薄型SMD肖特基势垒整流器
CDBMT120 -HF直通。 CDBMT1150 -HF
反向电压： 20 150伏特
正向电流： 1.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 出色的功耗提供了更好的反
漏电流和耐热性。
- 低剖面封装比标准薄40 ％
SOD-123.
- 低功耗，高效率。
- 高电流能力，低正向压降。
- 高浪涌能力。
-Guarding过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片，金属硅交界处。
-Lead免部分符合环保标准
MIL-STD-19500/228
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOD-123H
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
- 环氧： UL94 -V0额定阻燃剂。
-Case ：模压塑料， SOD- 123H / MINI SMA
-Terminals ：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性。
-Polarity ：由阴极频带指示。
-Mounting位置：任意
- 重量： 0.011克约。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
=25
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
正向整流电流
最大正向电压
@ I
F
=1.0A
最大。正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
O
C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
CDBMT
120-HF
CDBMT
130-HF
CDBMT
140-HF
CDBMT
150-HF
CDBMT
160-HF
CDBMT CDBMT CDBMT
180 - 1100 HF - 1150 HF -HF
单位
V
V
V
A
20
20
14
30
30
21
40
40
28
50
50
35
1.0
60
60
42
80
80
56
100
100
70
150
150
105
0.50
0.70
0.85
0.92
V
I
FSM
25
0.5
A
V
R
=V
RRM
T
J
=25°C
Max.Reverse电流
V
R
=V
RRM
T
J
=100°C
典型值。热阻
（结到环境）
I
R
10
R
θJA
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
-65到+175
98
120
-55到+150
mA
O
C / W
P
F
O
典型值。二极管结电容（注1 ）
工作温度
存储温度范围
C
C
O
注：1， F = 1MHz的应用和4V直流反接电压
REV ：一
QW-JB025
第1页
COMCHIP科技有限公司。
薄型SMD肖特基势垒整流器
评级和特性曲线（ CDBMT120 -HF直通。 CDBMT1150 -HF ）
Fig.1-典型正向电流
降额曲线
100
图2 - 典型的正向特性
I
F
,
瞬时正向电流（ A）
I
O
,
平均正向电流（ A）
1.2
1.0
CD
CD
10
CD
2
T1
BM
0-
4
~1
HF
HF
0-
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
1
0
15
MT
DB
C
-
-H
60
~1
HF
F
8
T1
BM
CD
0-
15
~1
HF
0 -H
F
0
T15
BM
2
T1
BM
C
F~
0-H
DB
D
~C
-HF
HF
50-
T11
BM
0-H
F
14
MT
0.1
T
J
=25°C
脉冲宽度300
US
1 ％占空比
0.01
40
60
80
100
120
140
160
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
T
A
，环境温度（ ° C）
V
F
，正向电压（ V）
图3 - 最大非重复性
正向浪涌电流
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
25
350
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波， JEDEC的方法
O
图4 - 典型结电容
C
J
，结电容（PF ）
100
300
250
200
150
100
50
0
0.01
20
15
10
5
0
1
10
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
V
R
，反向电压， （V）的
图5 - 典型的反向特性
100
反向漏电流（毫安）
10
1
T
J
=75
O
C
0.1
T
J
=25 C
O
0.01
0
40
80
120
160
200
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
REV ：一
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薄型SMD肖特基势垒整流器
SMD二极管专家
CDBMT120 -HF直通。 CDBMT1150 -HF
反向电压： 20 150伏特
正向电流： 1.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 出色的功耗提供了更好的反
漏电流和耐热性。
- 低剖面封装比标准薄40 ％
SOD-123.
- 低功耗，高效率。
- 高电流能力，低正向压降。
- 高浪涌能力。
-Guarding过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片，金属硅交界处。
-Lead免部分符合环保标准
MIL-STD-19500/228
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOD-123H
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
- 环氧： UL94 -V0额定阻燃剂。
-Case ：模压塑料， SOD- 123H / MINI SMA
-Terminals ：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性。
-Polarity ：由阴极频带指示。
-Mounting位置：任意
- 重量： 0.011克约。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
=25
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
正向整流电流
最大正向电压
@ I
F
=1.0A
最大。正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
O
C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
CDBMT
120-HF
CDBMT
130-HF
CDBMT
140-HF
CDBMT
150-HF
CDBMT
160-HF
CDBMT CDBMT CDBMT
180 - 1100 HF - 1150 HF -HF
单位
V
V
V
A
20
20
14
30
30
21
40
40
28
50
50
35
1.0
60
60
42
80
80
56
100
100
70
150
150
105
0.50
0.70
0.85
0.92
V
I
FSM
25
0.5
A
V
R
=V
RRM
T
J
=25°C
Max.Reverse电流
V
R
=V
RRM
T
J
=100°C
典型值。热阻
（结到环境）
I
R
10
R
θJA
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
-65到+175
98
120
-55到+150
mA
O
C / W
P
F
O
典型值。二极管结电容（注1 ）
工作温度
存储温度范围
C
C
O
注：1， F = 1MHz的应用和4V直流反接电压
REV ：一
QW-JB025
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SMD二极管专家
评级和特性曲线（ CDBMT120 -HF直通。 CDBMT1150 -HF ）
Fig.1-典型正向电流
降额曲线
100
图2 - 典型的正向特性
I
F
,
瞬时正向电流（ A）
I
O
,
平均正向电流（ A）
1.2
1.0
CD
CD
10
CD
2
T1
BM
0-
4
~1
HF
HF
0-
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
1
0
15
MT
DB
C
-
6
~1
HF
0 -H
F
CD
8
T1
BM
5
11
F~
0-H
0-H
F
0
T15
BM
2
T1
BM
0-H
CD
F~
D
~C
-HF
50
T11
BM
-HF
0-H
F
4
T1
BM
0.1
T
J
=25°C
脉冲宽度300
US
1 ％占空比
0.01
40
60
80
100
120
140
160
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
T
A
，环境温度（ ° C）
V
F
，正向电压（ V）
图3 - 最大非重复性
正向浪涌电流
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
25
350
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波， JEDEC的方法
O
图4 - 典型结电容
C
J
，结电容（PF ）
100
300
250
200
150
100
50
0
0.01
20
15
10
5
0
1
10
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
V
R
，反向电压， （V）的
图5 - 典型的反向特性
100
反向漏电流（毫安）
10
1
T
J
=75
O
C
0.1
T
J
=25 C
O
0.01
0
40
80
120
160
200
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
REV ：一
QW-JB025
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