SMD肖特基势垒整流器
CDBMHT120 -HF直通。 CDBMHT1150 -HF
反向电压: 20 150伏特
正向电流: 1.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 出色的功耗提供了更好的反
漏电流和耐热性。
- 低剖面封装比标准薄40 %
SOD-123.
- 低
功率损耗,效率高。
-HIGH
电流能力,低正向电压降。
-HIGH
浪涌能力。
-Guardring
过电压保护。
- 超
高速开关。
- 硅
外延平面芯片,金属硅交界处。
- 热
沉入底部。
-Lead无
部分符合环保标准
MIL-STD-19500/228
SOD-123HT
0.146(3.70)
0.130(3.30)
0.012 ( 0.30 )典型值。
0.071(1.80)
0.055(1.40)
0.039(1.00)
0.024(0.60)
0.031 ( 0.80 )典型值。
0.031 ( 0.80 )典型值。
0.047(1.20)
0.039(1.00)
机械数据
- 环氧: UL94 -V0额定阻燃剂。
-Case :模压塑料, SOD- 123HT /迷你SMA 。
-Terminals :每MIL -STD- 750 ,方法2026焊性。
-Polarity :由阴极频带指示。
-Mounting位置:任意。
- 重量: 0.011克约。
尺寸以英寸(毫米)
0.047(1.20)
0.039(1.00)
0.035(0.90)
0.028(0.70)
电气特性
(在T = 25 ° C除非另有说明)
A
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
马克斯。正向整流电流
最大正向电压在我
F
=1.0A
马克斯。正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加额定
负荷( JEDEC的方法)
V
R
=V
RRM
T
J
=25°C
Max.Reverse电流
V
R
=V
RRM
T
J
=100°C
典型值。热阻
典型值。二极管结电容(注1 )
工作温度
存储温度范围
符号
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH
T120 - T130 HF -HF T140 - T150 HF -HF T160 - T180 HF -HF T1100 - T1150 HF -HF
单位
V
V
V
A
20
20
14
30
30
21
40
40
28
50
50
35
1.0
60
60
42
80
80
56
100
100
70
150
150
105
0.50
0.70
0.85
0.92
V
I
FSM
I
R
I
R
R
θJC
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
25
0.5
10
30
120
-55到+150
-65到+175
A
mA
° C / W
pF
°C
°C
REV :一
注:1, F = 1MHz的应用和4V直流反接电压
QW-JB033
第1页
COMCHIP科技有限公司。
SMD肖特基势垒整流器
评级和特性曲线( CDBMHT120 -HF直通。 CDBMHT1150 -HF )
Fig.1-典型正向电流降额曲线
1.4
100
FIG.2-典型正向特性
瞬时正向电流( A)
平均正向电流( A)
1.2
1.0
CD
1
MHT
CD B
20-
CD
HF `
50-
-H
T140
BMH
F
-HF
10
CD
HT1
BM
HF
0
T16
MH
DB
~C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
180
MH牛逼
国开行
-HF
150
HT1
DBM
~C
-HF
环境温度, (℃)
Fig.3-最大非重复性
正向浪涌电流
25
350
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波, JEDEC的方法
O
CD
1 20
HT
BM
-HF
~C
150
HT
BM
-HF
~C
DB
1
DB
40
T1
MH
-H F
0.1
T
J
=25°C
脉冲宽度300
US
1 %占空比
50
T11
MH
-HF
0.01
75
100
125
150
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
正向电压( V)
FIG.4-典型结电容
峰值正向浪涌电流( A)
20
结电容(PF )
100
300
250
200
150
100
50
0
0.01
15
10
5
0
1
10
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
反向电压, (V)的
Fig.5-反向特性
100
反向漏电流(毫安)
10
1
T
J
=75°C
0.1
T
J
=25°C
0.01
0
40
80
120
160
200
额定峰值反向电压的百分比( % )
REV :一
QW-JB033
第2页
COMCHIP科技有限公司。