薄型SMD肖特基势垒整流器
COMCHIP
SMD二极管专家
CDBMTS120 -HF直通。 CDBMTS1200 -HF
反向电压: 20 200伏特
正向电流: 1.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 出色的功耗提供了更好的反
漏电流和耐热性。
- 低剖面封装比标准薄40 %
SOD-123.
- 低功耗,高效率。
- 高电流能力,低正向压降。
- 高浪涌能力。
-Guarding过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片,金属硅交界处。
-Lead免部分符合环保标准
MIL-STD-19500/228
0.154(3.9)
0.138(3.5)
0.018 ( 0.45 )典型值。
SOD-123S
0.037(0.95)
0.029(0.75)
0.079(2.0)
0.063(1.6)
0.119(3.0)
0.103(2.6)
0.009(0.22)
0.007(0.18)
0.032 ( 0.8 )典型值。
0.041(1.05)
0.033(0.85)
0.032 ( 0.8 )典型值。
机械数据
- 环氧: UL94 -V0额定阻燃剂。
-Case :模压塑料, SOD- 123S / MINI SMA
-Terminals :每MIL -STD- 750 ,方法2026焊性。
-Polarity :由阴极频带指示。
-Mounting位置:任意
- 重量: 0.0155克约。
尺寸以英寸(毫米)
电气特性
(在T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
最大正向整流电流
最大正向电压
@ I
F
=1.0A
最大正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷
( JEDEC梭)
最大反向
电流(V
R
=V
RRM )
T
J
=25°C
I
R
T
J
=100°C
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
-65到+175
10
120
-55到+150
P
F
符号
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS
CDBMTS
120 -HF 130 -HF 140 -HF 150 -HF 160 -HF 180 -HF 1100 - 1150 HF - 1200 HF -HF
单位
V
V
V
A
20
20
14
30
30
21
40
40
28
50
50
35
60
60
42
1.0
80
80
56
100
100
70
150
105
150
200
140
200
0.50
0.70
0.85
0.92
V
I
FSM
30
0.5
A
mA
典型的二极管结电容
( F = 1MHz的应用和4V直流反接电压)
工作温度
存储温度范围
°C
°C
REV :一
QW-JB029
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评级和特性曲线( CDBMTS120 -HF直通。 CDBMTS1200 -HF )
Fig.1-典型正向电流
降额曲线
I
F
,正向电流( A)
100
图2 - 典型的正向特性
I
O
,平均正向电流( A)
2.4
2.0
CD
CD
10
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
1
F
0-H
10
-
S1
20
T
1
~C
BM
TS
M
S
HF
MD
0-
-M
F~
DB
00
C
15
-H
12
80
TS
S
1
TS
MT
BM
DB
BM
CD
~M
CD
F
-H
50
11
TS
-
BM
CD
~C
HF
4
T1
BM
D
0-
HF
60
F
-H
1
TS
BM
D
50
S1
BM
2
S1
BM
C
F~
0-H
DB
-H F
D
~C
20
S1
BM
0-H
F
14
MS
0.1
T
J
=25°C
脉冲宽度300
US
1 %占空比
0-H
F
0.01
40
60
80
100
120
140
160
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
T
A
,环境温度( ° C)
V
F
,正向电压( V)
图3 - 最大非重复性
正向浪涌电流
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
30
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波, JEDEC的方法
O
图4 - 典型结电容
350
C
J
,结电容(PF )
1
10
100
300
250
200
150
100
50
0
0.01
20
10
0
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
V
R
,反向电压, (V)的
图5 - 典型的反向特性
100
反向漏电流(毫安)
10
1
T
J
=75
O
C
0.1
T
J
=25 C
O
0.01
0
40
80
120
160
200
额定峰值反向电压的百分比( % )
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