SMD肖特基势垒整流器
COMCHIP
SMD二极管专家
CDBMH220 -HF直通。 CDBMH2100 -HF
反向电压： 20100伏特
正向电流： 2.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 出色的功耗提供了更好的反
漏电流和耐热性。
- 低
型材表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
- 低
功率损耗，效率高。
-HIGH
电流能力，低正向电压降。
-HIGH
浪涌能力。
-Guardring
过电压保护。
- 超
高速开关。
- 硅
外延平面芯片，金属硅交界处。
- 热
沉入底部。
-Lead无
部分符合环保标准
MIL-STD-19500/228
SOD-123T
0.154(3.9)
0.138(3.5)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.067(1.7)
0.051(1.3)
0.008 （ 0.20 ）典型值。
0.096(2.4)
0.080(2.0)
0.040(0.1)
0.024(0.6)
0.024 （ 0.6 ）典型值。
0.064(1.6)
0.048(1.2)
0.036(0.9)
0.020(0.5)
机械数据
-Case ：模压塑料， SOD- 123T /迷你SMA 。
-Terminals ：每MIL -STD- 750可焊性，
方法2026 。
-Polarity ：由阴极频带指示。
- 重量： 0.018克约。
0.052(1.3)
0.036(0.9)
0.0375(0.95)
0.0296(0.75)
0.044(1.10)
0.028(0.70)
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
（在T = 25 ° C除非另有说明）
O
A
参数
马克斯。重复峰值反向电压
马克斯。连续反向电压
马克斯。 RMS电压
马克斯。正向整流电流
MAX 。在我正向电压
F
=2.0A
马克斯。正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加额定
负荷（ JEDEC的方法）
V
R
=V
RRM
T
J
=25°C
Max.Reverse电流
V
R
=V
RRM
T
J
=100°C
典型值。热阻
典型值。二极管结电容（注1 ）
工作温度
存储温度范围
符号
CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH CDBMH
220-HF
20
20
14
230-HF
30
30
21
240-HF
40
40
28
250-HF
50
50
35
2.0
0.50
0.70
0.85
260-HF
60
60
42
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
80
80
56
100
100
70
280 -HF 2100 -HF
单位
V
V
V
A
V
I
FSM
I
R
I
R
R
θJC
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
50
0.2
A
mA
10
35
160
-55到+150
-65到+175
° C / W
pF
°C
°C
注：1， F = 1MHz的应用和4V直流反接电压
REV ：一
QW-JB030
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COMCHIP
SMD二极管专家
评级和特性曲线（ CDBMH220 -HF直通。 CDBMH2100 -HF ）
Fig.1-典型电流降额曲线
2.5
100
FIG.2-典型正向特性
瞬时正向电流（ A）
平均正向电流（ A）
2.0
CD
10
H2
BM
CD
20
-
~
HF
C
2
MH
DB
F~
40
F
-H
60
F
-H
H2
BM
CD
CD
H2
BM
5
0-H
1.5
CD
H
BM
0
28
F
-H
~C
D
H2
BM
10
0 -H
F
CD
H2
BM
20-
HF
~C
H
BM
25 0
-HF
~C
1
1.0
DB
DB
MH
2 40
-H F
2
MH
1 00
0.1
T
J
=25°C
脉冲宽度300
US
1 ％占空比
0.5
-HF
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
焊接温度（ ° C）
正向电压（ V）
Fig.3-最大非重复性
正向浪涌电流
50
700
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波， JEDEC的方法
O
FIG.4-典型结电容
峰值正向浪涌电流（ A）
40
结电容（pF ）
600
500
400
300
200
100
30
20
10
0
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
反向电压（ V）
Fig.5-反向特性
100
反向漏电流（mA）
10
1
T
J
=75°C
0.1
T
J
=25°C
0.01
0
40
80
120
160
200
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
REV ：一
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SMD肖特基势垒二极管
CDBQR40-HF
I
o
= 200毫安
V
R
= 40伏
器件符合RoHS
无卤
特点
- 低反向电流。
-Designed于安装在小面。
-Extremely薄/无铅封装。
-Majority载流子传导。
0.026(0.65)
0.022(0.55)
0402/SOD-923F
0.041(1.05)
0.037(0.95)
机械数据
-Case ： 0402 / SOD- 923F标准封装，
模压塑料。
-Terminals ：镀金，每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
-Marking代码：阴极频带BC &
0.020 （ 0.50 ）典型值。
0.012 （ 0.30 ）典型值。
0.022(0.55)
0.018(0.45)
-Mounting位置：任意。
-weight ： 0.001克（大约） 。
O
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
峰值反向电压
反向电压
RMS反向电压
正向平均整流电流
正向电流，浪涌峰值
功耗
储存温度
结温
8.3ms单一正弦半波叠加
在负荷率（ JEDEC的方法）
条件
符号最小典型最大单位
V
RM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
P
D
T
英镑
T
j
-65
40
40
28
200
0.6
125
+125
+125
V
V
V
mA
A
mW
O
C
C
O
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
O
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
反向恢复时间
I
F
= 1毫安
I
F
= 40毫安
V
R
= 30V
条件
符号最小典型最大单位
V
F
I
R
C
T
T
rr
0.38
1
0.2
5
5
V
uA
pF
nS
REV ： B
F = 1 MHz和0 VDC反向电压
I
F
=I
R
= 10毫安， IRR = 0.1xIR ， RL =100Ω
QW-G1100
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