顶部)的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
DD
V
IL
V
IH
V
th
t
r
/ t
f
t
w
f
CLK
T
A
电源电压范围
低电平输入电压
高电平输入电压
输入阈值电压
输入转换率
最小脉冲宽度
CLKIN
LVCMOS时钟输入
频率
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
3.3 V电源
2.5 V电源
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
V
DD
= 2.3 V至3.6 V
1
1.8
2.75
DC
DC
–40
250
180
85
V
DD
/2 + 600
V
DD
/2 + 400
V
DD
/2
4
3.0
2.3
3.3
2.5
最大
3.6
2.7
V
DD
/2 – 600
V
DD
/2 – 400
单位
V
mV
mV
mV
V / ns的
ns
兆赫
°C
工作自由空气的温度
2010 ,德州仪器
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CDCLVC11xx
3
CDCLVC11xx
SCAS895 - 2010年5月
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设备特点
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
全局参数的所有版本
I
DD
I
PD
C
PD
I
I
静态电流器件
(2)
掉电电流
功率耗散电容
每路输出
(3)
在1G输入漏电流
在CLKIN的输入漏电流
1G = V
DD
; CLKIN = 0 V或V
DD
; I
O
= 0 mA时; V
DD
= 3.6 V
1G = V
DD
; CLKIN = 0 V或V
DD
; I
O
= 0 mA时; V
DD
= 2.7 V
1G = 0 V ; CLKIN = 0 V或V
DD
; I
O
= 0 mA时; V
DD
= 3.6 V或2.7 V
V
DD
= 3.3 V ; F = 10MHz的
V
DD
= 2.5 V ; F = 10MHz的
V
I
= 0 V或V
DD
, V
DD
= 3.6 V或2.7 V
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
V
DD
= 3 V,I
OH
= -0.1毫安
V
OH
高电平输出电压
V
DD
= 3 V,I
OH
= -8毫安
V
DD
= 3 V,I
OH
= -12毫安
V
DD
= 3 V,I
OL
- 0.1毫安
V
OL
t
PLH
,
t
PHL
t
SK ( O)
t
r
/t
f
t
DIS
t
EN
t
SK (p)的
低电平输出电压
V
DD
= 3 V,I
OL
= 8毫安
V
DD
= 3 V,I
OL
= 12毫安
传播延迟
输出偏斜
上升和下降时间
输出禁止时间
输出使能时间
脉冲偏斜;
t
PLH ( YN )
– t
PHL ( YN )
附加抖动均方根
(4)
条件
最小值典型值
(1)
6
3
6
4.5
最大
10
6
60
单位
mA
mA
A
pF
pF
±8
± 25
45
60
DC
DC
2.9
2.5
2.2
0.1
0.5
0.8
0.8
2.0
50
0.3
0.8
6
6
180
0.5
100
250
180
A
Ω
Ω
兆赫
兆赫
R
OUT
输出阻抗
f
OUT
输出频率
输出参数V
DD
= 3.3 V ± 0.3 V
V
V
CLKIN到Yn
每路输出的负载相等
20%–80% (V
OH
- V
OL
)
1G到Yn
1G到Yn
与50%的输入的占空比来测定
下同等工作条件下为两部分
12kHz的... 20兆赫,女
OUT
= 250兆赫
ns
ps
ns
ns
ns
ps
ns
fs
t
SK (PP)的
部分到部分斜
t
抖动
(1)
(2)
(3)
(4)
所有典型值均在各自的标称V
DD
。对于开关特性,输出端接至50
Ω
到V
DD
/ 2 (见
图1)。
对于动态我
DD
过频见
图8
图9 。
这是通式为的功耗计算(见
图8
对电源
部分) 。
P
合计
= P
STAT
+ P
DYN
+ P
CLOAD
[W]
P
STAT
= V
DD
× I
DD
[W]
P
DYN
= C
PD
× V
DD
2 × [W]
P
CLOAD
= C
负载
× V
DD
2 × × N [ W]
开关输出引脚N =数
t
SK (p)的
取决于输出的上升时间和下降时间(t
r
/t
f
) 。的输出占空比,可以计算: ODC = (叔
W(出)
± t
SK (p)的
)/t
; t
W(出)
is
脉宽输出波形和TPERIOD的是的1 / f
OUT
.
4
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CDCLVC11xx
2010 ,德州仪器
CDCLVC11xx
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SCAS895 - 2010年5月
器件特性(续)
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
输出参数V
DD
= 2.5 V ± 0.2 V
V
OH
V
OL
t
PLH
,
t
PHL
t
SK ( O)
t
r
/t
f
t
DIS
t
EN
t
SK (p)的
高电平输出电压
低电平输出电压
传播延迟
输出偏斜
上升和下降时间
输出禁止时间
输出使能时间
脉冲偏斜;
t
PLH ( YN )
– t
PHL ( YN )
附加抖动均方根
(5)
条件
V
DD
= 2.3 V,I
OH
= -0.1毫安
V
DD
= 2.3 V,I
OH
= -8毫安
V
DD
= 2.3 V,I
OL
- 0.1毫安
V
DD
= 2.3 V,I
OL
= 8毫安
CLKIN到Yn
每路输出的负载相等
20%-80%的参考点
1G到Yn
1G到Yn
与50%的输入的占空比来测定
下同等工作条件下为两部分
12kHz的... 20兆赫,女
OUT
= 180兆赫
最小值典型值
(1)
2.2
1.7
最大
单位
V
0.1
0.5
V
ns
ps
ns
ns
ns
ps
ns
fs
1.0
2.6
50
0.3
1.2
10
10
220
1.2
350
t
SK (PP)的
部分到部分斜
t
抖动
(5)
t
SK (p)的
取决于输出的上升时间和下降时间(t
r
/t
f
) 。的输出占空比,可以计算: ODC = (叔
W(出)
± t
SK (p)的
)/t
; t
W(出)
is
脉宽输出波形和TPERIOD的是的1 / f
OUT
.
2010 ,德州仪器
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CDCLVC11xx
5
CDCLVC11xx
www.ti.com
SCAS895 - 2010年5月
3.3 V和2.5 V LVCMOS高性能时钟缓冲器系列
检查样品:
CDCLVC11xx
1
特点
高性能1: 2,1: 3,1: 4,1: 6,1 :8, 1:10
1:12 LVCMOS时钟缓冲器系列
非常低引脚对引脚歪斜< 50 PS
超低附加抖动< 100 fs的
电源电压: 3.3 V或2.5 V
f
最大
= 250 MHz的3.3 V
f
最大
= 180 MHz的2.5 V
CLKIN
LV
CMOS
LV
CMOS
工作温度范围: -40 ° C至85°C
可在8 ,14 , 16 ,20 , 24引脚TSSOP
封装(引脚全部兼容)
应用
通用通信,工业
和消费应用
Y0
Y1
Y2
Y3
LV
CMOS
LV
CMOS
LV
CMOS
CLKIN 1
1G 2
Y0 3
GND 4
VDD 5
Y4 6
7 GND
Y6 8
VDD 9
Y9 10
GND 11
Y11 12
CDCLVC
CDCLVC
CDCLVC
1102
1103
1104
CDCLVC
CDCLVC
CDCLVC
CDCLVC
1106
1108
1110
1112
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
Y7
Y8
GND
Y 10
VDD
LV
CMOS
Yn
1G
描述
该CDCLVC11xx是一个模块化,高性能,低偏移,通用时钟缓冲器系列从得克萨斯州
仪器。
整个系列的设计充分考虑了模块化方法。它的目的是圆了TI的系列LVCMOS的
时钟发生器。
有7个不同的扇出变型中, 1:2至1:12,可用。所有这些器件的引脚兼容,相互
为便于操作。
所有家庭成员共享,如低附加抖动,低偏移,宽相同的高性能特性
工作温度范围。
该CDCLVC11xx支持异步输出使能控制( 1G )的切换输出到低
状态时, 1G低。此外,随着版本的同步使能控制的无故障切换和三态
输出计划在未来的设备选项。
该CDCLVC11xx工作在2.5 V和3.3 V环境中,其特点为操作温度范围为-40 ° C至
85°C.
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ,德州仪器
CDCLVC11xx
SCAS895 - 2010年5月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
封装选项
CLKIN
1G
Y0
GND
1
2
3
4
CDCLVC1102
8
7
6
5
Y1
NC
VDD
NC
CLKIN
1G
Y0
GND
VDD
Y4
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
CLKIN 1
1G 2
Y0 3
GND 4
VDD 5
Y4 6
7 GND
Y6 8
VDD 9
Y 9 10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
Y7
Y8
GND
CDCLVC1106
CDCLVC 1110
CLKIN
1G
Y0
GND
1
2
3
4
CDCLVC1103
8
7
6
5
Y1
NC
VDD
Y2
CLKIN
1G
Y0
GND
1
2
3
4
CDCLVC1104
8
7
6
5
Y1
Y3
VDD
Y2
CLKIN
1G
Y0
GND
VDD
Y4
GND
Y6
1
2
3
4
5
6
7
8
CDCLVC1108
16
15
14
13
12
11
10
9
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
Y7
CLKIN 1
1G 2
Y0 3
GND 4
VDD 5
Y4 6
7 GND
Y6 8
VDD 9
Y 9 10
GND 11
Y 11 12
CDCLVC 1112
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Y1
Y3
VDD
Y2
GND
Y5
VDD
Y7
Y8
GND
Y 10
VDD
引脚功能
器件
CDCLVC1102
CDCLVC1103
CDCLVC1104
CDCLVC1106
CDCLVC1108
CDCLVC1110
CDCLVC1112
LVCMOS
时钟输入
CLKIN
1
1
1
1
1
1
1
时钟输出
启用
1G
2
2
2
2
2
2
2
LVCMOS时钟输出
Y0, Y1, … Y11
3, 8
3, 8, 5
3, 8, 5, 7
3, 14, 11, 13, 6, 9
3, 16, 13, 15, 6, 11, 8, 9
3, 20, 17, 19, 6, 15, 8, 13, 10
3, 24, 21, 23, 6, 19, 8, 17, 16, 10, 14, 12
供应
电压
V
DD
6
6
6
5, 8, 12
5, 10, 14
5, 9, 14, 18
5, 9, 13, 18, 22
GND
4
4
4
4, 7, 10
4, 7, 12
4, 7, 11, 16
4, 7, 11, 15, 20
输出逻辑表
输入
CLKIN
X
L
H
1G
L
H
H
输出
Yn
L
L
H
2
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CDCLVC11xx
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
值/单位
V
DD
V
IN
V
O
I
IN
I
O
T
J
T
ST
(1)
(2)
电源电压范围
输入电压范围
输入电流
连续输出电流
最高结温
存储温度范围
(2)
(2)
-0.5 V至4.6 V
-0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
= 20毫安
-50毫安
125°C
-65_C到150_C
输出电压范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这个值被限制在4.6V的最大。
热信息
DCDLVC1102/03/04
热公制
(1)
CDCLVC1106
PW
14个引脚
112.6
48.0
CDCLVC1108
PW
16针
108.4
33.6
CDCLVC11010
PW
20针
83.0
32.3
CDCLVC1112
PW
24针
87.9
26.5
° C / W
单位
PW
8引脚
q
JA
q
JC (顶部)
结至环境热阻
(2)
结至外壳(顶部)热阻
(3)
149.4
69.4
(1)
(2)
(3)
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准,高K板上的模拟获得,如
在JESD51-7指定,在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体(顶部)的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
DD
V
IL
V
IH
V
th
t
r
/ t
f
t
w
f
CLK
T
A
电源电压范围
低电平输入电压
高电平输入电压
输入阈值电压
输入转换率
最小脉冲宽度
CLKIN
LVCMOS时钟输入
频率
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
3.3 V电源
2.5 V电源
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
V
DD
= 2.3 V至3.6 V
1
1.8
2.75
DC
DC
–40
250
180
85
V
DD
/2 + 600
V
DD
/2 + 400
V
DD
/2
4
3.0
2.3
3.3
2.5
最大
3.6
2.7
V
DD
/2 – 600
V
DD
/2 – 400
单位
V
mV
mV
mV
V / ns的
ns
兆赫
°C
工作自由空气的温度
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设备特点
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
全局参数的所有版本
I
DD
I
PD
C
PD
I
I
静态电流器件
(2)
掉电电流
功率耗散电容
每路输出
(3)
在1G输入漏电流
在CLKIN的输入漏电流
1G = V
DD
; CLKIN = 0 V或V
DD
; I
O
= 0 mA时; V
DD
= 3.6 V
1G = V
DD
; CLKIN = 0 V或V
DD
; I
O
= 0 mA时; V
DD
= 2.7 V
1G = 0 V ; CLKIN = 0 V或V
DD
; I
O
= 0 mA时; V
DD
= 3.6 V或2.7 V
V
DD
= 3.3 V ; F = 10MHz的
V
DD
= 2.5 V ; F = 10MHz的
V
I
= 0 V或V
DD
, V
DD
= 3.6 V或2.7 V
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
V
DD
= 3 V,I
OH
= -0.1毫安
V
OH
高电平输出电压
V
DD
= 3 V,I
OH
= -8毫安
V
DD
= 3 V,I
OH
= -12毫安
V
DD
= 3 V,I
OL
- 0.1毫安
V
OL
t
PLH
,
t
PHL
t
SK ( O)
t
r
/t
f
t
DIS
t
EN
t
SK (p)的
低电平输出电压
V
DD
= 3 V,I
OL
= 8毫安
V
DD
= 3 V,I
OL
= 12毫安
传播延迟
输出偏斜
上升和下降时间
输出禁止时间
输出使能时间
脉冲偏斜;
t
PLH ( YN )
– t
PHL ( YN )
附加抖动均方根
(4)
条件
最小值典型值
(1)
6
3
6
4.5
最大
10
6
60
单位
mA
mA
A
pF
pF
±8
± 25
45
60
DC
DC
2.9
2.5
2.2
0.1
0.5
0.8
0.8
2.0
50
0.3
0.8
6
6
180
0.5
100
250
180
A
Ω
Ω
兆赫
兆赫
R
OUT
输出阻抗
f
OUT
输出频率
输出参数V
DD
= 3.3 V ± 0.3 V
V
V
CLKIN到Yn
每路输出的负载相等
20%–80% (V
OH
- V
OL
)
1G到Yn
1G到Yn
与50%的输入的占空比来测定
下同等工作条件下为两部分
12kHz的... 20兆赫,女
OUT
= 250兆赫
ns
ps
ns
ns
ns
ps
ns
fs
t
SK (PP)的
部分到部分斜
t
抖动
(1)
(2)
(3)
(4)
所有典型值均在各自的标称V
DD
。对于开关特性,输出端接至50
Ω
到V
DD
/ 2 (见
图1)。
对于动态我
DD
过频见
图8
图9 。
这是通式为的功耗计算(见
图8
对电源
部分) 。
P
合计
= P
STAT
+ P
DYN
+ P
CLOAD
[W]
P
STAT
= V
DD
× I
DD
[W]
P
DYN
= C
PD
× V
DD
2 × [W]
P
CLOAD
= C
负载
× V
DD
2 × × N [ W]
开关输出引脚N =数
t
SK (p)的
取决于输出的上升时间和下降时间(t
r
/t
f
) 。的输出占空比,可以计算: ODC = (叔
W(出)
± t
SK (p)的
)/t
; t
W(出)
is
脉宽输出波形和TPERIOD的是的1 / f
OUT
.
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器件特性(续)
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
输出参数V
DD
= 2.5 V ± 0.2 V
V
OH
V
OL
t
PLH
,
t
PHL
t
SK ( O)
t
r
/t
f
t
DIS
t
EN
t
SK (p)的
高电平输出电压
低电平输出电压
传播延迟
输出偏斜
上升和下降时间
输出禁止时间
输出使能时间
脉冲偏斜;
t
PLH ( YN )
– t
PHL ( YN )
附加抖动均方根
(5)
条件
V
DD
= 2.3 V,I
OH
= -0.1毫安
V
DD
= 2.3 V,I
OH
= -8毫安
V
DD
= 2.3 V,I
OL
- 0.1毫安
V
DD
= 2.3 V,I
OL
= 8毫安
CLKIN到Yn
每路输出的负载相等
20%-80%的参考点
1G到Yn
1G到Yn
与50%的输入的占空比来测定
下同等工作条件下为两部分
12kHz的... 20兆赫,女
OUT
= 180兆赫
最小值典型值
(1)
2.2
1.7
最大
单位
V
0.1
0.5
V
ns
ps
ns
ns
ns
ps
ns
fs
1.0
2.6
50
0.3
1.2
10
10
220
1.2
350
t
SK (PP)的
部分到部分斜
t
抖动
(5)
t
SK (p)的
取决于输出的上升时间和下降时间(t
r
/t
f
) 。的输出占空比,可以计算: ODC = (叔
W(出)
± t
SK (p)的
)/t
; t
W(出)
is
脉宽输出波形和TPERIOD的是的1 / f
OUT
.
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