SMD肖特基势垒整流器
CDBM220 -HF直通CDBM2100 -HF
反向电压: 20100伏特
正向电流: 2.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
-batch工艺设计,出色的鲍威
散热提供了更好的反向漏
电流和耐热性。
- 低轮廓表面安装应用程序
为了优化电路板空间。
-Tiny塑料SMD封装。
- 低功耗,高效率。
- 高电流能力,低正向电压村落。
- 高浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅外延planarchip ,金属硅交界处。
-Lead无零件符合环保
标准MIL -STD -二百二十八分之一万九千五
迷你SMA / SOD- 123
0.154(3.9)
0.138(3.5)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.126(3.2)
0.110(2.8)
机械数据
-Case :
模压塑料, JEDEC MiniSMA / SOD- 123 。
-Terminals : Solde镀金,每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
-Polarity :由阴极频带指示。
-Mounting位置:任意
- 重量: 0.027克(约) 。
0.035 ( 0.9 )典型值。
0.067(1.7)
0.051(1.3)
0.035 ( 0.9 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
(在T = 25 ° C除非另有说明)
A
参数
反向重复峰值电压
最大RMS电压
连续反向电压
最大正向电压@I
F
=2.0A
正向整流电流
正向浪涌电流, 8.3ms的正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
反向电流V
R
=V
RRM
@T
A
=25
C
@T
A
=125
C
典型值。热阻,结到环境空气
典型值。二极管结电容(注1 )
工作结温
储存温度
注1 : F = 1MHz的应用和4V直流反向电压。
O
O
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
O
I
FSM
I
R
R
θJA
C
J
T
J
T
英镑
CDBM
CDBM
CDBM
CDBM CDBM CDBM CDBM
单位
220-HF
230-HF
240-HF
250 -HF 260 -HF 280 -HF 2100- HF
20
14
20
30
21
30
0.50
2.0
50
0.5
10
85
160
-55到+125
-55到+150
-65到+175
O
40
28
40
50
35
50
0.70
60
42
60
80
56
80
0.85
100
70
100
V
V
V
V
A
A
mA
C / W
pF
O
C
C
O
REV :一
QW-JB003
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COMCHIP科技有限公司。
SMD肖特基势垒整流器
评级和特性曲线( CDBM220 -HF直通CDBM2100 -HF )
图1 - 典型正向电流
降额曲线
2.3
图2 - 典型的正向特性
100
I
F
,正向电流(A)
I
O
,场均正向电流( A)
2.0
国开行
0
M25
B
μcd
-HF
M2 1
10
C
20
M2
DB
-H
C
F~
D
24
BM
0-H
F
0-H
M22
国开行
1
CD
25
BM
0 -H
C
F~
-
M2
DB
60
-H
F
F
-H
1.0
CD
28
BM
0 -H
C
F~
1
M2
DB
00
D
F-
40
BM2
0 0 -H
F
-HF
0.1
T
J
=25 C
脉冲宽度300μS
1 %占空比
O
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
T
A
,环境温度(
O
C)
V
F
,正向电压( V)
图3 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
50
图4 - 典型结电容
700
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
C
J
,结电容(pF )
40
T
J
=25
O
C
8.3ms单半
正弦波, JEDEC
法
600
500
400
300
200
100
0
30
20
10
0
1
10
100
.01
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
V
R
,反向电压(V)的
图5 - 典型的反向特性
100
I
R
,反向电流(毫安)
10
1
T
J
=75 C
O
.1
T
J
=25 C
O
.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
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