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硅肖特基二极管芯片

I

探测器和混频器应用

I

低电容的使用超越40 GHz的

I

ZBD低屏障设计

I

P型和N型结

I

大型债券垫芯片设计

特点

描述

硅肖特基二极管芯片阿尔法的产品线是

拟用作杂交检测器和混合器装置

工作频率从100 MHz以下的集成电路

超过40 GHz的高。阿尔法的“通用芯片”设计

有4密耳直径的焊垫被从偏移

半导体结防止损坏活性

结作为引线键合的结果。

由于电源感应探测器，这些肖特基二极管芯片

都具有相同的电压灵敏度，只要输出

视频阻抗比视频高得多

二极管的电阻。图1示出了预期

检测电压灵敏度的射频信号源的功能

阻抗的不调谐电路。需要注意的是灵敏度

大幅增加将源

从50阻抗

以更高的价值。最大

当源阻抗等于发生灵敏度

视频阻力。

在一个检测器电路，在零偏置操作，这取决于

视频负载阻抗，一个ZBD设备带有R

V

少于

10千欧可以比低势垒二极管具有更敏感

R

V

大于100千欧。应用正向偏压降低

如图2.降低二极管视频电阻

视频阻力也增加，视频带宽，但

不增加电压灵敏度，如图

图3.偏置肖特基二极管具有更好的温度

稳定性，并且还可以在高温下的使用

补偿器电路。

P型肖特基二极管产生低1 / f噪声，并且

首选多普勒混频器和偏置探测器

应用程序。焊接区为P型肖特基二极管

是阴极。 N型的肖特基二极管具有较低的寄生

电阻R

S

，并且将具有较低的转换损耗进行

混频器电路。焊接区为N型的肖特基

二极管的阳极。

电气规格在25℃

产品型号

CDC7630-000

CDC7631-000

CDB7619-000

CDB7620-000

CDF7621-000

CDF7623-000

屏障

ZBD

ZBD

低

低

低

低

连接点

TYPE

P

P

P

P

N

N

C

J

1

（PF ）

马克斯。

0.25

0.15

0.10

0.15

0.10

0.30

R

T

2

()

马克斯。

30

80

40

30

20

10

V

F

@ 1毫安

（毫伏）

最小“最大。

135–240

150–300

275–375

250–350

270–350

240–300

V

B

3

(V)

分钟。

1

2

2

2

2

2

R

V

@零偏置

(k)

典型值。

5.5

7.2

735

537

680

245

概要

制图

526-006

526-006

526-006

526-006

526-011

526-011

1. C

J

在0 V. C温度范围低势垒二极管

J

为在0.15 V指定ZBDs

反向偏置。

2. R

T

为10毫安斜率电阻。

S

马克斯。可以由下式计算：

R

S

= R

T

- 2.6× N。

3. V

B

低势垒二极管，在10中指定

A.

V

B

对于ZBDs指定

在100

A.

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[781] 935-5150

传真

[617] 824-4579

电子邮件

sales@alphaind.com

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规格如有变更，恕不另行通知。 8 / 01A

1

硅肖特基二极管芯片

典型性能数据

10000

探测器

电压

射频源

阻抗

P

输入

RFC

视频负载

阻抗

检测到的电压（毫伏）

1000

500

100

10

1

0.1

-40

50

25

200

100

零偏压探测器

探测器

电压

射频源

阻抗

P

输入

RFC

视频负载

阻抗

-30

-20

-10

0

10

输入功率（dBm ）

图1.检测电压与输入

电源和RF信号源阻抗

偏置探测器

100000

10000

0 dBm的

+10 dBm的

低门槛

10000

ZBD

1000

检测到的电压（毫伏）

视频电阻（Ω）

1000

100

10

1

-30 dBm的

0.1

0.01

0.001

0.001

0.01

0.1

-10dBm

-20 dBm的

100

1

10

100

1

10

正向偏压（ μA ）

图2.视频电阻与正向偏置电流

正向电流（mA ）

图3.检测电压与正向电流

SPICE模型参数

参数

IS

R

S

N

TT

C

J0

M

E

G

XTI

F

C

B

V

I

BV

V

J

CDB7619

3.70E-08

9

1.05

1E-11

0.08

0.35

0.69

2.0

0.5

2.0

1.00E-05

0.495

CDB7620

5.40E-08

14

1.12

1E-11

0.15

0.35

0.69

2.0

0.5

4.0

1.00E-05

0.495

CDF7621

4.0E-08

12

1.05

1E-11

0.10

0.35

0.69

2.0

0.5

3.0

1.0E-05

0.495

CDF7623

1.1E-07

6

1.04

1E-11

0.22

0.32

0.69

2.0

0.5

2.0

1.0E-05

0.495

CDC7630

5.0E-06

20

1.05

1E-11

0.14

0.40

0.69

2.0

0.5

2.0

1.0E-04

0.340

CDC7631

3.8E-06

51

1.05

1E-11

0.08

0.4

0.69

2.0

0.5

2.0

1.0E-04

0.340

V

A

V

eV

S

pF

单位

A

2

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硅肖特基二极管芯片

外形绘图

526-006, 526-011

0.015 (0.38 mm)

0.013 (0.33 mm)

绝对最大额定值

特征

反向电压（V

R

)

正向电流（I

F

)

功耗（P

D

)

存储温度（T

ST

)

工作温度（T

OP

)

价值

额定电压

50毫安

75毫瓦

-65 ° C至+ 150°C

-65 ° C至+ 150°C

0.015 (0.38 mm)

0.013 (0.33 mm)

焊盘

直径

0.0035 (0.089 mm)–

0.0045 (0.114 mm)

0.0085 (0.216 mm)

0.0065 (0.165 mm)

526-006 =正极焊盘。

526-011 =正极焊盘。

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