SMD肖特基势垒整流器
CDBM120 -G直通。 CDBM1150 -G
反向电压： 20 150伏特
正向电流： 1.0安培
器件符合RoHS
特点
-batch
工艺设计，出色的鲍威
散热提供了更好的反向漏
电流和耐热性。
- 低轮廓表面安装应用程序
为了优化电路板空间。
-Tiny塑料SMD封装。
- 低功耗，高效率。
- 高电流能力，低正向电压村落。
- 高浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅外延planarchip ，金属硅交界处。
-Lead无零件符合环保
标准MIL -STD -二百二十八分之一万九千五
迷你SMA / SOD- 123
0.154(3.90)
0.138(3.50)
0.012 （ 0.30 ）典型值。
0.071(1.80)
0.055(1.40)
0.122(2.80)
0.096(2.40)
机械数据
-Case ：
模压塑料， JEDEC迷你SMA / SOD- 123 。
-Terminals ： Solde镀金，每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
-Polarity ：由阴极频带指示。
-Mounting位置：任意
- 重量： 0.027克（约） 。
0.035 （ 0.90 ）典型值。
0.067(1.70)
0.051(1.30)
0.035 （ 0.90 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T = 25 ° C除非另有说明）
A
参数
反向重复峰值电压
最大RMS电压
连续反向电压
最大正向电压@I
F
=1.0A
正向整流电流
正向浪涌电流， 8.3ms的正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向电流V
R
=V
RRM
@T
A
=25°C
@T
A
=125°C
典型值。热阻，结到环境空气
典型值。二极管结电容（注1 ）
工作结温
储存温度
注1 ： F = 1MHz的应用和4V直流反向电压。
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
O
I
FSM
I
R
R
θJA
C
J
T
J
T
英镑
CDBM
120-G
20
14
20
CDBM
130-G
30
21
30
0.50
CDBM
140-G
40
28
40
CDBM
150-G
50
35
50
CDBM
160-G
60
42
60
CDBM CDBM CDBM
180-G 1100-G 1150-G
80
56
80
0.85
100
70
100
150
105
150
0.92
单位
V
V
V
V
A
A
0.70
1.0
30
0.5
10
98
120
mA
O
C / W
pF
-55到+125
-65到+175
-55到+150
O
C
C
O
REV ：D
QW-BB005
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SMD肖特基势垒整流器
评级和特性曲线（ CDBM120 -G直通。 CDBM1150 -G ）
图1反向特性
100
100
图2正向特性
CDBM120-G~140-G
I
R
，反向电流（毫安）
Ι
F
，正向电流（ A）
10
10
CDBM150-G~160-G
CDBM180-G~1150-G
1
T
J
=75
O
C
1
0.1
T
J
=25 C
O
0.1
0.01
0
40
80
120
160
200
0.01
0.1
0.5
0.9
1.3
1.7
2.1
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
V
F
，正向电压（ V）
图3结电容
350
1.4
图4电流降额曲线
I
O
，平均正向电流（ A）
C
J
，结电容（pF ）
300
250
200
150
100
50
0
0.01
f=1MHz
应用4VDC
反向电压
1.2
1.0
0.8
CD
12
BM
CD
0
15
BM
0.6
0.4
0.2
0
20
~1
0 -G
40
-G
15
~1
-G
0-G
0.1
1
10
100
40
60
80
100
120
140
160
V
R
，反向电压（V）的
T
A
，环境温度（ ° C）
图5非重复性转发
浪涌电流
30
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波， JEDEC的方法
O
24
18
12
6
0
1
10
100
循环次数在60Hz
REV ：D
QW-BB005
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