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CDC950
133 MHz差分时钟合成器/驱动程序
PC主板/ SERVERS
SCAS646B - 2001年2月 - 修订2003年10月
D
时钟产生下一代
D
D
D
D
D
D
微处理器
采用14.318 MHz的晶振输入到
产生多路输出频率
包括扩频时钟( SSC ) ,
0.6 % Downspread有效降低EMI用
的7分贝理论EMI
电源管理控制终端
低输出偏移和抖动的时钟
分配
从3.3 V单电源供电
产生以下几种时钟:
- 8个主机(DIFF对, 100/133 MHz的)
- 1 CLK33 ( 3.3 V , 33.3兆赫)
- 1 REFCLK ( 3.3 V , 14.318兆赫)
- 2 3V48 ( 3.3 V , 180 °相移对, 48兆赫)
封装采用48引脚TSSOP封装
CLK33
V
DD
3.3V
3V48/SelA
3V48/SelB
GND
V
DD
3.3V
HCLK(0)
HCLK(0)
GND
HCLK(1)
HCLK(1)
V
DD
3.3V
HCLK(2)
HCLK(2)
GND
HCLK(3)
HCLK(3)
V
DD
3.3V
REFCLK
传播
GND
XIN
XOUT
V
DD
3.3V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
DGG包装
( TOP VIEW )
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
D
描述
该CDC950是一个差分时钟合成器/
驱动程序生成HCLK / HCLK , CLK33 , 3V48 ,
和REFCLK系统时钟信号,以支持一个
计算机系统具备下一代处理器
和双数据率( DDR)存储器子系统。
从生成所有的输出频率
14.318 MHz的晶振输入。参考时钟输入
可以在XIN输入而不是一个晶体来提供。两个锁相环( PLL)用于产生
主频率和48 MHz的时钟频率。片上环路滤波器和内部反馈消除
需要的外部元件。
在HCLK , CLK33时钟和48 MHz的时钟输出提供可靠的时钟低偏移/低抖动时钟信号
操作。所有输出具有三态功能,该功能可通过控制输入SEL100 / 133中选择,
3V48 /拉美经济体系和3V48 / SELB 。
无论输出为差分时钟主机或3.3V单端CMOS缓冲器。与上一个逻辑高电平
PWRDWN终端,该设备正常运行。当一个逻辑低电平的输入被施加时,器件的权力
下跌完全在2 HOST时钟
×
I
REF
, HOSTB是无驱动, CLK33 , 3V48和REFCLK输出
在一个低电平输出状态和3V48B是在一个高电平输出状态。
主机总线可以在100MHz或133MHz的操作。输出频率选择与相应的做
设置SEL100 / 133控制输入。在CLK33 ( PCI)的频率被固定为33兆赫。
由于CDC950是基于锁相环电路,它需要一个稳定时间以实现PLL的锁相。
此稳定时间是必需的下面上电,以及以下变化到SEL输入。与
使用外部基准时钟信号,该信号必须在固定频率和固定相位之前的稳定时间
开始。该CDC950的特点是操作从0° C至85°C 。
SEL100/133
GND
AV
DD
3.3V
AGND
PWRDWN
V
DD
3.3V
HCLK(4)
HCLK(4)
GND
HCLK(5)
HCLK(5)
V
DD
3.3V
HCLK(6)
HCLK(6)
GND
HCLK(7)
HCLK(7)
V
DD
3.3V
MultSel0
MultSel1
GND
AGND
I_REF
AV
DD
3.3V
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001至2003年,德州仪器
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1
SCAS646B - 2001年2月 - 修订2003年10月
CDC950
133 MHz差分时钟合成器/驱动程序
PC主板/ SERVERS
功能框图
3-State/Low
SEL100/133
48
控制
逻辑
TEST
SEL100/133
2
3V48/SelA
3V48/SelB
3
4
LATCHED
1 REFCLK
14.318兆赫
(19)
1 3V48
48兆赫
(3)
180°
同步逻辑&掉电逻辑
1 3V48B
48兆赫
(4)
XIN
XOUT
22
23
XTAL
振荡器
48-MHz
PLL
/3
传播
20
传播
逻辑
中央处理器
PLL
/2
/2
/2
1 CLK33
33.3兆赫
(1)
PWRDWN
44
MultSel0
MultSel1
30
29控制逻辑
2
8 HCLKs
100/133 MHz的
(7,10,13,16,
33,36,39,42)
8 HCLKs
100/133 MHz的
(8,11,14,17
32,35,38,41)
I_REF
26
2
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CDC950
133 MHz差分时钟合成器/驱动程序
PC主板/ SERVERS
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终端功能
终奌站
名字
3V48/SelA,
3V48/SelB
AGND
AVDD3.3V
CLK33
GND
3, 4
27, 45
25, 46
1
5, 9, 15,
21, 28, 34,
40, 47
7, 10, 13,
16, 33, 36,
39, 42
8, 11, 14,
17, 32, 35,
38, 41
26
30
29
44
19
48
20
2, 6, 12,
18, 24, 31,
37, 43
22
23
I / O
I / O
P
P
O
P
描述
48 - MHz的180 °相移对钟表的USB使用
逻辑选择引脚。选择操作模式,见表1。了解详细信息。
模拟地
功率。模拟电源
33 - MHz参考时钟PCI使用,主机时钟除以3或4
HCLK
O
CPU和主时钟输出[7:0 ] 。这八个差分CPU时钟对在100/133 MHz的运行。该VOH
摆动幅度由MultSel0 , MultSel1引脚配置。见表5和Intel的CK00文档
详细信息。
CPU和主时钟输出[7:0 ] 。这八个差分CPU时钟对在100/133 MHz的运行。该VOH
摆动幅度由MultSel0 , MultSel1引脚配置。见表5和Intel的CK00文档
详细信息。
参考电流。该引脚建立基准电流主机的时钟部件。见表5和Intel的
CK00文件的详细信息。
见表5和细节英特尔CK00文件。
见表5和细节英特尔CK00文件。
掉电输入。 3.3 -V LVTTL兼容,异步输入请求的设备进入
掉电模式。见表2的详细信息。
14.138 MHz的参考时钟输出:在14.318 MHz的参考时钟的3.3 V的副本。
低电平有效LVTTL电平逻辑选择。 SEL100 / 133用于启用100/133兆赫。低= 100 MHz的高
= 133 MHz的
扩频启用。 3.3 V的LVTTL兼容,输入,使扩频模式时
保持低电平。请参考表4的详细信息。
功率。电源
HCLK
O
I
I
I
I
O
I
U
P
I_REF
MultSel0
MultSel1
PWRDWN
REFCLK
SEL100/133
传播
VDD3.3V
XIN
XOUT
I
O
晶体连接或外部参考频率输入。连接到任何一个14.138 MHz的晶振或
外部基准信号。
水晶连接。输出连接外部14.318 MHz的晶振。如果使用外部
基准时,该引脚必须悬空。
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3
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功能表
表1.选择功能
输入
SEL100/133
0
0
0
0
1
1
1
1
拉美经济体系
0
0
1
1
0
0
1
1
SELB
0
1
0
1
0
1
0
1
HCLK , HCLK
100兆赫
100兆赫
105兆赫
高阻
133兆赫
127兆赫
133兆赫
TCLK/2
输出
CLK33
33兆赫
33兆赫
35兆赫
高阻
33兆赫
31.7兆赫
33兆赫
TCLK/8
3V48, 3V48
48兆赫
L,H
48兆赫
高阻
48兆赫
48兆赫
48兆赫
TCLK/2
REFCLK
14.318兆赫
14.318兆赫
14.318兆赫
高阻
14.318兆赫
14.318兆赫
14.318兆赫
TCLK
功能
有源100 MHz的
100 MHz模式; PLL48断电
100 MHz模式5 %的超频
所有三态输出
有源133 MHz的
133 MHz模式-5 %降频
测试模式
测试模式( PLL旁路)
表2.启用功能
输入
PWRDWN
0
1
HCLK
2
×
IREF
On
HCLK
高阻
On
输出
CLK33
L
On
3V48
L
On
3V48
H
On
REFCLK
L
On
表3.输出缓冲器规格
缓冲区名
3V48 , REFCLK
CLK33
HCLK / HCLK
VDD范围
(V)
3.135 3.465
3.135 3.465
3.135 3.465
阻抗
()
2060
1255
缓存类型
类型3
5型
X1型
表4.扩频功能
输入
传播
0
1
输出
在HCLK / HCLK , CLK33扩频时钟活跃, -0.6 %
扩频时钟不活跃
4
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功能表(续)
表5.主/主输出缓冲器规格
输入
MultSel0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
MultSel1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
董事会目标
跟踪/术语Z-
60
50
60
50
60
50
60
50
30 (直流等效)
25 (直流等效)
30 (直流等效)
25 (直流等效)
30 (直流等效)
25 (直流等效)
30 (直流等效)
25 (直流等效)
参考R,
IREF = VDD / ( 3 RR)
Rr = 475 1%,
Rr = 475 1%,
Rr = 475 1%,
Rr = 475 1%,
Rr = 475 1%,
Rr = 475 1%,
Rr = 475 1%,
Rr = 475 1%,
Rr = 221 1%,
Rr = 221 1%,
Rr = 221 1%,
Rr = 221 1%,
Rr = 221 1%,
Rr = 221 1%,
Rr = 221 1%,
Rr = 221 1%,
I_REF = 2.32毫安
I_REF = 2.32毫安
I_REF = 2.32毫安
I_REF = 2.32毫安
I_REF = 2.32毫安
I_REF = 2.32毫安
I_REF = 2.32毫安
I_REF = 2.32毫安
I_REF = 5毫安
I_REF = 5毫安
I_REF = 5毫安
I_REF = 5毫安
I_REF = 5毫安
I_REF = 5毫安
I_REF = 5毫安
I_REF = 5毫安
输出电流
IOH
5
×
IREF
5
×
IREF
6
×
IREF
6
×
IREF
4
×
IREF
4
×
IREF
7
×
IREF
7
×
IREF
5
×
IREF
5
×
IREF
6
×
IREF
6
×
IREF
4
×
IREF
4
×
IREF
7
×
IREF
7
×
IREF
VOH设为z
0.71 V在60
0.59 V在50
0.85 V在60
0.71 V在50
0.56 V在60
0.47 V在50
0.99 V在60
0.82 V在50
0.75 V在30
0.62 V在25
0.90 V在30
0.75 V在25
0.60 V在30
0.5 V在25
1.05 V在30
0.84 V在25
注:在项
粗体
感兴趣的主系统的配置。输出应为这些配置进行优化。
在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.3 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下,V
O
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
电流转换成处于低状态的任何输出,我
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
×
额定我
OL
输入钳位电流,I
IK
: (V
I
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
(V
I
& GT ; V
DD
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
输出钳位电流,I
OK
: (V
O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
V
O
& GT ; V
DD
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89 ° C / W
在T最大功耗
A
= 55 ° C(在静止空气中) (见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1070毫瓦
工作的自由空气的温度范围内,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0 ° C至85°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算根据EIA / JEDEC标准JESD51的,除了在通孔包
它采用零走线长度。
3.最大的封装功耗采用150 ° C的结温为750密耳的电路板走线的长度来计算。
欲了解更多信息,请参阅
封装的热考虑
应用笔记中
ABT先进的BiCMOS技术数据
书,
文献编号SCBD002 。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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