CDCE421A
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SCAS873 - 2009年4月
完全集成，范围广，低抖动
晶振时钟发生器
1
特点
单电源电压为3.3 V的LVPECL或LVDS
手术
高性能时钟乘法器，
结合晶体振荡器电路与
集成的频率合成器
低输出抖动： 380 fs的典型均方根
（从10千赫至20兆赫）
低相位噪声在高频率（ 708兆赫
LVPECL ） ：
- 通常情况下-109 dBc的/赫兹，在10 kHz和
-146dBc / Hz的在从载体10兆赫
支持晶体或LVCMOS输入
从频率27.35 MHz至38.33 MHz的
输出频率范围为10.9 MHz至
766.7 MHz和875.2 ，从MHz到1175 MHz的
低电压差分信号（ LVDS ）
输出， 100 Ω差分关闭芯片
终止， 10.9 MHz至400 MHz的频率
范围
差分低压正射极
耦合逻辑（ LVPECL ）输出， 10.9 MHz至
1.175 GHz的频率范围
2
两个完全集成的压控
振荡器（ VCO ），支持宽输出
频带
完全集成的可编程环路滤波器
典型功耗为3.3 V ：
- 274毫瓦LVDS模式
- 250毫瓦LVPECL模式
芯片使能控制引脚
简单的串行接口允许编程
生产后
集成的片上非易失性存储器
（ EEPROM ）存储设置，而无需应用
高压
可在4毫米× 4毫米QFN- 24封装
ESD保护超过2千伏（ HBM ）
工业温度范围： -40 ° C至+ 85°C
应用
低成本，高频率晶体振荡器
CE
节目
输出使能/编程接口和EEPROM的配置设置
环路滤波器
水晶
振荡器
输入
XTAL
PFD /电荷泵
VCO 1
反馈
分频器
LVPECL或LVDS
CLK
输出分频器
预分频器
NCLK
VCO 2
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2009年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CDCE421A
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描述
该CDCE421A是一款高性能，低相位噪声时钟发生器。它有两个完全集成的低噪声，
基于LC的电压控制振荡器（VCO ），该操作在1.750 - GHz到2.350 GHz的频率范围内
(1)
。它
还集成了晶体振荡器，工作结合外部AT切晶体
产生的锁相环（ PLL）的频率合成器一个稳定的参考频率。
输出频率（f
OUT
）是正比于输入晶体频率（f
XTAL
） 。分频因子，
反馈分压器，输出分频器， VCO和选择设定输出频率就到f
XTAL
.
表2
提供的查找信息，所希望的频率f
OUT
和为分频器的相应设置
和VCO选择。计算所需的所希望的输出的精确的晶体振荡器频率，使用
公式中
公式1 。
f
XTAL
=
输出分频器
f
OUT
反馈分频器
(1)
其中：
输出分频器
(1)
= 1， 2，4， 8，16，和32个
反馈分频器
(2)
= 12 ，16，20 ，和32个
在CDCE421A ，反馈分频器自动相对于该预分频器设置设定。的产品
预分频器和反馈分频器应该是60和64之间，如图
表2
以维持稳定的
控制环路。
图1
示出该装置的一个高层次的框图。该CDCE421A支持一个差分LVDS时钟
输出或一个差分LVPECL输出。所有的设备设置均通过一个专有的简单
串行接口（SSI） 。
该器件工作在为LVPECL和LVDS输出的3.3 V电源环境的特点是
操作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。该CDCE421A可以采用QFN -24 4毫米× 4毫米封装。
CDCE421用户：
该CDCE421A提供了多种设备的增强功能CDCE421 。供的完整描述
这些产品之间的差异，是指
附录C ：应用信息。
XIN1
XIN2
CDCE421A
水晶
振荡器
反馈
分频器
12 ，16，20 ，和32个
LVPECL
预分频器
2，3 ，4和5
PFD
电荷泵
环路滤波器
VCO1
1894
VCO2
2157
CE
1针接口
和
控制
节目
EEPROM
LVDS
输出分频器
1，2， 4，8 ，16，和32个
图1.功能框图
(1)
(2)
输出分频器和反馈分频器应该从在同一行
表2中。
反馈分频器相对于预分频器设置在自动设置
表2中。
2
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
可选项
(1)
T
A
-40 ° C至+ 85°C
(1)
包装设备
CDCE421ARGET
CDCE421ARGER
特点
24引脚QFN （ RGE ）封装，小型磁带和卷轴
24引脚QFN （ RGE ）封装，磁带和卷轴
对于最近的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾或
请参考我们的网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。
(1)
CDCE421A
V
DD
V
I
I
O
ESD
T
A
T
J
T
英镑
(1)
(2)
电源电压
(2)
单位
V
V
mA
kV
°C
°C
°C
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
为+0.5
–50
2
-40至+85
+125
-65到+150
电压范围内的所有其他的输入引脚
(2)
输出电流为LVPECL
静电放电（ HBM ）
指定的自由空气的温度范围（无风）
最高结温
存储温度范围
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。
民
V
DD
T
A
电源电压
环境温度（无气流，无散热器）
3.0
–40
喃
3.30
最大
3.60
+85
单位
V
°C
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3
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电气特性
在推荐工作条件（除非另有说明） 。
CDCE421A
参数
V
DD
I
VDD
（ LVDS ）
电源电压
总电流
LVDS模式
LVPECL模式
f
IN
= 27.35兆赫，女
OUT
= 109.4兆赫，
电源斜坡时间= 1毫秒
10.9
R
L
= 100
-40 ° C至+ 85°C
20％至80 ％的V
输出（页）
20％至80 ％的V
输出（页）
总之V
OUT +
到地，V
OUT
= 0 V
总之V
OUT-
到地，V
OUT
= 0 V
45
10千赫至20兆赫
10.9
V
CC
– 1.2
V
CC
– 2.17
407
20％至80 ％的V
输出（页）
20％至80 ％的V
输出（页）
45
10千赫至20兆赫
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= V
DD ， MAX
, V
IL
= 0.0 V
V
DD
= V
DD ，分
, V
IH
= 3.7 V
0.7 × V
CC
–200
200
230
230
55
247
1.1
230
230
30
30
55
测试条件
民
3.00
典型值
3.30
83
91
最大
3.60
103
110
4
单位
V
mA
mA
ms
I
VDD
（ LVPECL ）的总电流
t
S
启动时间
LVDS输出模式（见
图2
和
图4）
f
CLK
|V
OD
|
ΔV
OD
V
OS
ΔV
OS
t
R
t
F
I
OS
输出频率
LVDS差分输出电压
LVDS V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
输出上升时间
输出下降时间
输出短路电流
输出波形的占空比
t
j,
RMS
400
454
50
1.3
50
兆赫
mV
mV
V
mV
ps
ps
mA
mA
%
RMS抖动
输出频率
LVPECL高电平输出电压
LVPECL输出低电平电压
LVPECL的差分输出电压
输出上升时间
输出下降时间
输出波形的占空比
RMS抖动
低级别的CMOS输入电压
高级别CMOS输入电压
低级别的CMOS输入电流
高级别CMOS输入电流
1个PS ， RMS
1175
V
CC
– 0.81
V
CC
– 1.36
1076
兆赫
V
V
mV
ps
ps
%
1个PS ， RMS
0.3 × V
CC
V
V
A
A
LVPECL输出模式（见
科幻gure 3
和
图5）
f
CLK
V
OH
V
OL
|V
OD
|
t
R
t
F
t
j,
RMS
LVCMOS输入
V
IL ， CMOS
V
IH ，
I
L,
CMOS
CMOS
I
H， CMOS
4
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设备信息
RGE包装
QFN-24
（ TOP VIEW ）
XIN2
NC
NC
XIN1
NC
20
NC
19
24
23
22
21
CE
NC
SDATA
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
散热垫
（底部）
CDCE421A
18
17
16
15
14
13
NC
VCC
VCC
NC
NC
NC
11
NC
OUTN
OUTP
10
引脚说明
表1. CDCE421A引脚说明
终奌站
名字
CE
GND
无连接
OUTN
OUTP
SDATA
VCC
XIN1
XIN2
终奌站
号
1
8, 9
2, 4–6,
11–15,
18–20, 23,24
7
10
3
16, 17
21
22
O
O
I
动力
I
GND / NC
Y
Y
Y
Y
Y
N
TYPE
ESD
保护
Y
Y
描述
芯片使能
CE = 1：启用设备和输出。
CE = 0 ：禁用所有电流源;在LVDS模式下， LVDSP = LVDSN =高阻;
在LVPECL模式， LVPECLP = LVPECLN =高阻。
地
不要连接这两个引脚。让他们漂浮。
高速负差分LVPECL或LVDS输出。 （输出为
通过CE启用，由EEPROM配置寄存器来选择。 ）
高速正差分LVPECL或LVDS输出。 （输出为
通过CE启用，由EEPROM配置寄存器来选择。 ）
采用TI专有的接口协议编程引脚
3.3 V电源
在晶体的输入模式下，连接XIN1到晶体的一端和新2向
该晶体的另一端。在输入端LVCMOS单端驱动的模式， XIN1
（引脚21）作为输入参考，并新2应该连接到GND ，也可以
悬空。
I
GND
GND
GND
NC
12
7
8
9
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5
QQ：2881677436 复制
