SMD肖特基势垒整流器
CDBMH320 -HF直通。 CDBMH3100 -HF
反向电压： 20100伏特
正向电流： 3.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
-batch
工艺设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
- 低
型材表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
- 低
功率损耗，效率高。
-HIGH
电流能力，低正向电压降。
-HIGH
浪涌能力。
-Guardring
过电压保护。
- 超
高速开关。
- 硅
外延平面芯片，金属硅交界处。
- 热
沉入底部。
-Lead无
部分符合环保标准
MIL-STD-19500/228
SOD-123T
0.154(3.90)
0.138(3.50)
0.012 （ 0.30 ）典型值。
0.071(1.80)
0.055(1.40)
0.067(1.70)
0.051(1.30)
0.008 （ 0.20 ）典型值。
0.096(2.40)
0.080(2.00)
0.040(0.10)
0.024(0.60)
0.024 （ 0.60 ）典型值。
0.064(1.60)
0.048(1.20)
0.036(0.90)
0.020(0.50)
机械数据
-Case ：模压塑料， SOD- 123T /迷你SMA 。
-Terminals ：每MIL -STD- 750可焊性，
方法2026 。
-Polarity ：由阴极频带指示。
- 重量： 0.018克约。
0.052(1.30)
0.036(0.90)
0.0375(0.95)
0.0296(0.75)
0.044(1.10)
0.028(0.70)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T = 25 ° C除非另有说明）
A
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
马克斯。正向整流电流
最大正向电压在我
F
=3.0A
马克斯。正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加额定
负荷（ JEDEC的方法）
V
R
=V
RRM
T
J
=25°C
Max.Reverse电流
V
R
=V
RRM
T
J
=100°C
典型值。热阻
典型值。二极管结电容（注1 ）
工作温度
存储温度范围
符号
CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH
320-HF
20
20
14
330-HF
30
30
21
340-HF
40
40
28
350-HF
50
50
35
3.0
0.50
0.70
0.85
360-HF
60
60
42
380-HF
80
80
56
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
100
100
70
3100-HF
单位
V
V
V
A
V
I
FSM
I
R
I
R
R
θJC
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
80
0.2
20
30
250
-55到+150
-65到+175
A
mA
° C / W
P
F
°C
°C
REV ： B
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注：1， F = 1MHz的应用和4V直流反接电压
QW-JB015
COMCHIP科技有限公司。
SMD肖特基势垒整流器
评级和特性曲线（ CDBMH320 -HF直通。 CDBMH3100 -HF ）
图1 - 典型电流降额曲线
100
图2 - 典型的正向特性
平均正向电流（ A）
3.0
H
BM
CD
瞬时正向电流（ A）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
20
10
1
F
-
0-H
20
36
F~
H3
F
-H
-H
BM
50
00
CD
H3
31
BM
F~
CD
0- H
38
MH
B
CD
~3
HF
40
F
-H
CD
H32
BM
0-H
D
F-
MH
DB
~C
-HF
350
310
F
0-H
H3 4
BM
0-H
F
0.1
T
J
=25°C
脉冲宽度300
US
1 ％占空比
0.01
40
60
80
100
120
140
160
.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
环境温度， （℃）
正向电压（ V）
图3 - 最大非重复性
正向浪涌电流
100
700
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波， JEDEC的方法
O
图4 - 典型结电容
f=1MHz
应用4VDC
反向电压
峰值正向浪涌电流（ A）
80
结电容（PF ）
1
10
100
600
500
400
300
200
100
60
40
20
0
0
0.01
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
反向电压， （V）的
图5 - 典型的反向特性
100
反向漏电流（毫安）
10
1
T
J
=75
O
C
0.1
T
J
=25 C
O
0.01
0
40
80
120
160
200
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
REV ： B
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COMCHIP科技有限公司。
SMD肖特基势垒整流器
SMD二极管专家
CDBMH320 -HF直通。 CDBMH3100 -HF
反向电压： 20100伏特
正向电流： 3.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
-batch
工艺设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
- 低
型材表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
- 低
功率损耗，效率高。
-HIGH
电流能力，低正向电压降。
-HIGH
浪涌能力。
-Guardring
过电压保护。
- 超
高速开关。
- 硅
外延平面芯片，金属硅交界处。
-Lead无
部分符合环保标准
MIL-STD-19500/228
SOD-123T
0.154(3.9)
0.138(3.5)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.067(1.7)
0.051(1.3)
0.008 （ 0.20 ）典型值。
0.096(2.4)
0.080(2.0)
0.040(0.1)
0.024(0.6)
0.024 （ 0.6 ）典型值。
0.064(1.6)
0.048(1.2)
0.036(0.9)
0.020(0.5)
机械数据
-Case ：模压塑料， SOD- 123T /迷你SMA 。
-Terminals ：每MIL -STD- 750可焊性，
方法2026 。
-Polarity ：由阴极频带指示。
- 重量： 0.018克约。
0.052(1.3)
0.036(0.9)
0.0375(0.95)
0.0296(0.75)
0.044(1.10)
0.028(0.70)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
=25
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
马克斯。正向整流电流
最大正向电压在我
F
=3.0A
O
C除非另有说明）
符号
CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH
320-HF
20
20
14
330-HF
30
30
21
340-HF
40
40
28
350-HF
50
50
35
3.0
0.50
0.70
0.85
360-HF
60
60
42
380-HF
80
80
56
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
100
100
70
3100-HF
单位
V
V
V
A
V
马克斯。正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加额定
负荷（ JEDEC的方法）
V
R
=V
RRM
T
J
=25°C
Max.Reverse电流
V
R
=V
RRM
T
J
=100°C
典型值。热阻
典型值。二极管结电容（注1 ）
工作温度
存储温度范围
I
FSM
I
R
I
R
R
θJC
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
80
0.2
20
O
A
mA
C / W
P
F
30
250
-55到+150
-65到+175
O
C
C
O
注：1， F = 1MHz的应用和4V直流反接电压
REV ：一
QW-JB015
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SMD肖特基势垒整流器
SMD二极管专家
评级和特性曲线（ CDBMH320 -HF直通。 CDBMH3100 -HF ）
Fig.1-典型电流降额曲线
100
图2 - 典型的正向特性
平均正向电流（ A）
3.0
CD
瞬时正向电流（ A）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
20
10
1
F
-
0-H
20
36
F~
H3
F
-H
-H
BM
50
00
CD
H3
31
BM
F~
CD
0 -H
38
MH
B
CD
4
~3
HF
0-
HF
CD
H32
BM
0-H
F-
H3
BM
D
~C
HF
50 -
H
BM
3 10
0-H
34
MH
DB
0-H
F
F
0.1
T
J
=25°C
脉冲宽度300
US
1 ％占空比
0.01
40
60
80
100
120
O
140
160
.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
环境温度（ C）
正向电压（ V）
图3 - 最大非重复性
正向浪涌电流
100
700
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波， JEDEC的方法
O
图4 - 典型结电容
f=1MHz
应用4VDC
反向电压
峰值正向浪涌电流（ A）
80
结电容（PF ）
1
10
100
600
500
400
300
200
100
60
40
20
0
0
0.01
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
反向电压， （V）的
图5 - 典型的反向特性
100
反向漏电流（毫安）
10
1
T
J
=75
O
C
0.1
T
J
=25 C
O
0.01
0
40
80
120
160
200
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
REV ：一
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