SMD肖特基势垒二极管
CDBV120 -G直通。 CDBV140 -G
正向电流: 1.0A
反向电压: 20 40V
器件符合RoHS
特点
在低电压,高频率逆变器 - 用于使用。
- 免费续流和极性保护应用。
0.106 (2.70)
0.098 (2.50)
SOD-323
机械数据
-Case : SOD- 323 ,模压塑料。
-Terminals :每MIL -STD- 750,方法
2026.
-Polarity :由阴极月底表示。
0.014 (0.35)
0.010 (0.25)
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.071 (1.80)
0.063 (1.60)
记号
CDBV120 -G : SJ
CDBV130 -G : SK
CDBV140 -G : SL
0.035 (0.90)
0.031 (0.80)
0.004 ( 0.10 )最大
0.006 (0.150)
0.003 (0.080)
0.019 ( 0.475 ), REF
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
(在TA = 25 ℃,除非另有说明)
参数
非重复性峰值反向电压
峰值重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
峰值正向浪涌电流@ 8.3ms的
重复峰值正向电流
功耗
热阻,结到环境
储存温度
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
I
FRM
P
D
R
θJA
T
英镑
CDBV120-G
20
CDBV130-G
30
CDBV140-G
40
单位
V
20
30
40
V
14
21
1
9
1.5
250
500
-65 ~ +150
28
V
A
A
A
mW
° C / W
°C
电气特性
(在TA = 25 ℃,除非另有说明)
参数
反向击穿电压
CDBV120-G
CDBV130-G
CDBV140-G
CDBV120-G
CDBV130-G
CDBV140-G
CDBV120-G
CDBV130-G
CDBV140-G
CDBV120-G
CDBV130-G
CDBV140-G
二极管电容
条件
I
R
=1mA
V
R
=20V
V
R
=30V
V
R
=40V
符号
V
BR
分钟。
20
30
40
马克斯。
单位
V
反向电压漏电流
I
R
1
mA
I
F
=1A
V
F
I
F
=3A
正向电压
0.45
0.55
0.60
V
0.75
0.875
0.90
C
D
120
pF
REV : B
V
R
= 4V , F = 1MHz的
QW-BB015
第1页
COMCHIP科技有限公司。
SMD肖特基势垒二极管
额定值和特性曲线( CDBV120 -G直通。 CDBV140 -G )
FIG.1-正向电流降额曲线
2
30
Fig.2-最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流( A)
平均正向电流( A)
25
1
20
15
0.5
10
感性或阻性负载
0.375 QUOT ;设计(9.5mm )引线长度
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
外壳温度( ° C)
循环次数在60Hz
FIG.3-典型正向
特征
100
O
FIG.4-典型的反向特性
100
T
J
=125 C
瞬时反向电压(毫安)
正向电流(A )
10
T
J
=125
O
10
1.0
T
J
=75
O
C
T
J
=25 C
O
1
0.1
0.1
脉冲宽度= 300μS
1 %占空比
0.01
T
J
=25 C
O
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.8
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压( V)
1999额定峰值反向电压百分比(% )
FIG.5-典型结电容
400
T
J
=25 C
f=1MHz
V
SIG
=50mV
O
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
100
瞬态热阻抗( ° CW)
100
结电容(pF )
10
100
1
10
0.1
1
10
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压( V)
T-脉冲持续时间(秒)。
REV : B
QW-BB015
第2页
COMCHIP科技有限公司。