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SMD肖特基势垒二极管
COMCHIP
www.comchip.com.tw
CDBN0230
IO = 200毫安
V
R
= 30伏s
特点
设计用于安装在小面
非常薄的封装
低存储的电荷
多数载流子传导
0.126(3.20)
0.118(3.00)
0.020 ( 0.50 )典型值。
1206 (3216)
机械数据
案例: 1206 ( 3216 )标准封装,
模压塑料。
码头:焊接镀,每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
极性:由阴极频带指示。
安装位置:任意。
重量: 0.0085克。 (约)
0.010 ( R0.25 )典型值。
0.063(1.60)
0.055(1.40)
0.043 (1.10)
0.035(0.90)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
(在T
A
= 25
C
除非另有说明)
参数
反向重复峰值电压
反向电压
平均正向电流
正向电流,浪涌峰值
功耗
储存温度
结温
8.3ms单一正弦半波叠加
在负荷率( JEDEC的方法)
条件
符号最小典型最大单位
V
RRM
V
R
Io
I
FSM
P
D
T
英镑
Tj
-40
-40
3000
250
+125
+125
35
30
200
V
V
mA
mA
mW
C
C
电气特性
(在T
A
= 25
C
除非另有说明)
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
V
R
= 30 V
F = 1MHz时,和10 VDC反向电压
条件
I
F
= 200毫安DC
符号最小典型最大单位
V
F
I
R
C
T
10
0.50
30
V
uA
pF
RDS0208014-C
第1页
SMD肖特基势垒二极管
COMCHIP
www.comchip.com.tw
额定值和特性曲线( CDBN0230 )
图。 1 - 正向特性
1000
1m
图。 2 - 反向特性
反向电流( A)
正向电流(mA )
125 C
100u
100
75 C
10u
10
1u
25 C
C
125
C
1
0
0.1
0.2
-25 C
25 C
75
100n
0.4
0.5
0.6
0
10
20
30
40
50
0.3
正向电压( V)
反向电压( V)
图。 3 - 间电容
终端特性
端子间电容(pF )
100
图。 4 - 电流降额曲线
F = 1 MHz的
TA = 25℃
平均正向电流( % )
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
100
80
10
60
40
20
1
0
5
10
15
0
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
反向电压( V)
环境温度(
C
)
RDS0208014-C
第2页
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