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CDCEL913-Q1

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SCAS888 - 2009年9月

可编程1 - PLL VCXO时钟合成器，具有1.8 V， 2.5 V和3.3 V输出

检查样品：

CDCEL913-Q1

特点

通过汽车应用认证

可编程时钟发生器的会员

家庭

–

CDCE913 / CDCEL913 ： 1 - PLL ， 3输出

- CDCE925 / CDCEL925 ： 2 - PLL ， 5输出

- CDCE937 / CDCEL937 ： 3 -PLL ， 7输出

- CDCE949 / CDCEL949 ： 4 -PLL ， 9输出

在系统可编程和EEPROM

- 串行可编程挥发性注册

- 非易失性EEPROM来存储客户

环境

灵活的输入时钟概念

- 外部晶振： 8 MHz至32 MHz的

- 片上VCXO ：拉动范围± 150 ppm的

- 单端LVCMOS高达160 MHz的

自由选择的输出频率高达

230兆赫

低噪声PLL内核

- PLL环路滤波器元件集成

- 低周期抖动（典型值50 PS）

单独的输出电源引脚

- CDCE913 ： 3.3 V和2.5 V

- CDCEL913 ： 1.8 V

CTR

GND

灵活的时钟驱动器

- 三种用户自定义控制输入

[ S0 / S1 / S2 ] ，例如。， SSC的选择，

开关频率，输出使能，或

掉电

- 生成高度精确的时钟为

视频，音频， USB ， IEEE1394 ， RFID ，

蓝牙，无线局域网，以太网和GPS

- 产生共同的时钟频率

使用TI-达芬奇，OMAP ， DSP的

- 可编程SSC调制

- 启用0 -PPM时钟发生器

1.8 V器件电源

宽温度范围-40 ° C至85°C

包装采用TSSOP

为了方便开发和编程工具包

PLL设计和编程（ TI Pro的时钟）

闭锁超过100mA的

每JESD78B - I类

应用

D- TV，STB ， IP -STB ， DVD播放器， DVD刻录机，

打印机

DDOUT

CMOS

晶体或

时钟输入

VCXO

LVCMOS

EEPROM

程序设计

和

控制寄存器

PLL

与SSC

分频器

和

产量

控制

CMOS

S2 / S1 / S0或

SDA / SCL

CMOS

鑫/ CLK

CTR

GND

DDOUT

XOUT

S1/SDA

S2/SCL

GND

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

描述

该CDCE913和CDCEL913是模块化的，基于PLL的低成本，高性能，可编程时钟

合成器，乘法器和除法器。它们产生高达从单个输入频率3输出时钟。

每个输出可在系统编程的任何时钟频率高达230 MHz时，使用集成

配置PLL 。

该CDCx913有单独的输出电源引脚，V

DDOUT

，这是1.8 V的CDCEL913和2.5 V至3.3 V的

CDCE913.

输入接受外部晶振或LVCMOS时钟信号。如果一个外部晶体的情况下，芯片上的负载

电容足以满足大多数应用。负载电容值的可编程范围为020 pF的。

此外，片上的VCXO是可选择的，它允许到外部的输出频率的同步

控制信号，即， PWM信号。

深的M / N分频器比率允许一代的零ppm的音频/视频，网络（WLAN ，蓝牙，

以太网，全球定位系统）或接口（ USB，IEEE1394 ，记忆棒），由，例如， 27MHz的参考时钟输入

频率。

该PLL支持SSC （扩频时钟）。 SSC可以是中心扩频或向下蔓延时钟是

一种常用的技术，以减少电磁干扰（EMI）。

基于PLL频率和分频器设置，内部环路滤波器元件的自动

调整，以达到高稳定和优化抖动传递特性。

设备支持的非易失性的EEPROM编写用于设备到应用的容易定制。

它是预设为出厂默认配置（见

默认设备配置

部分）。它可以是

重新编程为不同的应用程序配置PCB组装，或之前重新编程通过系统

编程。所有的设备设置均通过SDA / SCL总线， 2线串行接口。

三个可编程控制输入， S0，S1和S2中，可用于选择不同的频率，或者改变SSC的

设置降低EMI ，或其它控制功能，如，禁止输出为低电平，输出三态，断电， PLL

旁路等）。

该CDCx913工作在1.8 - V环境。它工作在-40 ° C至85°C的温度范围内。

订购信息

(1)

-40 ° C至85°C

(1)

(2)

TSSOP - PW

包

2000年卷

(2)

订购型号

CDCEL913IPWRQ1

顶部端标记

CEL913Q

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

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终端功能

终奌站

名字

Y1–Y3

鑫/ CLK

XOUT

CTRL

DDOUT

GND

SDA/S1

SCL/S2

号

11, 9, 8

6, 7

5, 10

I / O

动力

地

I / O或I

LVCMOS输出

晶体振荡器输入或LVCMOS时钟输入（通过SDA / SCL总线可选）

晶体振荡器的输出（悬空或不使用时拉）

VCXO控制电压（悬空或不使用时拉）

该设备1.8 V电源

CDCEL913 ：

1.8 V电源所有输出

CDCE913 ：

3.3 V或2.5 V电源所有输出

地

用户可编程控制输入S0 ; LVCMOS输入;内部上拉500K

SDA ：

双向串行数据输入/输出（默认配置）， LVCMOS内部上拉电阻;或

S1:

用户可编程控制输入; LVCMOS输入;内部上拉500K

SCL ：

串行时钟输入端LVCMOS （默认配置），内部上拉500K或

S2:

用户可编程控制输入; LVCMOS输入;内部上拉500K

描述

CTR

鑫/ CLK

VCXO

PLL 1

与SSC

PLL旁路

输入时钟

GND

DDOUT

Pdiv1

10-Bit

CMOS

XOUT

EEPROM

S1/SDA

S2/SCL

程序设计

和

SDA / SCL

MUX1

LVCMOS

Pdiv2

7-Bit

Pdiv3

7-Bit

CMOS

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绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(1)

价值

英镑

(1)

(2)

(3)

电源电压范围

输入电压范围

(2)

输出电压范围

(3)

(2)

单位

°C

-0.5 2.5

-0.5到V

+ 0.5

-0.5到V

+ 0.5

-65到150

125

输入电流（V

< 0 ，V

＆ GT ; V

)

连续输出电流

存储温度范围

最高结温

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。

SDA和SCL可以到3.6V的推荐工作条件表中说明。

(2)

封装热阻

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

气流

（ LFM ）

150

θJA

热阻，结到环境

200

250

500

θJC

θJB

θJT

θJB

(1)

(2)

热阻，结到外壳

热阻，结对板

热阻，结到顶部

热阻，结到下

—

TSSOP14

° C / W

106

1.4

封装的热阻抗的计算按照JESD 51 JEDEC2S2P （高K板）。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

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推荐工作条件

民

（脱粒）

喃

1.8

最大

1.9

3.6

1.9

0.3 V

单位

器件的电源电压

YX输出电源电压CDCE913 ，V

DDOUT

YX输出电源电压CDCEL913 ，V

DDOUT

低电平输入电压LVCMOS

高电平输入电压LVCMOS

输入电压阈值LVCMOS

输入电压范围为S0

输入电压范围S1，S2， SDA，SCL ; V

我（脱粒）

= 0.5 V

输入电压范围CLK

输出电流（ V

DDOUT

= 3.3 V)

输出电流（ V

DDOUT

= 2.5 V)

输出电流（ V

DDOUT

= 1.8 V)

输出负载LVCMOS

工作自由空气的温度

1.7

2.3

1.7

0.7 V

0.5 V

1.9

3.6

1.9

±12

±10

±8

–40

我（多个）

我（CLK）

°C

推荐的石英/ VCXO规格

(1)

民

XTAL

ESR

(1)

(2)

晶振输入频率范围（基本模式）

等效串联电阻

牵引范围（0V

≤

CTRL

≤

1.8 V)

频率控制电压，V

CTRL

Pullability比

片上，在XIN和XOUT负载电容

(2)

喃

±150

最大

100

单位

兆赫

PPM

±120

220

有关VCXO配置，推荐水晶的详细信息，请参阅申请报告（ SCAA085 ）。

牵引范围取决于晶型，片上晶体负载电容和PCB杂散电容;最小的牵引范围± 120 ppm的

适用于晶体中的申请报告（ SCAA085 ）上市。

EEPROM规格

民

EEcyc

EEret

EEPROM的编程周期

数据保留

100

典型值

1000

最大

单位

周期

岁月

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