我低
R
SMD肖特基势垒整流器
反向电压: 20100伏特
正向电流: 1.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 低型材表面贴装应用
为了优化电路板空间。
- 低功耗,高效率。
-Hight电流能力,低正向电压降。
-Hight浪涌能力。
0.110(2.80)
0.026(0.65)
0.018(0.45)
COMCHIP
SMD二极管专家
CDBW120R -HF直通。 CDBW1100R -HF
SOD-123
0.152(3.85)
0.140(3.55)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
-Guarding过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片,金属硅交界处。
0.102(2.60)
机械数据
- 环氧: UL94 -V0率阻燃。
-Case :模压塑料, SOD- 123
-Terminals :每MIL -STD- 750可焊性,
方法2026 。
-Polarity :由阴极频带指示。
- 重量: 0.010克
0.049(1.25)
0.041(1.05)
0.006 (0.15)
0.003 (0.08)
0.004 ( 0.10 )最大。
0.02 ( 0.50 ) REF
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在Ta等级= 25℃ ,除非另有说明。
单相半波,60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
参数
马克斯。重复峰值反向电压
马克斯。阻断电压DC
马克斯。 RMS电压
马克斯。瞬时正向电压@
1.0A ,T
A
=25°C
工作温度
符号
V
RRM
V
DC
V
RMS
V
F
T
J
CDBW
120R-HF
20
20
14
0.52
CDBW
130R-HF
30
30
21
CDBW
140R-HF
40
28
40
0.55
-50至+150
CDBW
160R-HF
60
42
60
0.75
CDBW
1100R-G
100
70
100
0.86
单位
V
V
V
V
°C
O
参数
正向整流电流
正向浪涌电流
反向电流
见图1
条件
符号
I
O
I
FSM
I
R
I
R
R
θJA
C
J
T
英镑
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
5.5
0.1
20
单位
A
A
mA
mA
° C / W
pF
8.3ms单半正弦波叠加
在负荷率( JEDEC的方法)
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
热阻
结到环境
88
120
-50
+150
二极管的结电容F = 1MH
Z
和应用4V直流反接电压
储存温度
°C
REV :一
QW-JL011
第1页
COMCHIP科技有限公司。
我低
R
SMD肖特基势垒整流器
COMCHIP
SMD二极管专家
额定值和特性曲线( CDBW120R -HF通。 CDBW1100R -HF )
Fig.1-典型正向电流
降额
曲线
1.2
FIG.2-典型正向特性
瞬时正向电流( A)
100
-H
F
0R
-H
F
~C
D
BW
12
CD
BW
16
CD
0R
-H
CD
BW
11
0
0R
TJ=25°C
脉宽300US
1 %占空比
平均正向电流( A)
1.0
10
3.0
1.0
0.8
F
BW
14
0R
0.6
0.4
0.1
0.2
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
环境温度(
O
C)
正向电压( V)
FIG.3-典型结电容
350
300
FIG.4-典型的反向特性
100
反向漏电流(毫安)
结电容(PF )
10
250
200
150
1
T
J
=125°C
100
50
0.1
T
J
=25°C
0.01
0
0.01
0
0.1
1
10
100
40
80
120
160
200
额定峰值反向电压的百分比( % )
反向电压, (V)的
-H
F
REV :一
QW-JL011
第2页
COMCHIP科技有限公司。